Thin-film shape technology is recognized for its core technology to enhance the technology of LCD, PDP, semiconductor manufacturing processes, hard d..
Thin-film shape technology is recognized for its core technology to enhance the technology of LCD, PDP, semiconductor manufacturing processes, hard d..
Thin-film shape technology is recognized for its core technology to enhance the technology of LCD, PDP, semiconductor manufacturing processes, hard d..
The effects of electron beam(EB) irradiation on the electrical and optical properties of InGaZnO(IGZO) thin films fabricated using a sol-gel process ..
The effect of electron beam (EB) irradiation on the electrical properties of Zn-Sn-O (ZTO) thin films fabricated using a sol-gel process was investig..
실험 결과 레이저와 거리 최대 빔크기 93.25% 빔 크기 93.25% 빔 직경 6.75% 빔 크기 6.75% 빔 직경 빔 직경 D 200 mm 3.30 mW 3.07 mW 10.04 ... 레이저의 빔질 측정 1. ... 실험 목적 1) 빔 전파특성에 대해 이해한다. 2) Knife edge 방식의 빔질 측정법을 이해한다. 3) Oscilloscope의 상승시간 측정법을 이해하고, 이를 이용해 빔 크기를
실험 제목 전자빔 운동 Thomson Tube 보고서 작성자 이름 학과 (과목 명) 조 3 [1] 실험목표 • Investigate the deflection of an electron ... 전원의 UA를 증가시켜가며 전자빔이 직선이 될 때, multimeter에 나타난 자기장과 전기장의 크기를 비교한다. 실험(2) 실험(1)의 세팅에서 UA를 3kV로 유지시킨다. ... 전자빔이 직선이 되는 자기장의 변화의 따른 전기장의 크기를 구한다. [3] 실험값 실험(1) - UA를 증가시키며 전기장(UP)과 자기장(IH)의 크기 측정 B = k ⋅ IH 에서
하는 금속을 진공 속에서 기화시켜 방해물 없이 기판에 증착하는 방법 (Deposition ( 증착 ) 이란 웨이퍼 위에 얇은 박막을 덮는 것을 의미 ) PVD PVD 열 증발법 전자빔 ... 및 액상의 증발 사료 ( 재료 ) 를 기상으로 증발 , 증발된 사료는 기판으로 이동하여 응축과정을 거쳐 증착 ( 주로 단원소 물질 ) (Thermal evaporator) 의미 전자빔 ... 증발법 증발금속을 이온화 하여 , 양자 간의 고전압을 이용 한 진공 증착법 , 열 대신 전자를 이용하여 증착 (E-beam evaporator) 의미 고체 / 액체상의 증발될 사료
이루어지도록 한다 . 2 E Beam Evaporator 특징 5 E Beam Evaporator 특징 E-beam evaporator E-beam gun 를 이용하여 electron 빔을 ... target 물질에 금속에 강하게 충돌시켜 증발시키는 것 target 물질에서 증발된 금속이 substrate 에 부착되는 것 Electron beam evaporator 을 더욱 강한 빔을
본 연구에서는 소수성 표면의 막을 친수화시키는 방법으로 기존의 방법(브렌딩, 화학적처리 및 post-irradiation에 의한 광조사법)의 단점을 극복하기 위해 주고분자에 전자빔을 ... 본 연구 제조공정은 4부분으로 구성되며 첫째로 주고분자를 전자빔을 이용하여 수증기 및 공기조건하에서 전조사함으로써 친수기를 도입하는 전구체의 제조공정, 이를 이용하여 도프을 제조하는 ... 이를 수행하기 위해 소수성 고분자인 polyvinylidene f1uoride (PVDF)를 75~125 K Gray 범위 선량의 전자빔 (electron beam, EB) 조사하여
복숭아혹진딧물 약충에 전자빔과 X-ray 조사 시, 전자빔의 경우에는 100 Gy, X-ray의 경우에는 30 Gy에서 우화성충의 산자가 완전히 억제되었다. ... 점박이응애의 알에서는 전자빔 150 Gy와 X-ray 50 Gy 선량에서 알의 부화가 완전히 억제되었다. ... 복숭아혹진딧물 성충의 경우 200 Gy (전자빔)와 50 Gy (X-ray)에서 각각 F1 세대 약충의 우화가 억제되었다.
Ba(Ti,Sn)O3 thin films, for use as dielectrics for MLCCs, were grown from Sn doped BaTiO3 sourcesby e-beam evaporation. The crystalline phase, micros..