"nfgm" 검색결과 1-20 / 21건

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  nfgm 발표자료

  NFGM NFGM 기술 Nano Floating Gate Memory 기술적으로 Flash Memory 터널링 효과 셀소자의 크기를 줄이는 기술 Multi-Level, Multi-bit ... SONOS형 메모리보다 전하저장소제어▲ Coulomb blockade가 효과 고집적/고성능 NFGM FinFET 이/삼중 게이트구조 국가/기관별 NFGM 결론 2010년 45nm ... NOR, Page read 60 이하 Nano Size Flash Memory Updatable Nonvolatile High Density Memory Size NFGM 주요특징

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.09

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  NFGM(Nano-Floating Gate Memory) 동작원리

  표 1은 각 국가/기관별로 발표한 NFGM에 대한주요 특징을 보이고 있다. ... 이러한 메모리 소자를 NFGM(Nano-Floatillg Gate Memory)이라한다. 2. ... NFGM의 동작에는 장점도 단점도 될 수 있는 Coulomb blockade가 효과가 있다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.31

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  NFGM(Nano-Floating Gate Memory)기술 및 연구동향

  본 NFGM 기술소개에서는 NFGM의 특징 및 주요 형성방법, 그리고 메모리를 고집적화 하는데 필요한 소자 구조로서 이중/삼중 게이트 구조 및 연구동향에 대해 살펴본다. 2. ... NFGM(Nano-Floating Gate Memory)기술 및 연구동향 1. ... 이러한 메모리 소자를 NFGM(nano-floating gate memory)이라 한다.

  리포트 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2007.10.08 | 수정일 2018.11.24

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  안정대륙권역의 중규모지진에 의한 근단층지반운동의 모델링 (Modeling of Near Fault Ground Motion due to Moderate Magnitude Earthquakes in Stable Continental Regions)

  이 관계식들로부터 안정대륙권역에서의 NFGM의 속도 펄스의 주기와 진폭을 지진규모 및 단층 거리에 대한 관계식으로 유도하였다. ... 안정대륙권역에서의 NFGM의 가속도 시간이력은 추계학적으로 생성된 원역지진지반가속도에 새로운 관계식에 의한 속도 펄스를 중첩하여 얻어진다. ... 이 논문에서는 안정대륙권역(Stable Continental Regions, SCRs)에서의 중규모 지진에 의한 근단층지반운동(Near Fault Ground Motion, NFGM

  논문 | 11페이지 | 4,200원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  비휘발성 차세대 메모리에 대해 조사

  NFGM (Nano Floating Gate Memory : 나노튜브램) NFGM은 기존의 Flash 메모리의 셀 크기를 축소하고 저전력화 할 수 있는 구조로서 storage node에 ... 이러한 문제점을 해결하기 위해 플로팅 게이트를 나노입자로 형성하는 것이 NFGM 소자이다. ... 특히, 전 세계적인 나노 클러스터 제어기술에 대 한 연구 개발에 힘입어 최근 초고집적 NFGM 개발은 급속히 진행되고 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.08

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  [Ayeun] 마이크로프로세서응용 2주차 예비보고서 마프(cpu,메모리,명령어구조,MPU,MCU,ATmega128)

  나노플로팅게이트메모리(NFGM, Nano Floating Gate Memory) 기존 플래시 메모리의 플로팅 게이트를 나노 크기의 dot으로 바꾼 메모리로, 플로팅 게이트에 저장되는

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.12.22

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  RAM(Random Access Memory)에 대한 모든 자료 입니다.(RAM의 의미, 종류와 특징, 향후 개발 방향 등)

  RAM의 종류와 특징 ··········· 2 ~ 11 page DRAM 2 SRAM 3 FeRAM 5 MRAM 6 PRAM 7 NFGM

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.01.03

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  비휘발성 메모리

  Report 비휘발성 메모리 1. 이상적인 비휘발성 메모리 최근 정보통신 산업의 눈부신 발전으로 인하여 각종 메모리 디바이스의 수요가 급증하고 있다. 현재 메모리는 크게 두 종류가 있는데 하나는 휘발성 메모리이고, 다른 하나는 비휘발성 메모리로 분류된다. 휘발성 메모..

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.10.25

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  [공학]차세대 비휘발성 메모리 소자.

  [그림] 일반적으로 알려진 NFGM의 구조 현재까지 NFGM의 나노 사이즈의 결정 dot 재료로서는 실리콘, Au, Co, W 등이 사용되고 있으며, 특히 모토롤라사는2003년 IEDM에서 ... 나노 크기의 결정 dot들을플로팅 게이트로 사용한 NFGM은 소자의 write 및 erase전압을 3 ~ 4 V로, tunneling 산화막의 두께도 6 nm 이하까지 낮출 수 있어 ... 개발이 보고된바 있다. (2) NFGM의 핵심기술 개발 방향 테라비트급 PRAM 개발에 있어 재료측면의 개발해야 하는과제는 첫째로, 플로팅 게이트로써 나노 dot 크기가 균일하고

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.28

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  Programmable Metallization Cell memory, pmcm메모리

  또한, NFGM 플로팅 게이트의 폭이 65nm 이하일 때 요구되는 tunnel oxide의 EOT(equivalent oxide ness)가 6nm 이하로써, 이를 극복할 high-k ... PoRAM은 단순한 1R 구조로써 제조공정이 단순하고 기존 C-MOSFET 공정과 접합이 간단하여 다른 차세대 비휘발성 메모리소자인 PRAM, NFGM, PoRAM에 비해 초기 feature

  리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18

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  차세대 비휘발성 메모리

  NFGM (Nano Floating Gate Memory) (1) NFGM의 개요 기존 플래쉬 메모리의 플로팅 게이트가 폴리 실리콘으로 만들어져 플로팅게이트의 폭이 40 nm이하로 ... 새로운 차세대 메모리인 MRAM, PRAM, PoRAM, NFGM 등은 전력, 데이터 유지 및 쓰기/읽기 특성이 기존 플래시 메모리에 비해 아주 우수하다. ... Ferroelectric RAM: 강유전체 램) MRAM(Magnetic RAM: 강자성 램) PRAM(Phase Change RAM: 상변화 램) PoRAM(Polymer RAM: 폴리머 램) NFGM

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.20

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  자기저항 , 스핀전달토크에 의한 자화반전 및 세차운동의 원리 및 소자응용 가능성, Runge-Kutta 방식, LLG식.

  parkin Photolithographic method와 electron beam lithographic method을 이용하여 상온에서 15%-22%의 TMangeRAM), NFGM

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.03.17

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  PORAM(Polymer RAM) 의 동작 특성 및 특징

  차세대 비휘발성 메모리 - PRAM, NFGM, ReRAM : C-MOSFET공정과 접합이 용이 PoRAM : 1 R구조로 제조 공정 단순 - 동작속도 : PRAM ReRAM NFGM ... ,가전분야에서 이상적인 메모리로 주목 종류 - PRAM ( Phase Change RAM) - PoRAM (Polymer RAM) - ReRAM (Resistance RAM) - NFGM

  리포트 | 41페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.01 | 수정일 2021.08.12

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  ReRAM(Resistive Random Access Memory)의 동작 특성 및 개발 현황

  Low Low Low High High Low Low Program power Yes Yes Yes Yes Yes Yes No No Non-volatility ReRAM PoRAM NFGM ... 2004 Availability MIM Engineered tunnel barrier or nanocrystal OUM NOR Flash DRAM Device Types ReRAM NFGM

  리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.01 | 수정일 2021.08.12

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  메모리반도체소자

  Nano Floating Gate Memory(NFGM) (1)NFGM의 개요 기존 플래쉬 메모리의 플로팅 게이트가 폴리 실리콘으로ntime이 1년 이하인 문제점을 가지고 있다.

  리포트 | 37페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.04

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  RRAM 페로브스카이트 동작원리 Resistance Random Access Memory

  최근 ITRS roadmap에 따르면,차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM (phase change RAM), NFGM (nano floating gate memory

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.31

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  ReRam,RRAM,저항메모리 기능과메카니즘

  최근 1TRS에 따르면 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM, NFGM, ReRAm, PoRAM, MRAM 분자전자 소자등이 있다. 2. ReRAM이란?

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.03.07

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  메모리 반도체 소자의 분류와 특성, 경향

  현재 비휘발성 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM(Phase Change RAM), NFGM(Nano Floating Gate Memory), ReRAM(Resistance

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.24

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  차세대 메모리

  Report 비휘발성 메모리 학과 : 물리학과 이름 : 학번 : 1. 이상적인 비휘발성 메모리 최근 정보통신 산업의 눈부신 발전으로 인하여 각종 메모리 디바이스의 수요가 급증하고 있다. 현재 메모리는 크게 두 종류가 있는데 하나는 휘발성 메모리이고, 다른 하나는 비휘..

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.06.15

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  [전자재료] 고분자 메모리

  DRAM의 낮은 소비전력, 고집적성 - SRAM의 높은 처리 속도 - FLASH Memory의 비휘발성 (3) 차세대 RAM 후보 - PRAM(Phase-change RAM) - NFGM

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.04.01

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