"i-V 및 i-P 곡선" 검색결과 1-20 / 1,880건

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  태양전지 보고서

  목적태양전지의 원리를 이해하고 광원과 태양전지 사이의 거리 및 각도에 따른 광전기의 전류 전압을 측정하여 I-V곡선, P-V곡선, FF를 비교 및 분석해본다.2. ... 태양전지에서 원자 내의 전자가 전도띠로 갈 수 있을 만큼의 에너 지를 흡수하면 p형 반도체에는 정공, n형 반도체에는 전자가 생성된다. p-n 접합에서 만들어 진 전기장에 의해 전자는 ... n형 반도체 쪽으로, 정공은 p형 반도체 쪽으로 이동한다.

  리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.11.25

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  MOSFET의 특성 실험

  결과 분석 및 결론 이번 실험은 MOSFET이라는 새로운 소자에 대해서 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달 특성곡선을 알아보는 실험 이었다 ... 실험 결과 드레인 특성곡선 실험결과표 V _{DS}[V] I _{D}[μA] V _{GS}[V] 0 1 2 3 4 5 0 0 0 0 0 0 0 1 15.06 15.3 14.97 18.54 ... 실험 개요 MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정한다. 2.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.06

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  전자회로실험 JFET의 특성 실험 예비레포트

  이라 한다 * V _{GS}=0인 상태에서 I _{D}가 본질적으로 일정하게 되는 B점에서의 V _{DS}값을 핀치-오프전압 V _{P}라 하며 V _{DS}가 Vp 이상으로 계속 ... 실험 목적 JFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성 곡선을 결정한다 2. ... 실험 원리 (1) JFET의 구조 및 종류 접합 전계효과 트랜지스터는 n채널이라 불리는 n형 반도체의 양쪽으로 2개의 p형 반도체를 확산 시켜 게이트, 소스, 드레인 이라 불리는 3개

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.10.05

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  울산대학교 전기전자실험 12. JFET 특성 및 바이어스 회로

  1MΩ 333.7kΩ 999kΩ V _{R} = 0.81V I _{DSS} = 8.01mA V _{P} = -3.02V (2)JFET의 전달 및 출력 특성곡선 (3) V _{GS} ... 고정 바이어스 회로를 통해 I _{DSS} , V _{P}값을 구하고, V _{DS}에 따른 I _{D}값을 측정함으로써 특성곡선을 그리고,전자회로 수업에서 배운 특성곡선과 비슷하게 ... - 앞의 회로에서는 I _{D`=`} I _{DSS} (1- {V _{GS}} over {V _{P}} ) ^{2} 이고 이 회로에서 V _{GS} = - I _{D} R _{S}

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.03.23 | 수정일 2024.03.25

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  전기전자공학실험-JFET 특성

  최대 I _{D}에 일찍 도달 - V _{GS}가 이미 V _{DS}보다 크다면 V _{DS}를 걸어주어도 I _{D} =0A - V _{GS}의 범위 0V SIM V _{P} ㆍSoruce ... BJT와 마찬가지로 화살표를 통해 JFET의 형태를 구분하며, 화살표가 JFET을 향하고 있으면 n채널, 반대일 경우 p채널 형이다. ⑷ JFET의 작동원리 및 Pinch-Off ㆍGate ... V _{GS} ``=`V _{P} LEFT ( 1`- sqrt {{I _{D}} over {I _{DSS}}} RIGHT )이 식을 정리하면, 다음과 같은 식도 얻을 수 있다. ⑹

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14

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  [물리화학실험]순환 전압 전류법(CV)

  산화 및 환원 피크전류값이 동등하거나(| i _{pc}|= | i _{pa}|), 산화 및 환원 피크전위차의 값( E _{pa}- E _{pc})이 0.057/N(V) 이다. ... ～ -0.12V 사이를 스캔하며, CV 곡선을 얻는다. ... 일반적으로 피크전류 i _{p}는 전위주사속도 V 1/2에 비례하는 관계에 있어, V가 증가할수록 커지는데, 이는 두번째식을 통하여 확인할 수 있다.

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.02.19

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  흙의 압밀시험

  간극비 e의 관계 압밀하중 p와 간극비 e의 관계를 나타내기 위하여 세로축에 간극비 e, 가로축에 압밀하중 p를 반대수로 그리면 log p - e곡선이 되고 이 곡선의 처음부분은 ... over {2H _{2}} 여기에서, Ws : 흙의 건조무게 [gf/cm3] 윗식을 이용하면 간극비 e와 압밀압력 p와의 관계곡선 (p-e)을 얻을 수 있다. 2. ... 즉, H _{i} =H _{i-1} - TRIANGLE S _{i} 3. 따라서 i번째 하중단계에서 공시체의 평균높이 Him는 다음과 같다.

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.05.30 | 수정일 2023.12.22

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  전기전자공학기초실험-쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 특성

  Q9) 표 6-4의 값에서 측정된 입력전류 V _{BE}/ I _{B} 및 V _{CE}/ I _{C}는 각각 물리적으로 무엇을 의미하며 그 값들의 변화는 어떤지 설명하라. ... 그림 6-5 BJT(CB) 특성곡선 이론 및 실험치 Q)그림 6-7과 같은 회로를 구성하고 공통 에미터에서 오실로스코프를 이용한 방법과 동일하게 에미터에 걸리는 전류를 조절하여 출력 ... BJT의 특성곡선의 개형과 비슷하게 나온다. (5) BJT의 공통 base(CB) 입출력 실험 V _{RE}(V) 이론 : 측정 I _{E}(mA) (측정) V _{CB}(V) 이론

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.09.01

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  전자회로실험 콜렉터 특성곡선과 직류해석 실험 (PSpice 첨부) 레포트

  ④ I _{C} `=` beta _{dc} I _{B}⑤ V _{CE} =V _{CC} -I _{C} R _{C}⑥ V _{CB} =V _{CE} -V _{BE} 3. ... 공식 ① V _{BE} CONG 0.7V# ② I _{B} = {V _{BB} -V _{BE}} over {R _{B}}③ I _{E} = {I _{C}} over {a _{dc}} ... PSpice 시뮬레이션 회로도 ※ 전자회로실험 P.45 그림 6-3 ※ 전자회로실험 P.46 그림 6-5 4-1.

  리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.11.20

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  [A+ 4.5 결과레포트] 기초전자공학실험 - JFET 특성, JFET 바이어스 회로

  토의 및 고찰 - JFET소자에 오랫동안 전류를 가하게 될 경우 열이 발생하여 제대로 된 측정값을 얻을 수 없기 때문에 소자가 가열되지 않게 주의해야한다. - 드레인 전류 곡선은 V ... 위에서 얻은 I _{DSS}와 V _{P}의 값과 Shockley 방정식을 이용하여 그림 13-2에 전달 특성곡선을 그려라. e. ... ▶ I _{DSS}(그림 12-3) = 7.786mA ▶ I _{DSS}(순서 1) = 8.128mA ▶ V _{P}(그림 12-3) = -3V ▶ V _{P}(순서 1) = -3.294V

  리포트 | 15페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.04.20

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  [섬유공학실험]유기 태양전지의 제작 및 측정

  (그림 7, I-V곡선의 x절편) V _{oc} =V _{MAX} `````at`I=03) 최대전력( P _{MAX})와 P _{MAX}의 전류( I _{MP}), P _{MAX}의 ... I-V 곡선에 대한 최대전력()과 및 4) 곡선인자(Fill Factor; FF) 곡선인자(FF)는 태양전지의 성능을 한눈에 알 수 있는 척도이다. ... 다시 I-V곡선으로 와서, I-V곡선상의 최대전력지점에서 전압과 전류를 각각 V _{MP}와 I _{MP}라 한다.(그림8 상단) 그림 8.

  리포트 | 9페이지 | 3,200원 | 등록일 2020.09.13

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  전기공학실험1 11장 CE구성의 특성곡선 및 B 측정 결과

  그림 11-6에 나타난 특성곡선을 갖는 트랜지스터의 최대 정격은 P(c,max)=30mW , I(c,max)=6Ma , V(CE,max)=20V이고, 정격 소비전력은 콜렉터 전압과 ... CE구성의 특성곡선 및 β 측정 (11장 결과) 전기공학실험1 전기공학과 실험 목표 CE구성에 대한 V(CE) 대 Ic 특성곡선을 실험적으로 결정한다. ... 전원을 끄고, β를 게산하며, 표 11-2에 계산과정 및 계산치를 기록하여라. V(CE) 대 Ic 그림 11-4의 회로를 결선하여라.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.12.02

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  [부산대학교 응용전기전자실험2] 태양광 결과보고서

  표 2에 측정시 PV 모듈의 온도를 기입하라. * 측정결과 측정 결과 E-I 특성 곡선 * 측정결과 E(V) I(A) P(W) 0.158 0.096 0.015168 0.556 0.096 ... 개방전압 및 단락 전류 측정 Eoc(V) Isc(A) 10.19V 0.096A 이번 실험을 통해 태양전지의 E-I곡선과 전력이 어떻게 되는지와 태양전지의 단락전압 및 개방전류를 측정해봤습니다 ... 이번 실험을 통해 태양전지의 E-I곡선과 전력이 어떻게 되는지와 태양전지의 단락전압 및 개방전류를 측정해봤습니다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.02.27

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  [알기쉬운 기초 전기 전자 실험 (문운당)] 04. 옴의_법칙 예비보고서 (A+)

  , R=1 [M OMEGA ]일 때 I` [그림 4-5] 동일 크기의 저항을 갖는 전압과 전류곡선 5. ... 참고문헌 및 자료 ◆ 김지홍, 알기 쉬운 기초 전기 전자 실험, 문운당, 39p~46p, 2013 ◆ 이재희, 컴퓨터를 이용한 일반물리학실험, 북스힐, 164p~189p,, 2015 ... ※ P`=`I ^{2} R이므로, R`=` {P} over {I ^{2}} `=` {60} over {(50 TIMES 10 ^{-3} ) ^{2}} `=`24 TIMES 10 ^{

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.12.31

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  실험 17_능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 예비보고서

  실험절차 2번을 위한 회로도 [표 17-1] 특성 곡선을 그리기 위한 입력-출력 DC 전압 측정입력 전압 V _{pbias}I _{REF}입력의 DC전압 레벨 출력의 DC전압 레벨 ... _{p-p} 정현파를 입력 전압 V _{sig}으로 인가했을 때, 왜곡 없이 최소 0.1 V _{p-p} 정현파를 얻는 A _{v} = 10V/V 공통 소오스 증폭기를 설계하시오. ... [표 17-1]에 기록하고, [그림 17-8]에 입력-출력 전압의 전달 특성 곡선을 그리시오.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25 | 수정일 2023.02.07

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  원심펌프(예비+결과)/ A+자료/ 열유체공학실험/ 한기대

  유량을 x축, 양정, 축동력 및 효율을 y축으로 펌프의 특성곡선을 그리고 설명하라. 1) 특성곡선 [그림 5]유량-양정 특성곡선 [그림 6]유량-축 ... RIGHT ) - LEFT ( {p _{i}} over {rho g} + {V _{i}^{2}} over {2g} +z _{i} RIGHT )# ``````````````````` ... 다음과 같다.( h _{e} =u _{e} + {p _{e}} over {rho }, h _{i} =u _{i} + {p _{i}} over {rho }, u _{i} =u _{e

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.03.12

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  전자회로실험 제11판 예비보고서 실험2(다이오드 특성)

  실험 내용 및 절차 A. 실험할 회로도 B. P-SPICE 모의 실험 결과 및 분석 C. 예상되는 실험 절차 (2) 순방향 바이어스의 다이오드 특성 곡선 (2) - A. ... P-SPICE 모의 실험 결과다. r _{d} = {DELTA V} over {DELTA I} = {2000 mu V} over {1.4050 mu A} =1423.49 OMEGA ... 0.179 (5) - AC 저항 a. si 다이오드에 대해서 식(2.2) rd=ΔV/ΔI와 그림 2-5 곡선을 이용하여 ID=9mA에서 AC 저항을 과정을 보이면서 계산하라. rd

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.18

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  울산대학교 예비레포트 전자12장 JFET 특성 및 바이어스 회로

  I _{d} =I _{DSS} (1- {V _{GS}} over {V _{P}} ) ^{2}여기서 IDSS는 Drain Source 포화전류, V _{P}는 핀치 오프 전압, V _ ... 시뮬레이션 그림 12-1 JFET 전달특성곡선을 위한 회로 V _{R} =5V일`때`I _{DSS} =6.85mA 표 12-1 VGS의 변화에 대하여 ID와 VDS 특성 VGS 표시값 ... 0V -1V -2V -3V -4V -5V -6V V _{DS}I _{D} (mA) 0 0.0000054mA 0.0000036 0 0 0 0 0 1 3.81mA 1.82mA 0.074mA

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17

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  신소재프로젝트3 광전자 A+ 결과레포트

  같이 정규화(Normalized) V _{oc} `=` {q} over {nkT} V _{oc}, I-V 곡선에서 곡선인자의 방정식 : FF`=` {V _{MP} I _{MP}} ... over {V _{OC} I _{SC}} 4) 변환효율(Conversion Efficiency) : P _{max} `=`V _{oc} I _{sc} FF,` eta `=` {V _ ... 일반적으로 태양전지는 에너지 전환 효율과 제조 비용에 따라 결정형 Si(다결정 및 단결정) 태양전지를 1세대, 화합물 반도체(III-V) 및 박막형 반도체 태양전지를 2세대, 그리고

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.10.07 | 수정일 2023.10.08

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  전기전자공학기초실험--JFET 특성 및 바이어스

  그림 12-2 2N4416의 전달 및 출력 특성곡선 (3) V _{DS} 변화에 대한 트랜지스터 출력 저항 Q1) 표 12-2에 측정값 기록. ... Shockley 방정식이라 부르는 I _{D} =I _{DSS} (1- {V _{GS}} over {V _{P}} ) ^{2}식에 의해 입출력 관계가 정해지며, 여기서 IDSS와 VP는 ... GS} =-1V _{GS} =-2V _{GS} =-3 V _{DS} (V)I _{D} (mA)I _{D} (mA)I _{D} (mA)I _{D} (mA) 0V 0 0 0 0 1V 5.1

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.09.02

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