실험 명 M1-1. 마이크로 프로세서 기본 및 환경 세팅 M1-2. I/O 기초와 시리얼 통신 2. ... 또한 “아두이노”에서 지원하는 디지털 I/O와 아날로그 I/O를 사용하는 기초적인 실험을 진행하여 시리얼 통신 및 프로그램 디버깅 방법을 학습한다. 3. ... 또한 디지털/아날로그, 입/출력을 사용하는 기초적인 방법을 익히며 시리얼 통신 및 프로그램 디버깅의 기초를 마련할 수 있었다.
실험목적 01 커패시터의 충전 및 방전 현상을 실험으로 관찰한다 . 2. RC 회로의 충전 및 방전 시의 시정수를 측정한다 . 3. ... 실험순서 3 에서 실험순서 1 과 같이 LED1 은 짧고 밝게 , LED2 는 상대적으로 길고 은은하게 반복적으로 나타났다 . ... 이번 실험 함수발생기에는 톱니파를 생략한다 . 05 결과 결과 실험순서 1 에서 처음에 SW 를 1 에 연결하면 잠깐동안 LED1 이 켜진다 .
제너 다이오드 ▣ 참고 문헌 - 전자통신기초실험(상학당) p153~p159 - 인터넷 네이버 블로그 ▣ 시뮬레이션 결과 1. ... 반도체다이오드 ▣ 참고 문헌 - 전자통신기초실험(상학당) p143~p152 - 인터넷 네이버 블로그 ▣ 시뮬레이션 결과 9.456V 그림 1-9 (b) 회로 Pspice - 시뮬레이션결과 ... 고찰 첫 번째 실험은 반도체 다이오드 실험이다.
정보통신기초실험 (결과 보고서: 중첩의 원리) 1. ... 두 번째 표 2.2의 실험에서 구한 실험값과 계산값을 비교해 보았다. ... 결과 및 고찰 (계산치와 실험값 비교) - 첫 번재 표 2.1의 실험에서 구한 실험값과 계산을 통해서 구한 전류,전압값과 비교해 보았다.
정보통신기초실험 1. 실험 주제 : 교류 회로 소자 (인덕터 및 커패시터)의 특성 2. ... 실험 목적 : (1) 교류 회로 소자인 인덕터와 커패시터의 단자 특성을 이해하고, 인덕터와 커패시터의 등가 커패시턴스와 인덕터스를 구한다. (2) 인덕터의 전압분배와 전류분배, 커패시터의 ... 실험 방법 (1)그림 9.6의 회로에서 L=50mH인 인덕터와 R = 10Ω인 저항을 위치시키고, 스위치를 S1의 위치에 고정시킨 후, 신호 발생기를 이용하여 10kHz, -5V~+
실험을 통한 테브난의 정리 R L 이 3.3K 일 때의 실험으로 예를 들면 , 실험을 통해 측정한 IL 과 ITL 의 값에 대한 오차는 0% 가나왔다 . Ⅲ. ... 실험을 통한 테브난의 정리 Ⅱ. 실험을 통한 테브난의 정리 RL 3.3K IL 1.45mA ITL 1.45mA Ⅱ. ... 실험을 통한 테브난의 정리 Ⅲ. 이론을 통한 테브난의 정리 Ⅳ. Pspice 를 통한 테브난의 정리 목 차 Ⅰ.
7408 10 진 카운터 7490 BCD-to-7 segment 74LS48 실험기구 실험회로도 실험회로도 결과보고사항 1Hz 의 clock 을 받아서 초를 0 에서부터 9 까지 ... Digital Clock 결과보고서 목차 실험기구 실험회로도 결과보고사항 결과물 ( 사진 ) 결과물 ( 동영상 ) Bread Board 오실로스코프 NOT 게이트 7404 AND 게이트
우선 첫 번째 실험은 저.고역통과필터에 대한 실험이이었는데 회로를 결선하고 차단주파수를 찾는 실험이었다. 회로결선도 어렵지않고, 실험도 그렇게 복잡하지않아 금방 끝낼수있었다. ... 위 실험에서도 여러 가지 오차의 원인이 있겠고, 앞의 실험과 비슷하다. ... 다음으로 RC 대역통과필터실험에서는 회로를 결선하고 차단 주파수를 측정해보고 대역주파수 범위를 측정해보는 것이다. 이실험은 앞실험에 비해 다소 적은오차 3~6%를 보였다.
Report 시리얼 통신의 기초 Code (코드 기술) 실험1) Wizard에서 우리가 설정한 내용이 실제로 어떠한 소스코드가 생성되는지, 그 소스 코드별 역할이 무엇인지 기술하시오 ... 고찰 및 실험 평가 이번 실험은 시리얼 통신이 무엇인지, 또 어떻게 응용할 수 있는지 간단한 예제들을 통해 알아보는 실험이었다. ... 이번 실험을 통해 시리얼 통신으로 PC와 MCU간에 data송수신이 가능하고, PC로 MCU의 동작을 제어할 수 있음을 알 수 있었다.
1.실험제목 : 3-1 반도체 다이오드 2.목적 : 반도체 다이오드의 직류 특성을 조사한다. 3.관련이론 ※ 다이오드(diode) 이극 진공관 및 반도체 다이오드를 통틀어 이르는 말로써 ... 405p~410p ③전자회로실험, Oxford University press, Adel Sedra / K.C Smith, 1998년, 31p~40p ④전자통신기초실험, 상학당, 전자통신연구회
실험 목적(1) 직렬 연결된 저항기에 걸리는 전압강하의 합과 인가전압 사이의 관계를 구한다.(2) 목적 1에서 구해진 관계를 실험적으로 확인한다. 2. ... 실험 준비물- 전원장치⦁ 0∼15V 가변 직류전원- 측정계기⦁ DMM 또는 VOM- 저항기(1/2-W, 5%)⦁330-Ω 1개⦁470-Ω 1개⦁820-Ω 1개⦁1-kΩ 1개 ⦁1.2
테브난의 정리는 독일 과학자 헬름홀츠(독일어: Hermann von Helmholtz)가 1853년에 처음으로 발견하였으나, 1883년에 프랑스 통신공학자 테브난(프랑스어: Leon ... 실험을 통한 테브난의 정리 위 회로도가 기본 테브난 등가 회로 실험 회로 입니다 위 회로에서 RL을 단락시킨고 전원을 제거한후 VTH를 구합니다. ... 다시 전원을 연결 하고 ITL을 구하면 다음과 같은 값이 나옵니다 RL 3.3K IL 1.45mA ITL 1.45mA RL이 3.3K일 때의 실험으로 예를 들면, 실험을 통해 측정한
◆ 실험제목 : 3-15 JFET의 바이어스 1.목적 : 자기 바이어스, 전압분배 바이어스, 2전원 바이어스를 사용한 JFET의 바이어스 특성을 조사한다. 2.관련이론 실험을 하게 ... 기입하라. ⑥ 구한 , 값을 이용해 필요한 전압값을 계산하여 표에 기입한다. 5.참고문헌 ①전자회로공학, 교우사, 최성재 외2명, 01년3월2일, 303p~311p ②대학전자회로 실험 ... 드레인 전류를 쌍극성 트랜지스터의 콜렉터 전류와 같게 만든다. 3.시료 및 사용기기 ① JFET : 2N5951 ② 저항 : ③ 전원장치 : 24V DC ④ 전압계 ⑤ 브레드보드 4.실험순서
◆ 실험제목 : 3-14 JFET의 직류 특성 1.목적 : 접합 FET의 직류 특성을 조사한다. 2.관련이론 ※ 전계 효과 트랜지스터 [FET, field effect transistor ... 한다. ⑤ 표를 완성시킨후 이 데이터를 이용하여 특성곡선을 그려본다. 5.참고문헌 ①최신전자공학, 조원사, 최병수 외4명, 98년12월30일, 227p~240p ②대학전자회로 실험 ... 기입한다. 4) 드레인 특성곡선 ① 주어진 회로를 결선한다. ② 처음 로 하고 를 감소시키며 를 측정하여 표에 기입한다. ③ 로 놓고 위의 과정 반복한다. ④ 및 -3V에서 반복 실험을
값을 측정 ⑦ 위에서 구한 계산값과 측정값을 표에 기입 5.참고문헌 ①전자회로기초및응용, 상학당, 남상엽 외2명, 06년7월1일, 166p~176p ②전자통신기초실험, 상학당, 전자통신연구회 ... ◆ 실험제목 : 3-7 트랜스의 직류 특성 1.목적 : 트랜지스터의 입력 및 출력 특성 곡선을 조사한다. 2.관련이론 ※트랜지스터 [transistor] : "변화하는 저항을 통한 ... 기입 2) 출력특성곡선 ① 회로를 결선 ② 측정한 전압값을 이용해 를 계산 ③ 를 조정하여 를 감소시키면서 반복 측정 ④ 계산값 및 측정값 표에 기입 ⑤ 위 값을 바꿔가며 위의 실험
