"AlGaN" 검색결과 1-20 / 52건
분자선증착법으로 성장된 AlGaN 에피층의 표면 형상 분석
분자선증착법으로 (0001) 사파이어 기판 위에 AlxGa1-xN 에피층을 AlN 몰비를 변화시키면서 성장시켰다. AlN 몰비는 0.16에서 0.76까지 변화시켰으며 X선의 회절 실험과 Rutherford backscattering spectroscopy 방법을 이용..
논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
AlGaN /GaN이중 이종접합구조의 광여기 유도방출 특성
AIN 완충층을 이용하여 대기압 유기금속에피텍셜 (MOVPE)법으로 사파이어 기판위에 성장시킨 AlGaN /GaN 이중 이종접합구조(double heterostructure : DH) ... 실온에서 여기광 밀도 200kW/cm2에서 방출된 AlGaN /GaN DH의 유도방출 피크파장과 반치폭은 각각 369nm와 22.4meV이었으며, 80K의 온도에서는 각각 360.1nm와
논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
AlGaN /GaInN 이중 이종접합구조의 광여기 유도방출과 편광특성
AlGaN /GaInN로부터 방출되는 유도방출 광은 임계치 이상에서 TE-mode로 편광 되었다. 한국재료학회 한국재료학회지 김선태, 문동찬 ... AlGaN /GaInN 이중이종접합구조(double heterostructure :DH)를 대기압 유기금속기상에 피텍셜(MOVPE)법으로 AIN 와충층을 이용하여 사파이어 기판위에 성장하고
논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
HFET에 대해서(AlGaN /GaN)
이는 AlGaN 에서 Al의 조성 비율에 따라서 AlGaN 의 밴드갭이 3.4eV에서 6.2eV 까지 변화하기 때문이다. ... 그러한 전자들은 편극영역 근처에 모이게 되는데 AlGaN 와 같은 밴드갭이 GaN보다 큰 물질이 장벽으로 작용하기 때문에 AlGaN 쪽으로 전자들이 들어가지 못하고 GaN 쪽에 모여 ... [그림3] Ga 과 N 의 극성에 따른 AlGaN /GaN 이종접합구조에서 압전 편극과 자발편극의 방향 [그림4] AlGaN /GaN 사이의 2DEG의 밴드다이어그램 HFET에서 반절연성
리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.10
반도체, Microwave Transistors
Other Applications for Transistors 4 Wide Bandgap Transistors SiC and group III nitrides ( AlN , GaN , AlGaN
리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.11
성균관대학교 일반대학원 전자전기공학부 학업계획서
저는 또한 다양한 바이어스 조건을 이용한 AlGaN /GaN 이종구조 수소가스 센서의 안정성 및 소비전력 연구, 뉴로모픽 시스템을 위한 Ag/SnOx/TiN RRAM의 에너지 효율적인
자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.09.16
성균관대학교 일반대학원 전자전기공학부 학업계획서
저는 또한 0.25um 쇼트키 게이트 AlGaN /GaN HEMT의 핫 캐리어 열화 분석 연구, 유전알고리듬을 이용한 발전기 예방정비계획 수립에 관한 연구, 빠른 잠금 가변 이득 TDC
자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.10.13
경희대학교 일반대학원 정보디스플레이학과 학업계획서
레이저 공정을 위한 접합 소재의 가사시간 연구, 플라즈마 디스플레이 패널의 2차 전자 방출을 위한 전이금속 도핑 MgO의 결함 상태 연구, Mg 이온 주입을 이용한 리세스 게이트 AlGaN
자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.03.15
경희대학교 일반대학원 화학과 학업계획서
저는 또한 조정 가능한 나노레이저를 위한 다층 InGaN/GaN/AlGaN 축형 이종구조 나노막대의 폴라리톤 레이저 발생 연구, 수처리 흡착 환경소재 활용을 위한 몽골 광산 폐기물
자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.03.15
한양대학교 일반대학원 화학공학과 학업계획서
생체 영감 Fe/Ni 이중금속 활성 부위에 대한 원자 수준의 통찰력 연구, AlGaN /GaN 이종구조 기반 Pt 나노네트워크 쇼트키 다이오드 연구, 탈수 개념을 적용한 고속 리튬이온
자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.03.02
포항공과대학교 일반대학원 반도체공학과 연구계획서
연구, 교차점 상변화 메모리의 읽기 마진을 향상시키기 위한 코드 반전 부호화 기법 연구, 신흥 인터커넥트의 초기 특성화에서 2와이어 디임베딩 방법에 대한 라인 불일치의 영향 연구, AlGaN
자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.04.07
LED의 재료와 제조공정에 대한 레포트
LED 제조공정 MOCVD 장치 03 LED 제조공정 버퍼층 사파이어 기판과 GaN 은 격자 부정합이 33[%] 로 매우 큼 결정결함을 줄이기 위해 버퍼층 형성 : AlN ( 또는 AlGaN
리포트 | 73페이지 | 2,500원 | 등록일 2020.09.08
지식재산개론_지식재산권의 분쟁사례와 시사점(1)
GaAs에 관한 발광다이오드 기술, GaN 단결정의 성장온도에 관한 기술에서 분쟁이 발생했고, LED 구현기술에서는 레이저 다이오드에 관한 기술, 발광다이오드 전극에 관한 기술, AlGaN 의
리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.02.12
HEMT의 정의와 기술 동향 모든것[High Electron Mobility Transistor, 통신용 초고속 반도체 소자]
Jihyun Kim 1) Characterization of AlGaN /GaN HEMT irradiated at 5keV and 25MeV proton energies 2) AlGaN ... irradiated with 17MeV proton 3) Improced Long-Term Thermal Stability At 350℃ of -Based Ohmic Contacts On AlGaN ... 장치와 비교하여 HEMT는 2DEG(Conducting layer)가 매우 얇기 때문에 High energy irradiation에 어느 정도 저항성을 가지고 있어서이다. 2) AlGaN
리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.02.17
HEMT(High Electron Mobility Transistor)의 기본 원리
of lattice constant for AlGaN . ... (AlGaN a=3.112Å, GaN a=3.189Å) - Strain applied not only x,y axis but z axis. ... Source/Drain → Ohmic contact, Gate → Schottky contact: control current Formed 2DEG from AlGaN /GaN hetero
리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.10.06
LED 전압 인가에 따른 전류 측정
그림 2 화합물 에너지 Band Gap에 따른 발광 색AlGaAs - 적외선, 빨간색 GaAsP - 빨간색, 주황색, 노란색 InGaN/GaN/AlGaN - (주황색, 노란색)녹색,
리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.05.04
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