"PRAM 공정" 검색결과 21-40 / 55건

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  Chalcogenide-based memory application(칼코지나이드)

  현재 15~20% 정도의 높은 효율을 나타내는 통상적인 CIS 혹은 CIGS 박막은 다소 복잡한 공정인 동시증발 방법으로 제작되고 있다. ... PRAM은 칼코지나이드 합금에 대한 전류나 전압 인가에 의해 발생하는 Joule heating에 의해 결정(낮은 전기저항) 및 비정질(높은 전기저항) 간의 가역적인 상변화가 일어나는데 ... 10 IT 응용 금속, 반도체 및 산화물 양자점 나노소재 기술 / 조윌렴 / 2006 / p3-4 화합물 박막 태양전지 / 윤재호 / 물리학과 첨단기술 / 2008 / p20-24 PRAM

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.10.13

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  비휘발성 차세대 메모리에 대해 조사

  문제를 해결할 수는 있으나 공정이 복잡해지고 어려워지기 때문에 양산성에 장애가 되고 있다. ... 이를 바탕으로 나노 사이즈의 상변화 소자에 대한 열적, 기계적, 전기적 특성 분석과 CMOS 반도체 공정 기술의 접목을 통해 대용량 초고집적 메모리를 개발해 나가야 할 것 이다. ... PRAM (Phase Change RAM : 상변화램) PRAM은 물질의 상변화에 따른 저항의 차이를 이용하는 메모리이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.08

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  기존 PRAM의 문제점 해결방안

  전체적인 Sputtering system은 기저압력을 5x10-6Torr를 얻었으며 박막의 증착은 Ar가스를 이용하여 공정압력 10m Torr에서 실시하였다4point probe method를 ... 서론GeSbTe 합금을 상변화 물질로 사용하는 PRAM은 다른 비휘발성 메모리에 비해 Cell 구조가 간단하고 비교적 빠른 읽기/쓰기 동작속도를 갖는다. ... PRAM의 문제점을 해결하기 위한 재료, 구조적 특성 등의 변화를 준 논문을 검색하고, 그 논문에 대한 분석을 하시오.상변화 메모리의 기억 재료인 붕소가 주입된 Ge2Sb5Te5의

  리포트 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2007.10.08 | 수정일 2018.11.24

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  [전공면접] 삼성전자 하이닉스 취업, PT면접대비 반도체 정리 자료

  공정 8대공정은? ... 차세대 RAM - PRAM GST의 비정질, 결정질 차이로 데이터 저장 GST는 전류의 크기에 따라 비정질, 결정질이 바뀌고 저항이 바뀐다. ... 사용 습식 - 용해할 수 있는 액체로 함, 여러 제품을 동시에 처리, 단면방향 부식이 있음 (미세공정에 안좋다.)

  자기소개서 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.05.19 | 수정일 2017.10.10

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  삼성전자 합격 자소서+2016하반기 삼성전자 면접+삼성고용디딤돌

  반도체 산업과 공정장비 그리고 관련 기술들을 직접 배우며 체계적인 교육을 받고 싶습니다. ... 기판 패턴 예측 +) PECVD관련 문제 , PRAM(phase change ram) 관련 문제, 에너지밴드 관련 문제 > 창의성 - 엄마들이 애기들을 사진에 담아 두고 싶어하는데 ... 2) 웨이퍼의 크기(size)가 점점 커지고 있다에 관련된 질문 3) STI 공정 중에 oxidation층의 step coverage 문제점과 해결법 2.

  자기소개서 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.11.20 | 수정일 2016.11.25

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  차세대 메모리

  구조 및 제조공정이 기존의 DRAM과 유사하기 때문에 제조비용이 상대적으로 저렴하다. 저전력으로 동작한다. ... 현재 삼성전자가 세계 최초로 4M FRAM을 개발. = FRAM에 사용되는 주요 재료로서 PZT 막은 대부분 Sol-Gel 이라는 간단한 제조공정을 사용하여 입히고 있다. ... 플라즈마 화학기상증착(PECVD: Plasma Enhanced CVD), 단원자층 화학기상증착(ALCVD: Atomic Layer Chemical Vapor Deposition)등의 공정을

  리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.27

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  Programmable Metallization Cell memory, pmcm메모리

  PoRAM은 단순한 1R 구조로써 제조공정이 단순하고 기존 C-MOSFET 공정과 접합이 간단하여 다른 차세대 비휘발성 메모리소자인 PRAM, NFGM, PoRAM에 비해 초기 feature ... 그림4는 PRAM 소자에서 상변환이 일어나는 부분의 기본적인 구조이다. (3) PRAM의 핵심기술 개발방향 테라비트급 PRAM 개발에 있어 소자구조 측면의 개발해야 할 과제는 첫째로 ... 대표적tention 및 공정의 안정성이 확보되어야 한다.

  리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18

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  램 ( DRAM, FeRAM, PRAM, MRAM )

  PRAM PRAM 기술은 기존의 CMOS 공정을 사용하면서 새로운 층(Chalcogenide material)을 덧붙여 thin-film memory를 만든다. ... 위 그림은 PRAM의 단위 셀 구조를 나타내고 있다. PRAM의 메모리 셀은 1Tr-1Resistor의 구조를 가지게 된다. ... 아직 DRAM의 집적도와는 큰 차이가 있으나, DRAM과 거의 같은 구조와 제조공정으로 만들어 지므로 집적도가 향상되는데는 긴 시간이 걸리지 않을 것으로 예상된다. { 위 그림은 캐퍼시터형

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.22

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  유비쿼터스용 차세대 메모리 기술 (MRAM, FeRAM, PRAM)

  획득하고 Ovonyx사와 공동으로 연구개발팀을 만들어 PRAM 기술의 실용화에 착수했다. 2004년 6월에 열린 VLSI 심포지엄에 0.18㎛ CMOS 공정을 이용하여 칩면적이 0.32 ... ㎛2을 가진 8Mbit PRAM을 발표했다. ... 유비쿼터스용 유니버설 메모리 기술 (MRAM, FeRAM, PRAM) I.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.10.15

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  차세대 비휘발성 메모리

  마스크롬(MASK ROM) 제조공정시에 고객이 원하는 정보를 저장함으로써 모니터등 OA기기의 문자정보 저장용과 전자게임의 S/W저장용, 전자악기, 전자사전 등으로 널리 이용되고 있다 ... 현재 FRAM을 메모리로 사용하는데 DRAM공정과 설계기술, 그리고 재료개발기술에 필적할 정도가 아니기 때문에 주로 IC카드와 같은 내장형 기초소자에 응용하기 위한 연구개발이 주종을 ... PRAM은 차세대 메모리 반도체 중에 가장 큰 용량의 제품이 개발되어있는데, 삼성전자가 64Mb제품을 세계최초로 개발한데 이어 세계최대 용량의 256Mb P램을 개발해 내 PRAM

  리포트 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2009.07.18 | 수정일 2018.11.24

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  비휘발성 메모리

  PRAM PRAM은 이전 정보를 기억하는 메모리 셀이 phase-change 층과 resistor 및 스위치 트랜지스터로 구성된다. ... 따라서 기존에는 메모리 셀을 만들고 금속 배선을 이었는데, MRAM의 공정은 금속 배선을 만들고 그 위에 메모리 셀을 얹는 상당히 다른 공정 방식을 취하게 된다. ... 두 번째 구조는 왼쪽 아래 (그림)과 같이 PRAM과 비슷한 구조를 가지나 PRAM이 상변화를 위해 높은 전류를 요구하는 것에 반해 항상 비정질 구조를 유지하면서 Ovonic switch의

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.10.25

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  p-ram

  그러므로 공정 조성을 갖는 Te기반 합금은 액상 상태의 원자배열을 유지하면서 고체화되려는 경향이 있다. ... (eutectic point)에서 떨어지기 때문에, 공정 조성에서 액상의 점도(viscosity)가 매우 높아지게 된다. ... (Phase change RAM),(3.2) .PRAM Basic Operation(3.3) PRAM (Writing)(3.4) PRAM READ(3.5) Key Technology

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.09.28

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  SRAM과 DRAM의 공통점, 차이점 분석

  미세 공정에서 capacitance를 더욱 높이기 위해 현재는 그림과 같은 기하학적인 구조를 사용하고 있다. ... Volatile memory에는 SRAM, DRAM, PSRAM 등이 있고, Non-volatile memory는 Mask ROM, EPROM, EEPROM, FLASH Memory, PRAM

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.18

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  [공학]차세대 비휘발성 메모리 소자.

  과제로는 최소 contact 사이즈가 20 nm급인 테라비트급 공정기술 개발이다. ... 1년차 후 차세대 신성장동력사업 반도체 분야로 이관되어 "Giga급 상용 Mobile PRAM 기술개발" 과제로 진행되어 지고 있다.PRAM(1) PRAM의 개요표 2에서 알 수 ... 상변화 재료를 사용하여 64 Mb PRAM 개발에 성공하였음을 2004년에 보고를 하였다.(2) PRAM의 핵심기술 개발방향테라비트급 PRAM 개발에 있어 소자구조 측면의 개발해야할

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.28

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  차세대 비휘발성 메모리

  증착공정설비 등의, 새로운 집적화 공정기술, HNB(High Density Neutral Beam Deposition) 와 ALD(Atomic Layer Deposition)같은 ... 둘째로 소자구조 및 공정 측면에서 해결해야 할 과제는 최적 IR 소자구조 및 다중비트 PoRAM 소자구조 개발이 필요하고 O2 Plasma 나노 dot 제조공정 및 multi-chamber ... 서 론기술 동향FeRAM(Ferroelectric RAM: 강유전체 램)MRAM(Magnetic RAM: 강자성 램)PRAM(Phase Change RAM: 상변화 램)PoRAM(Polymer

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.20

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  PRAM(Phase change RAM)의 동작원리와 개발동향

  상변화에 의한 저항 변화를 메모리로 응용 가능하다고 세계 최초로 보고• ECD-Ovonics사의 자회사 형태의 성격 • 2004년 6월에 열린VLSI 심포지엄에 0.18μm CMOS 공정을 ... Phase Change Random Access Memory (PRAM)◆ 목 차Ⅰ. PRAM의 개발 필요성 Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 Ⅲ. ... 타 Memory와 PRAM의 특성 비교 Ⅳ. PRAM의 개발동향 Ⅴ. 결 론 Ⅵ. 참고 자료Ⅰ.

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.30 | 수정일 2021.08.12

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  칼코지나이드

  PRAM은 칼코지나이드 합금에 대한 전류나 전압 인가에 의해 발생하는 Joule heating에 의해 결정(낮은 전기저항) 및 비정질(높은 전기저항) 간의 가역적인 상변화가 일어나는데 ... 열처리 과정이 필연적으로 수반되어 낮은 온도공정이 필요한 플렉시블 기판의 장점을 저감시킬 수 있어 다른 대안소재를 필요로 하고 있다. ... 현재 15~20% 정도의 높은 효율을 나타내는 통상적인 CIS 혹은 CIGS 박막은 다소 복잡한 공정인 동시증발 방법으로 제작되고 있다.

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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  RRAM 페로브스카이트 동작원리 Resistance Random Access Memory

  최근 ITRS roadmap에 따르면,차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM (phase change RAM), NFGM (nano floating gate memory ... 세 번째는 chalcogenide물질로 PRAM처럼 높은 전류를 흘려 상변화를 시키지 않고 비정질 구조를 유지하면서 Ovonic switching의 문턱 전압의 변화로 인한 저항 차이를 ... 또한 이러한 방대한 양의 정보를 저장하고 다시 사용하기 위한 저장장치의 생산능력은 경이로울 정도로 발전해 왔고 이에 따른 제품의 소형화 및 초고집적화가 이루어짐에 따라 박막 제조 공정

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.31

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  차세대 반도체 정보기억장치

  PRAM 개발에 선도적인 역할을 하고 있는 미국의Ovonyx사에 따르면 현재의 CMOS 제조공정상에 사용되는 장비를 별다른 개조 없이 PRAM의 제조에도 사용할 수 있다고 한다.상변화를 ... MRAM의 상용화를 가로막는 가장 큰 난제는 TMR 소자의 제작이다.특히 DRAM과 같이 커패시터의 정전용량과 트랜지스터로 구성된 것이 아니라 TMR 소자로의 형태 변화에 따른 공정상의 ... (MRAM:58건, PRAM:94건).

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.10.29

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  ReRam,RRAM,저항메모리 기능과메카니즘

  하지만, 앞에서 언급한 FeRAM, MRAM, PRAM에 비해 아직은 연구개발 단계로서 상용화에 이루어지는 재료개발부터 해결해야 할 문제가 많다. ... 최근 1TRS에 따르면 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM, NFGM, ReRAm, PoRAM, MRAM 분자전자 소자등이 있다. 2. ReRAM이란? ... 기존의 DRAM 공정은 1-TR/1Capacitor 구조의 간위 Cell을 이루고 있는데 소자의 크기가 작아짐에 따라 Capacitor 공정의 난이도가 점점 더 올라가게 되어 높은

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.03.07

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