Porous metallic glass compact (PMGC) are developed by electro-discharge sintering (EDS) process of gas atomized Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10Be22.5 metallic..
금속이 도핑 된 산화아연 클러스터는 FE-SEM, XRD, Raman, PSA로 특성을 확인하였다. ... 금속이 도핑 된 산화아연 나노클러스터를 합성하기 위해 마이크로웨이브를 이용한 폴리올 공 정은 빠르고 경제적인 합성 방법이다. ... 본 연구에서는 금속이 도핑 된 산화아연 나노클러 스터를 합성하기 위해서 첨가되는 seed의 부피비를 다르게 하여 얻었으며, 전구체로는 아세트산 아연 2 수화물, 도핑 금속은 아세트산
Si웨이퍼를 준비하는 단계 그리고 그 Si웨이퍼를 이용하여 산화공정을 하는 것이다. ... 과목명 마이크로팹 설계 실험 성명 / 조 박 준 영 / 4조 실험제목 Wafer Cleaning 공정산화 시간에 따른 SiO₂산화층 두께 비교 실험목적 1. ... 요구됨, 전체 공정의 20% 차지 ● 특히 고온 공정에서 중요함 ■ 방법 - 질소건 블로잉 - 먼지 제거 1.
The effect of NaOH concentration on the properties of electrolytic plasma processing (EPP) coating formed on AZ61A Mg alloy is studied. Various types..
La doped CuO-ZnO-Al2O3 powders are prepared by sol-gel method with aluminum isopropoxide and primarydistilled water as precursor and solvent. In this..
반복적인 산화-HF 식각-XCI 세정공정을 통해 생성된 CZ기판 표면의 결함은 크기가 0.7</TEX>μm 이하의 pit과 같은 형상을 보여주었다. ... 이 연구에서는 SCI 세정이 CZ(Czochralski)와 에피 실리콘 기판 표면에 미치는 영향을 단순세정과 연속적인 산화-HF 식각-SCI 세정공정을 통해 관찰되었다. ... 그러나 CZ와 에피 기판을 10분간 SCI 세정후 900˚C에서 산화 HF식각공정을 4번까지 반복하였을 때 에피 기판 표면의 결함수는 감소하는 반면에 CZ기판에서는 직선적으로 증가하였다
서브마이크론 설계규칙을 갖는 소자의 이층 배선 공정에서 다챔버 장비를 이용한 금속 층간절연막의 공극없는 평탄화를 위하여 PECVD와 O3 ThCVD산화막의 증착시 층덮힘성을 연구하였다 ... O3 ThCVD산화막의 etchback이 non etchback공정에 비하여 via접쪽저항체인에서 높은 수율을 보였으며, via접촉저항은 0.1~0.3Ω/μm2로 나타났다. ... 공극없는 평탄화는 제1층의 PECVD 산화막의 순간 단차비를 0.8이하로 유지하거나 Ar sputter식각을 통하여 산화막의 모서리에 경사를 준후 층덮힘성이 우수한 O3 ThCVD산화막을
본 연구에서는 정수처리용 세라믹 한외여과 빛 광촉매의 혼성공정에서 휴믹산 농도 및 광산화, 흡착의 영향을 알아보았다. ... 광산화와 흡착의 영향 실험에서 UF + TiO2 + UV 공정의 J가 가장 높게 유지되어, 180분 운전 후 VΤ가 가장 높았다. ... 휴믹산 농도 각각 2mg/L와 4 mg/L 일 때 UF 단독 공정 및 광촉매를 투입한 공정, UV를 조사한 공정을 막오염에 의한 저항(Rf) 및 투과선속(J), 총여과부피 (VΤ)
Oxide semiconductors Thin-film transistors are an exemplified one owing to its excellent ambient stability and optical transparency. In particular zi..
The GaN-powder scrap generated in the manufacturing process of LED contains significant amounts of gallium. This waste can be an important resource f..
The alumina nano powders synthesized by levitational gas condensation (LGC) method were applied to catalyst in manufacturing process of Hanzsch react..
제목 : 산화공정 (Oxidation) 목적 : 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 ... 성장시키는 산화기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다. ... 산화공정을 통해 반도체의 기본과정과, 실리콘의 용도에 대해서 좀 더 자세히 알 수 있었다. MOS에 대한 뜻도 알게 되었다.
