제목 : Ms 트랜지스터의 구성요소로 적합한 반도체 재료 설계 - 서론 [이론적 측면] 1. Mos 트랜지스터란? ... 이러할 경우 작은 에너지를 가하더라도 반도체의 자유전자가 CB영역까지 도달하기 때문에 예민하다는 장점을 지닌다. ... 게르마늄은 반도체의 역방향, 순방향 전자, 전공 흐름에 있어서는 반응성이 매우 작아서 순도가 높기에 진성반도체로 많이 사용하며 트랜지스터 작용을 이용하여 증폭 ·변조등에 주로 이용
열이 많이 나는 고집적화된 MOS는 특별히 기판을 사파이어 보석을 사용하므로, SOS(silicon on sapphire) MOS 라고 부른다. ... 이와 같이 게이트 전압의 상태에 따라 채널의 전류가 변하므로 증폭작용이 일어난다. * MOS의 구조 그림 금속 산화막 반도체 구조 금속 산화막 반도체 (MOS)의 구조는 반도체 기판위에 ... SiGe 재료로 MMIC(Monolithic Microwave IC)를 제작할 경우 통신단말기의 RF부분과 IF부분을 집적화하는데 유리한 기술로 등장되어 있다.
