삼성전자 공정기술 면접자료 - 포토리소그래피 세부 파라미터 정리

소개글

ASML 면접과 삼성전자 공정기술 준비하실 때 이 자료만 읽고 가시면 적어도 포토리소그래피에 나오는 질문은 다 답변하실 수 있다고 자부합니다.

책에 나오지 않는 내용 위주로 다루고자 노력하였습니다.

목차

1. 포토리소그래피 마스크 종류 3가지 차이점
- 마스크별 장단점 비교와 현재 주로 사용되고 있는 마스크
2. 현상 공정의 종류 2가지 차이점
- 현상 공정 장단점 비교와 주로 사용되고 있는 현상 공정
3. PR strip과 develop의 차이점
4. 각 용어 개념 정리

본문내용

포토리소그래피는 마스크 타입으로 나눌 수 있다.

첫 번째로 마스크와 웨이퍼가 붙어있는 Contact Type이다. 마스크와 웨이퍼가 아예 붙어있기 때문에 해상도가 굉장히 좋고 왜곡이 없다는 장점이 있지만 마스크가 웨이퍼가 닿고 웨이퍼가 마스크에 닿기 때문에 서로 오염이 된다는 치명적인 단점이 있다.

그래서 나온게 Proximity Type 마스크이다.

이건 마스크와 웨이퍼가 붙어있지 않아서 오염은 되지 않지만 빛이 이동하는 도중에 회절이 되면서 contact mask보다는 정확도가 낮다.

그래서 마지막으로 나온 게 Projection Type 마스크다

Projection Type은 빛이 렌즈를 통과해서 작은 배율로 만드는 방법이다.앞의 두 방식의 장점을 합친 거다. 리덕션?렌즈를 사용하기 때문에 멀리 떨어트릴 수 있어서 오염이 적고 넓은 면적을 한 번에 노 광할 수 있다는 장점이 있다.