Cu(In, Ga)Se2 (CIGS) precursor films were electrodeposited on Mo/glass substrates in acidic solutions containingCu2+, In3+, Ga3+, and Se4+ ions at −0..
Vanadium dioxide (VO2) is an attractive material for smart window applications where the transmittance of light can be automatically modulated from a..
Thin films of Eu(TTA)3(phen), which was known to show red-light emitting properties, were deposited under various deposition condition. The thickness..
이처럼 박막재료는 고도첨단기술을 담당하는 기본적 기술의 하나로서 이후에도 이 기술의 중요성이 한층 더 심화되고 있다. 2-1) 진공증착증착증착된 박막을 얻는 방법은 1857년에 ... 증착이 완료되면/A> ... 유리하면, 증착속도는 filament에 공급하는 전류량을 조절함으로써 변화시킬 수 있다. ② Electron beam evaporation 전자 beam을 이용한 증착방법은 증착재료의
넓은 도포 면적은 박막을 증착시키는 다른 방법에 대해 정전 분무 증착법이 부각되는 이유이다. ... 이 증착법의 목적은 응용할 수 있는 분야가 굉장히 많은 수 ㎛ 이하를 가진 두께의 박막을 증착하기 위함이다. ... 이 외에도 박막을 증착시키는 방법은 위에서 설명한 정전 분무 증착법, 전기 화학 증착법 등의 여러 가지 방법이 있으며 각각의 장점과 단점을 이용하여 박막을 제조하는데 있어 여러 가지
저압 화학 기상증착법으로 제작한 비정질 실리콘의 표면 형태 및 결정 성장 과정을 증착조건과 열처리 조건의 변화에 따라 조사하였다. ... 같은 증착 온도에서 두께가 두꺼울수록 다결정에서 비정질로 변화하였다. ... 비정질에서 결정으로 변화하는 전이온도인 570~590˚C에서 증착한 시편은 (311)조직의 거친 표면으로 성장하였다.
Cu(hfac)2-Ar계의 경우Cu(hfac)2 프리커서 자체의 열분해로부터 모든 공정조건에서 증착박막내로의 탄소 출입이 관찰되었다. ... Cu(hfac)2,(Cu(II) hexafluoroacetylacetonate)를 프리커서로 하는 구리 화학증착에 대해 자유에너지 최소화법으로 열역학적 평형조성 계산을 수행하였다. ... Cu(hfac)2-H2,계에서는 Cu(hfac)2-Ar계보다 낮은 온도에서 구리박막이 증착되며, H2입력비 및 반응온도의 증가에 따라 응축상의 석출형태는 C(s)+CuF(s)로부터
마그네트론 스퍼터로 알루미나 기판위에 SnO2박막을 증착하여 증착온도, rf 전력, 공정기체 중 산소분율(O2/Ar)등 공정변수에 따른 박막의 미세구조와 가스검지 특성을 조사하였다. ... 증착된 박막의 미세구조는 결정성이 없는 비정질 구조(A), 비정질 기지 중에 결정이 분산된 구조(A=P), 방향성이 거의 없는 다결정 구조(P), 미세 기둥구조(FC), 조대한 기둥구조
이때 SiCl4가스에서 분해된 Si의 원자들은 모재인 강판 표면에 증착되어 표면층에 Si가 풍부한 층을 형성한다. ... 본 실험에서는 화학기상증착 (Chemical Vapor Deposition)으로 6.5wt%Si 강판을 만들었다 이 과정은 튜브 노내에서 실리콘의 함량이 낮은 Si강판에 SiCl4가스를
동과 동을 저온에서 단시간내에 접합시키는 가능성을 검토하기 위해서 직류 자기 스퍼터링을 이용한 코팅한 주석 및 주석-잡 합금층을 중간층으로 사용하였다. 접합은 대기중 200-350˚C의 온도에서 수행되었고 접합온도에 도달직후 바로 냉각하였다. 접합 계면에는 액상의 주석..
In this study, modified catalytic chemical vapor deposition (CCVD) method was applied to control the CNTs (carbon nanotubes) growth. Since titanium (..
실험 결과 및 도표정리 (1) GZO 증착시간에 따른 두께와 면저항 증착시간 면저항( kΩ/□ ) 두께(nm) 3min 751.2 20 5min 241.9 30 7min 150.9 ... 비저항은 전기전도도와 반비례 관계로 GZO의 증착이 많이 될수록 전도도가 좋아짐을 알 수 있다. (2) GZO 증착시간에 따른 투과율 그래프 5가지 샘플 모두 동일한 300~850nm의 ... 45 10min 26.59 65 GZO의 증착시간이 증가할수록 면저항이 줄어든다.