무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의한 WO3 박막의 구조 및 전기 변색 특성 분석 연구, 고체 반응에 의해 합성된 단결정 α-MoO3 마이크로벨트의 구조 및 전기화학적 특성 분석 ... 무전해 Ni-무전해 Pd-immersion Au-finished Cu 패드를 이용한 레이저 솔더링의 신뢰성 분석 연구, 스퍼터 성장 BaTiO3? ... 저는 OOO 교수님의 OOOOO OOOO 연구실에 들어가서 Sn-3.0Ag-0.5Cu 솔더 조인트의 미세 구조 및 기계적 특성에 대한 솔더 부피 및 크기의 영향 분석 연구, 고효율
2차원 포토닉스를 위한 웨이퍼 스케일 δ-도파관 연구, 점진적 밴드 구조에 기반한 초고감도 근적외선 InAs 콜로이드 양자점-ZnON 하이브리드 광트랜지스터 연구, 하드마스크용 DC 스퍼터링에 ... 의해 증착된 붕소 도핑된 비정질 탄소: 미세 구조 및 건식 에칭 특성 분석 연구 등을 하고 싶습니다. ... 광트랜지스터를 향한 물에 안정하고 광패턴 가능한 실록산 캡슐화 업컨버전 나노입자 연구, 안정적인 리튬-황 배터리를 위한 금속-유기 구조 기반 산화마그네슘@탄소 중간층 연구, Ag가 풍부하고 Cu가
Cu film의 전기적 특성 분석 실험 1. 실험 목적 전자제품(반도체, display)에 전기배선 재료로 사용되는 Al이 있다. ... RF Sputtering DC sputtering에서는 target이 산화물등 절연물체일 때는 스퍼터링이 되지않는다. ... ) as-dep 100°C 200°C 400°C 500°C resistivity (μΩ-㎝) 7.8120 6.8881 2.6675 1.7260 1.6988 온도-저항 2) SEM 분석
증착 재료의 경우 Al, Cu, Ag, Au 등의 물질을 사용하는데 이들은 녹는 점이 낮은 재료를 사용해야 증착에 유리하다. ... 또한 박막의 형성 원리가 비교적 단순하여 박막 성장이나 핵생성 및 성장이론에 대응하거나 형성된 박막의 물성을 분석하기 쉽다는 점이 있다. ... DC 스퍼터링에서는 타켓이 산화물이나 절연체일 경우에는 스퍼터링이 되지 않으나, RF 스퍼터링에서는 해결이 가능하고 낮은 Ar 압력에서도 플라즈마가 유지될 수 있다.
메쉬에 충격을 가하여 금속 방울 인쇄하는 연구, 발산 테이퍼 홀 GDI 인젝터의 스프레이 형성 메커니즘과 GDI 엔진 응용 가능성 연구, 미세 피치 3D 적층 장치를 위한 고급 Cu ... Piezoelectric Transducers에 의해 구동되는 Linear Part Feeder System의 Modeling and Performance Analysis 연구, RF 마그네트론 스퍼터링에 ... 최대 허용 입력 전력에 대한 미세 기둥 배열의 효과 분석 연구 등을 하고 싶습니다.
저는 OOO 교수님의 OOOOOOOO OOOO 연구실에서 Na3Zr2Si2PO12/Bi2Cu0.1V0.9O5.35 헤테로접합 장치를 사용한 휘발성 유기화합물의 전기화학적 검출 연구, ... 연구실적목록(논문, 보고서, 연구참여 등) 저는 OO대학교 대학원에서 RF 마그네트론 스퍼터링 유도 PZT 박막의 미세구조 및 전기적 특성 연구, 산화주석 박막의 Si 첨가가 전기화학적 ... 특성에 미치는 영향 분석 연구, TiO2 증착 조건에 따른 PZT/TiO2 구조의 강유전체 특성 분석 연구 등을 진행하였습니다.
Cu,Zn,Sn을 증착 시 스퍼터링을 이용하여 증착하였으므로 처음에는 정확히 합쳐지지 않고 층층이 쌓이게 된다. ... 결과 분석 및 고찰 데이터 분석 결과 각 각 Eff=2.44%, 8.93%로 계산되었다. ... 이번 실험에서 만들어진 태양전지 셀은 화합물 태양전지로 Cu,Zn,Sn을 증착 시켜 몰리기판 위에 흡수층을 형성하였다. 전체적인 개략도는 위 그림과 같다.
, X선 회절 및 AES 깊이분석 등에 의하여 조사하였다. ... 본 연구에서는 반응성 스퍼터링 테크닉을 사용하여 (100)Si 웨이퍼상에 TaSixNy막을 증착하고, Cu에 대한 barrier재료로서 반드시 갖추어야 할 열적 안정성을 면저항의측정 ... 스퍼터링 공정에서 N2/Ar기체의 유량비가 15%일때 열적 안정성이 가장 우수한 TaSixNy막이 얻어졌다.
본 실험에서는 반응성 스퍼터링법으로 N2/Ar 유속비를 달리하여 약 200 과 650 두께의 비정질 Ti-Si-N막을 증착한 후 Cu (750 )와 Si사이의 barrier 특성을 ... 면저항측정, XRD, SEM, RBS 그리고 Ti-Si-N막에서 질소 함량의 영향에 초점을 둔 ABS depth profiling 등의 분석방법을 통해 조사되었다. ... 피크만 관찰될 뿐 Cu피크는 거의 완전히 사라졌으므로 Barrier 불량기구는 Cu3Si상을 형성하기 위해 Si 기판내로의 Cu의 확산에 의해 일어난 것으로 보인다.
문에 박막평가, 표면의 접착(adhesion), 표면처리, 폴리머 표면분석에 광범위하게 사용된다. ... 이온플레이팅도 스퍼터링과 비슷하게 플라즈마를 사용하는 증착공정이지만 스퍼터링과는 달리 보통 증착하고자 하는 물질을 증발법으로 기상화한 뒤 reactive gas나 불활성 기체들과 함께 ... (Si, SiO2, SUS, Cu, SAM) ⑦ liquid를 접근시켜 substrate와 contact한다. ⑧ contact 되면 영상을 capture 한다. ⑨ mode에 맞추어
그러므로 Ti의 두께는 너무 두꺼우면 안된다. ※ XRD 분석에 따른 고찰 - 그래프를 보면 Cu(100)이 Cu/Si를 제외한 나머지 Cu/Ti/Si에서는 2θ(43°) 부근에서 ... 그러나 고주파(RF : radio frequency)를 사용하면 절연체도 스퍼터링이 되며 1/1000 ~ 1/10000 torr 같은 저압에서도 플라스마가 유지될 수 있다. ... 200nm/분의 두께이다. - 타깃은 판상으로 해야 한다. - 기판이 과열되기 쉽다. 2) RF Sputtering DC sputtering에서는 target이 산화물등 절연물체일 때는 스퍼터링이
Cu film의 전기적 특성 분석 실험 1. 실험 목적 전자제품 (반도체, display)에 전기배선 재료로 사용되는 Al이 있다. ... DC sputtering은 직류전원을 이용한 스퍼터링으로 타겟이 산화물이나 절연체일 경우는 스퍼터링 되지 않는다. ... film의 전기적 특성 분석 실험 - 신소재실험 교재
제조공정에 있어서는 Sulfurcell은 Cu, In 스퍼터링과 황화 공정으로 광흡수층을 제작하고 있으며, Solaion은 폴리머기판 위에서 Se 이온을 이용하여 저온에서 고품질의 ... Powalla, Thin Solid Films 480-481 (2005) 491. [5] 한국전자통신연구원, “박막 태양전지의 기술개발 동향”, 전자통신동향분석, 27 (2012) ... 본 보고서에서는 태양에너지를 이용하는 태양전지 기술 중에 Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)박막 태양전지 기술에 대해서 다룰 예정이다. 2.
상부전극의 스퍼터링 까지 마치게 된다. ... 박막 태양전지 시장전망 및 기술개발 동향(전자통신동향분석 제24권 제4호 2009. 8) 2. 알기 쉬운 태양전지(2009. 8. 21, ) 3. ... 플렉서블 CIGS 박막태양전지의 공정기술에 대해 살펴보자면, 일단 하부전극에서 스퍼터링(표면을 매끈하게 하는 공정)을 하고 흡수층에서 동시 발법으로 CIGS를 증착시키게 되고 완충층과
Cu film의 전기적 특성 분석 실험 1. 실 험 목 적 전자제품 (반도체, display)에 전기배선 재료로 사용되는 Al(알루미늄)이 있다. ... ≫장점 - 물질의 스퍼터링량이 target 물질의 면적비와 대차가 없어 응용범위가 넓다. - 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다. - 전류량과 생성피막의 두께가 정비례하므로 ... : as-dep , 100oC, 200oC, 300oC, 400oC Annealing time : 30 min as-dep 100℃ 200℃ 300℃ 400℃ ※ SEM, XRD 분석에
후면전극은 Cu를 소량 함유한다. (2) 결론 CdS는Ar + CHF3 분위기에서 RF 스퍼터링에 의해 제조한다. ... 이기술 은 기판온도 200℃에서 스퍼터링에 의해 CdTe 상에 두께200nm의 버퍼층 As2Te3와 두께20nm의 Cu를 연속증착하여 옴 접촉의 후면전극을 만드는 것이다. ... 종래와 달리 Cu증착 전 CdTe 표면의 에칭이나 염소처리용 CdCl2를 사용하지 않았다.
U 분석할 때 많이 사용된다. ... 비전도체의 코팅 재료는 C, Au, Pt, Pd, Qg, Cu 또는 Al등 여러 가지가 있다. ... 코팅층의 두께는 이온전류와 스퍼터링 시간에 비례한다. 2) 마그네트론 스퍼터링 (저진공~수Pa) 이 장치에서는 음극과 양극이 동축으로 배열되어 있으며 동축의 실린더 자석은 음극 뒤에
즉, YBa2Cu3-xMxO7-y에서 재료의 격자구조에 stress가 작용해 층간의 전하 이동을 도와 Tc를 향상하는 효과가 나타날 것이라 예상했으나 각분산 X선 회절법으로 분석 결과 ... 그러나 기판이 플라즈마 영역에 놓여 있어 증착된 박막이 이온으로부터 공격당하여 손상이 생기며 Cu와 Ba와 같은 몇 가지 원자종에 있어서 선택적으로 재스퍼터링을 일으켜 박막의 조생을 ... 오프-엑시스(off-axis) 스퍼터링에서 기판은 재 스퍼터링 효과를 피하도록 플라즈마 영역 밖에 놓이는데 타겟에 대해 90˚를 향하도록 된다.
METAL ION 제거력 측면에서 HF세정은 Al, Fe은 쉽게 제거하는 반면, Cu는 재흡착이 잘되는 문제가 있다. ... 표적 재료로 고순도 실리콘을 써서 스퍼터링을 하기도 하는데 이 때에는2/O2의 혼합 가스가 고정 로관 속으로 들어가게 된다. ... 입사한 빛이 반사된 후에는 주로 그림과 같이 타원편광으로 변하고 그 편광상태의 변화를 분석하여 시편이 지닌 정보를 찾아내는 기술이기 때문에 가지게 된 명칭이다.
비전도체의 코팅재료는 C, Au, Pt, Pd, Ag, Cu, Al 등 여러 가지가 있다. ... 불활성가스 이온빔에 의하여 스퍼터링 되어 시료 표면에 코팅된다. ... 따라서 비전도성 시료를 금속코팅 없이 관찰하고 성분 분석을 가능하게 한다. 수분이나 기름을 포함하는 시료들도 저진공 SEM을 사용하여 관찰할 수 있다. 3.
