In order to increase the efficiency of the sputtering method widely used in thin film fabrication, a dc sputtering apparatus which supplies both high..
We report on the efficient detection of NO gas by an all-oxide semiconductor p-n heterojunction diode structure comprised of n-type zinc oxide (ZnO) ..
이때 생성되는 박막의 두께는 일련의 식들로 유추할 수 있다. ... Spin Coator 법에 의한 유기태양전지 제작 및 UV-Vis 분광기를 사용한 활성층의 밴드갭 측정 1. ... 결론 Spin Coator 법에 의한 유기태양전지 제작 및 UV-Vis 분광기를 사용한 활성층의 밴드갭을 측정했다. 4.
Recently, high luminance and efficiency were realize in organic thin film electroluminescence (EL) cells with multilayer structures including an emit..
코발트 산화물 박막을 전극으로 하여 Pt/Ti/Si 기판위에 Co3O4/LiPON/Co3O4로 구성된 전고상의 박막형 슈퍼캐패시터를 제작하였다. ... 비록 벌크 타입의 슈퍼캐패시터에 비해 낮은 전기용량 (5-25mF/cm2-μm)을 가졌지만, Co3O4/LiPON/Co3O4 구조로 제작된 전고상 박막형 슈퍼캐패시터는 벌크 타입과 ... 각각의 Co3O4박막은 반응성 dc 마그네트론 스퍼터를 이용하여 O2/[Ar+O2] 비를 증가 시키며 성장시켰고, 비정질 LiPON 고체전해질 박막은 순수한 질소분위기 하에서 rf
Metal films (i.e., Ti, Al and SUH310S) were prepared in a magnetron sputtering apparatus, and their cross-sectional structures were investigated usin..
In this study, organic electroluminescent devices(OELD) with a structure of a glass substrate/ITO/TPD/Tb(ACAC)3(Phen-Cl)/Alq3/Al was fabricated by va..
Polyamic acid alkylamine (N, N-dimethylhexadecylamine)(PAAS)염을 합성하여 그 합성여부를 확인하였으며 PAAS염의 Langmuir막의 π-A 등온선 및 표면 전위 특성 등을 조사 하였다. Langmuir-Blodgett법에..
반응성 스퍼터링 방법으로 제작한 ZrO2, TiO2, SiO2 박막을 XRD, SAM을 사용하여 분석하였고, 박막의 광학적 특성을 평가하였다. ... 제작한 광학박막의 광학적 특성, 레이저 내구성(laser damage threshold), 온습도 안정성 실험 등을 통해 광학박막을 평가하였다. ... 공진기형 제 2고조파소자(SHG)는 레이저 빔의 에너지 밀도가 높아 고내구성 박막이 필요하다.
It is well known that the metallo-phthalocyanine(MPcs) are sensitive to toxic gaseous molecules such as NO2 and also chemically and thermally stable...
We present the detection characteristics of nitrogen monoxide(NO) gas using p-type copper oxide(CuO) thin film gas sensors. The CuO thin films were f..
Organic semiconductors based on conjugated thiophene oligomer have great potential to be utilized as an active layer for electronic and optoelectroni..
Thin films of Eu(TTA)3(phen), which was known to show red-light emitting properties, were deposited under various deposition condition. The thickness..
Magnetron Sputtering 법으로 Co를 base로 MnSbPt 합금박막의 최적 열처리 조건은 300˚C-4시간 이었으나, 종래의 MnSbPt 합금박막의 경우와 같이 수직자화막은 ... 진공중에서 300˚C 4시간 열처리한 합금박막의 경우, 700nm의 입사파장에서 약 0.78˚에 이르는 Kerr 회전각을 보이므로 고보자력을 지닌 수직자화막을 제조할 수 있다면 우수한
We studied the influence of different types of metal electrodes on the performance of solution-processed zinc tin oxide (ZTO) thin-film transistors. ..
Aluminum nitride, a compound semiconductor, has a Wurtzite structure; good material properties such as high thermal conductivity, great electric cond..