"SIC/XE" 검색결과 41-55 / 55건

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  2009년 NH 농협 농협중앙회 농중 5급 대졸 공채 최종합격 자소서 자기소개서

  설계C/C++에서 SIC/XE Assembler, B-tree 부터 VoIP 전화기, OpenGL 3D Cube 까지 시스템 레벨에서 응용 레벨까지 프로그래밍 경험 했습니다.JAVA를

  자기소개서 | 5페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.12.28

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  파이썬으로 구현한 어셈블러 sic/xe

  1. 실행환경- linux-2.4.17에서 Python2.1.1으로 구현- 실행방법 아래와 같은 방법으로 실행시키면 입력파일.lst (listing file), 입력파일.obj (object file)이 생성됨2. 자료구조SYMTAB, LITTAB, OPTAB, ..

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.03.31

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  C로짠 SIC 어셈블러

  void main(int argc, char *argv[]){struct getline get_line(FILE *st, int m), tmpl;int search1(char *target1),search2(char *target2),search3(char *targe..

  리포트 | 1,000원 | 등록일 2004.12.23

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  [실험 수강]나노분말 합성, 제조 실험

  각광을 받고 있다.2.1.1 증발­응축법에 의한 나노분말제조통상의 진공증착과 달리 진공 배가한 후 용기내의 압력을 0.001～수백 torr의 범위 내로 설정한 후, He, Ar, Xe ... Cannon에 의해 형성된 플라즈마 내에 precursor/carrier가스를 통과시켜 나노크기의 Si3N4, SiC 등의 산화물, 질화물, 붕화물 분말들을 제조하였으며, 20nm ... 유지가 요구된다.현재 CVC법에 의해 나노크기의 산화물(SiO2, TiO2, ZrO2, Al2O3, Y2O3)분말뿐만 아니라, doped 산화물(Tb/뗘/Ce : Y2O3), 탄화물(SiC

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.19

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  [공학]리튬2차전지

  우수 전극 전위로 리튬 금속에 특성이 매우 좋음 ① 고결정성 탄소재료: 천연흑연, 흑연질 재료 ② 저결정성 탄소재료: 저온열처리탄소, 난흑연화성 탄소재료Ag(무전해 도금된) / SiC원리 ... + xLi + xe-LixH(H)+Li (ion or moecule)Lix(H)원리 및 구조충전 / 방전의 원리 전지가 충전될때 리튬이온은 분리막을 통하여 음극으로 이동하며 이때 ... 부하특성 저조 : 고부하 방전시 음극이용률 저조, 에너지 밀도 격감 안정성 문제 : Dendrite 석출, 전해 액과의 반응성 때문에 음극 표면층 형성, 성장, 발화위험성0 탄+ xe-H

  리포트 | 71페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.04.09

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  백라이트 광원의 광학적특성 및 시장동향 [파워포인트]

  봉입 가스 1) Ar, Ne, Kr, Xe 등의 가스를 2종 이상 혼합하여 봉입 2) 봉입 가스압이 높으면 수명이 길고, 시동전압이 높으며, 휘도가 낮아 진다. 3) 봉입 가스압이 ... Temp. : 25℃ INV. : SIC-130T주위 온도와 상대휘도Lamp : 2.6mm, 321mm Ambient Temp. : 25℃ INV. : SIC-130T램프 길이와 ... Φ2.6 (2.0) x 355mm 시료수 : 각 5개 측정 환경 : 상온 25 ℃램프 전류와 램프전압Lamp : 2.6mm, 321mm Ambient Temp. : 25℃ INV. : SIC

  리포트 | 40페이지 | 29,000원 | 등록일 2005.01.07

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  sic/ex 어셈블러 소스

  어셈블러의 가장 기본이 되는 sic 가상장치의 xe확장버전입니다. 비주얼 c++로 작성돼었구여 sic/xe 어셈블러 구현을 하기 위해 공부하실 분은 참고할 수 있습니다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.05.15

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  [backlight(LCD)]냉음극형광램프의 전기적및 광학적 특성(PPT)

  ℃, 6.0mA전극의 면적과 수은소모량전극 면적별 휘도 유지율 비교주변온도와 시동전압과의 관계Lamp : 2.6mm, 321mm Ambient Temp. : 25℃ INV. : SIC ... 불활성 가스 (Ar, Ne, Kr, Xe)에 가급적 전리전압이 낮은 다른 불활성 가스를 소량 혼합함으로써 방전전압을 낮출수 있음 4. ... 봉입 가스 1) Ar, Ne, Kr, Xe 등의 가스를 2종 이상 혼합하여 봉입 2) 봉입 가스압이 높으면 수명이 길고, 시동전압이 높으며, 휘도가 낮아 진다. 3) 봉입 가스압이

  리포트 | 26페이지 | 28,000원 | 등록일 2004.06.09

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  헥셔올린무역이론과 신고전파 무역이론

  재화의 상대가격 (Px/Py)요소집약도 (K/L)X재Y재(Px/Py)(Px/Py)w(Px/Py)*(w/r)*(w/r)(w/r)E(K/L)X(K/L)X*(K/L)Y(K/L)YE(K/L)XE ... 요소집약도Ox,OyOy*OyG*GF*FYXA`ABB`외국본국O생산가능곡선효율적 생산곡선생산가능곡선 재화의 상대가격의 차이(1) 요소부존도(2) 생산가능곡선(Px/Py)BAYXO(Px/Py)*SIC본국외국요소집약도

  리포트 | 33페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.05.07

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  시스템프로그래밍

  따라서 SIC/XE에는 메로리를 전혀 참조하지 않는 명령들이 있을 수 있다는 것이다.은 SIC/XE에서 이용될 수 있는 명령형식을 나타내고 있다.의 형식3과 형식4에 있는 플래그 비트 ... 주소모드에 있어 하나의 변화를 일으키게 된다.2) 레지스터SIC/XE에는 다음 와 같은 레지스터들이 추가된다. ... 호환성을 갖고 있다.1) 메모리SIC/XE의 메모리구조는 전에 설명한 SIC의 구조와 같으나 최대 이용가능한 메모리 용량은 1MB(220 bytes)로서 이러한 증가는 명령형식과

  리포트 | 31페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.08.30

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  [컴퓨터공학, 전자공학] SIC assembler 구현 (in C)

  ◎ 사용된 알고리즘 -> pass1, pass2 의 알고리즘은 책에 나와 있는 걸 이용하였다. 특이사항은 한줄씩 fetch 를 할때 그 instruction 을 하나의 구조체에 저장을 한다음에 LABEL OPCODE OPERAND 로 분리해서 (p..

  리포트 | 5페이지 | 9,900원 | 등록일 2004.06.25 | 수정일 2015.05.02

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  나노입자 제조방법

  대해 살펴보고자 한다.1) 증발-응축법에 의한 나노입자 제조법통상의 진공 증착과 달리 진공 배기한 후 용기내의 압력을 0.01∼수백 torr의 범위 내에 설정한 후 He, Ar, Xe ... 가스와 고에너지/고밀도 레이저에 의해 형성된 플라즈마 내에 precursor/carrier가스를 통과시켜 나노크기의 Si3N4, SiC 등의 산화물, 질화물, 붕화물 분말들을 제조하였으며

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.31

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  [무기화학] 무기화학 문제 풀이 2장

  NH3 ＞ CCl4 ＞ CH4b) Xe, NaCl, NO, CaO, BrF, Al2O3, SiF4.Al2O3 ＞ CaO ＞ NaCl ＞ BrF ＞ SiF4 ＞ Xe ＞ NO☆ 결합과 ... (힌트 :관련된 상호작용의 형태에 의하여 화합물들을 우선 분류하여라.a) LiF, LiBr, CCl4, NH3, CH4, SiC, CsISiC ＞ LiF ＞ CsI ＞ LiBr ＞

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.20

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  간단한 어셈블리어 프로그램

  1. 1에서부터 100까지의 합2. 1에서부터 100까지의 짝수의 합3. 임의의 두 수를 입력받아 그 사이의 합4. 임의의 두 수를 입력받아 그 사이의 짝수의 합

  리포트 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2000.09.19

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  [나노기술] 나노의 특성과 공정

  제조법으로 각광을 받고 있다.① 증발-응축법에 의한 나노분말 제조통상의 진공증착과 달리 진공 배기한 후 용기내의 압력을 0.01∼수백 torr의 범위 내에 설정한 후 He, Ar, Xe ... 제조기상합성법에 의한 나노입자 제조 원리는 CVD 공정의 precursor/carrier가스의 반응에 의한 금속 및 세라믹 박막 형성 공정을 응용한 것으로 19켜 나노크기의 Si3N4, SiC

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.15

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