1.왓슨과 크리크가 DNA의 이중나선 구조를 발견하기까지의 과정을 프랭크린, 샤가프의 연구내용을 포함시켜, 이중나선 구조의 기능적 특성을 콘버그의 연구내용을 포함시켜 설명하시오. 2 ... 포함시켜, 이중나선 구조의 기능적 특성을 콘버그의 연구내용을 포함시켜 설명하시오. 2.코로나바이러스 진단에 사용되는 RT-PCR(14주차 자료-코로나 진단) 방법의 전반적인 과정과 ... 과거에는 DNA의 구조는 이중나선이라는 것이 정설이었지만, 최근 다양한 연구결과에 의하면 이중이 아닌 4중의 나선 구조 또한 발견되었다.
본 연구에서는 채프에코를 효과적으로 제거하기 위하여 국립기상연구소 X-밴드 이중편파레이더에서 관측한 자료를 활용하여 채프에코의 반사도와 각각의 이중편파변수의 관계성을 분석하였다. ... 특히 본 연구는 채프에코 사례의 입체관측자료 영상에서 채프에코가 발생한 영역만을 선별하여 이중편파변수 자료들을 수집하였다. ... 전반적으로 이중편파변수(반사도, 차등반사도, 교차상관계수, 차등반사도 표준편차와 비차등위상차)에 대해 채프에코의 변수 값이 강수에코보다 넓은 범위를 차지하며, 채프 섬유의 공간적 배치는
의 고밀도 광여기에 의한 자외선 영역에서의 단면모드 유도방출 특성에 대하여 조사하였다. ... AIN 완충층을 이용하여 대기압 유기금속에피텍셜 (MOVPE)법으로 사파이어 기판위에 성장시킨 AlGaN/GaN 이중 이종접합구조(double heterostructure : DH)
Highly textured Ag, Al and Al:Si back reflectors for flexible n-i-p silicon thin-film solar cells were prepared on 100-μm-thick stainless steel subst..
Fluorine-doped SnO2 (FTO) thin film/Ag nanowire (NW) double layers were fabricated by means of spin coating and ultrasonic spray pyrolysis. To invest..
Mo-based thin films are frequently used as back electrode materials because of their low resistivity and high crystallinity in CIGS chalcopyrite sola..
방사능 탐지 특성에서 스폰지 구조를 지니는 막의 고분자 구조는 방사성핵종이 통과할 수 없는 밀집된 형상을 지니면서 탐지효율의 감소를 초래하는 것으로 나타났다. ... 방사능 오염도 측정에 사용하기 위한 이중구조 고분자막이 폴리설폰과 세륨활성화된 이트륨실리케이트(CAYS)를 이용하여 제조되었다. ... 제조된 막은 순수 고밀도 고분자 지지층과 이에 제막된 고분자 용액의 상전환 공정에 의해 고형화된 CAYS 함침 활성층의 이중구조로 구성된다.
High-efficiency phosphorescent organic light emitting diodes using TCTA-TAZ as a double host and Ir(ppy)3 as a dopant were fabricated and their elect..
이중관 열교환기 특성실험 1. ... 실험의 목적 - 대수평균 온도차(Log Mean Temperature Difference : LMTD)법의 기본 개념을 이해하고 이 방법을 적용하여 이중관 열교환기 특성실험을 수행함으로써 ... 이중관 열교환기 설계와 작동에 대한 기본 능력을 습득하는 것이다. 2.
이중층 형성 공정을 통하여, 단일 전해질 막과 동등한 수준의 이온 전도 특성을 유지하면서도, 전해질 막을 통한 메탄올 투과 특성이 현저히 개선된 우수한 효율의 고분자 전해질 막 제조가 ... 낮은 메탄올 투과 특성의 코팅층을 형성시켰다. ... 제조된 술폰화 단량체와 비(非)술폰화 단량체의 직접 중합법을 통하여 서로 다른 술폰화도를 나타내는 술폰화 폴리아릴에테르술폰 공중합체를 합성하고, 이들로부터 직접 메탄올 연료전지용 이중층
Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)으로 성장한 In0.5 (Gal1-x Alx )0.5P/GaAS 이중 이종접합 구조의 특성을 표면 ... 주파수 의존성을 측정한 결과 SPV 신호의 형태는 변하지 않고, 신호의 크기만이 변하는 것은 광 조사에 따른 전기적 상태의 과도 현상에 따른 것이고, GaAs와 InGaAlP의 특성시간의 ... 그리고 온도 의존성 측정으로 In0.5 /(Gal1-x Alx )0.5P/GaAS 이중 이종 접합 시료의 균일한 변형분포와 계면상태가 양호함을 알 수 있었다.
Silicon carbide (SiC) is a promising material for power device applications due to its wide band gap(3.26 eV for 4H-SiC), high critical electric fiel..
We synthesized Fe-doped TiO2/α-Fe2O3 core-shell nanowires(NWs) by means of a co-electrospinning method anddemonstrated their magnetic properties. To ..
실험제목 이중관 열교환기 특성실험 2. ... 이번 이중관 열교환기 특성에 대하여 알아보는 실험의 목적 중 하나가 LMTD법을 이용하여 이중관 열교환기의 성능을 확인하는 것인데 이중관열 교환기의 종류는 고온의 유체와 저온의 유체가 ... 실험목적 대수평균 온도차(Log Mean Temperature Difference : LMTD)법의 기본 개념 이해와 이중관 열교환기 특성실험을 수행으로써 이중관 열교환기 설계와 작동에