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mram의 구동원리및 소개

MRAM1. MRAM의 개요DRAM과 플래쉬 메모리의 장점 즉, 읽고 쓰는 속도가 빠르고 소비전력이 적으면서도 전원이 끊어져도 정보를 그대로 유지하면서도 그들의 단점을 극복할 수 있는 메모리가 바로 IBM에서 '74년부터 줄기차게 개발해 오던 MRAM이다 위에서 하드디스크와 메모리의 중간 형태라고 표현한 이유는 바로 이 메모리가 하드디스크의 정보를 기록하는 소재인 마그네틱 재료를 사용하고 있기 때문이다. MRAM의 아이디어 자체는 오래 전부터 나와 있던 것이지만 지금에서야 실현 가능해진 이유는 미세한 자기를 제어해야만 하는 TMR(Tunneling Maghetoresistance) 현상을 적용하기 때문이다. 이 메모리가 실현된다면 노트북의 Sleep Mode와 하이버네이션 간의 구분은 의미가 없어질 것으로 생각된다. 하이버네이션이란 메모리에 있는 정보를 보존하기 위해 하드디스크로 옮겨놓는 방법이다. MRAM은 속도가 빨라 메인 메모리로 사용되기에 무리가 없고 전원이 차단되어도 데이터가 소실되지 않기 때문에 하이버네이션 상태로 진입할 경우 메인 메모리의 데이터를 옮겨올 필요가 없다.2. MRAM의 특성2-1. 자화특성MRAM은 자성재료를 이용하여 전원이 없어도 남아있는 자화(magnetization)를 통하여 정보를 기록하여 다시 전원이 들어왔을 때 이전의 정보기록을 바로 꺼낼 수 있는 기억소자이다. 1970년대에 페라이트 코어를 대형 컴퓨터에 사용하였으나 컴퓨터 소형화에 따라 다른 메모리로 대체되었다. 현재 자기메모리 소자는 자기저항(MR: magnetoresistance) 현상을 이용한 것으로서, 이방성 자기저항(AMR: anisotropic magnetoresistance)과 거대자기저항(GMR: giant magnetoresistance) 및 터널링 자기저항(TMR:· tunneling magnetoresistance) 현상 등을 이용한다.(1) AMR과 GMRAMAMR현상을 이용한 메모리 소자는 1980년대 중반에 처음 제작되었으며, 군사 및 우주용으로을 받고 있다. 그림 3은 MRAM에 이용되고 있는 자기 터널링 접합(MTJ)구조를 보여준다.MTJ의 구조는 터널링 장벽(tunneling barrier)으로서 절연층(일반적으로 A1203)을 사이에 둔 두 강자성층(ferromagnetic layer)의 샌드위치 구조로 되어 있다. 전류가 각 층에 평행하게 흐르는 GMR과는 달리 MTJ에서는 전류가 각 층에 수직하게 흐른다. 이 때 두 강자성층의 스핀 방향이 같으면(parallel)전류의 터널링 확률이 크며 저항이 작다. 하지만 두 강자성층의 스핀 방향이 정반대이면(antiparallel), 터널링 확률이 작으며 저항이 크다. 즉, 자기 터널링 접합(MTJ)에서 터널링 전류는 두 강자성층의 상대적 자화방향에 의존한다.이 현상은 1975년 Julliere에 의해 실험적으로 처음 발견되었다. 이를 Tunneling Mangetoresistance(TMR)이라고 하며 다음과 같은 식으로 표현된다.여기서 Pl,P2는 각 강자성층의 스핀분극을 말하며 현상론적으로, 페르미 준위에서 다수전자와 소수전자에 대한 상태밀도의 상대적 차이로 정의된다.그림 4는 자기 터널링 접합(MTJ)에서의 에너지 밴드구조와 스핀분극 이동현상을 도식적으로 보여준다. 이와 같이 전류가 자기 스핀의 방향에 따라 소자의 저항치가 달라지는 성질을 이용해서, 시스템은 해당 비트가 “0”(parallel 할때)와 "1" (antiparallel 할때) 인지를 판별하고 외부로부터 자기장을 걸어 정보를 입력한다. MTJ가 워드선-비트선 사이에 끼여 있어 공간을 차지하지 않아서 집적도를 향상시킬 수 있다.그림 5는 두 가지 형태의 MTJ를 보여준다. 그림 5(a)구조는 앞서 설명한 pseudo spin-valve형으로서 보자력이 다른 두 강자성층을 이용하여 스핀의 방향을 제어할 수 있으며, 그림 5(c)구조에서는 반강자성층(antiferromagnetic layer)교환 바이어스 자기장(exchange biasing field)으로 한 강자성체층을 고정함으로써시 읽는 과정은 기존의 DRAM과 유사하지만 근본적인 차이점은 Capacitor대신에 기억의 저장을 위하여 저장내용을 비휘발성인 기억소자의 스핀 배열로 바꾼 것이다. 즉, MRAM은 자기 기억소자와 트랜지스터로 구성된 반면 DRAM은 Capacitor와 Transistor로 구성된다.3. MRAM 기술 개발의 현안최근 수년간자기 터널링 접합소자(MTJ)연구에 있어서 많은 진전이 있어 왔다. 가장 큰 관심 중의 하나가 MR비를 증가시키는 것이며, 이에 대한 집중적인 연구가 행해졌다. 이러한 연구의 결과 상온에서 통상의 스퍼터링 방법에 의해 제조된 TMR 소자에서 40% 이상의 MR비가 얻어졌다. MR비가 MRAM의 출력, 나아가서 밀도 및 속도에 큰 영향을 미치기 때문에 중요한 요소이다.그러나 MR비 못지않게 MRAM의 성공적인 실용화에 큰 영향을 미치는 요소들에 대해서도 큰 진전이 있었다. 대표적으로 다음과 같은 두 가지를 들 수 있다 첫째는 자기 터널링 접합소자의 저항(구체적으로는 저항에 접합면을 곱한 비저항, RA)을 60Ωum2의 매우 낮은 값에서부터 109Ωum2의 매우 높은 값까지 변화시키는 것이 가능하다. 이는 기본적으로 두 강자성층 사이에 있는 산화막의 두께와 특성을 제어함으로써 가능하다. 실제로 TMR을 연구하는 많은 연구그룹들이 이상적인 절연막, 절연층의 두께, 산화조건, 열처리시 절연층의 변화 등에 대해 연구를 진행하고 있다 이러한 사항을 감안할 때 절연층의 조절에 의해 접합소자의 면저항을 넓은 범위에 걸쳐서 조절하는 것이 가능하면 소자의 설계를 쉽게 한다.또 하나의 중요한 진전으로는 저항 및 MR 비를 매우 균일하게 제어하는 것이 가능하다는 점이다. IBM에서 많은 수 의 접합체를 대상으로 연구한 결과에 의하면, 저항 및 MR비를 ±1.5%이내의 오차에서 제어하는 것이 가능함을 보인바 있다. 이는 저항 값 자체와 MR 비가 산화층의 두께와 상태에 매우 민감하다는 점을 고려할 때 매우 중요한 기술의 진전이다. TMR 소자의 이러한 우수한 신뢰디바이스 연구를 주로 수행하고 있는 기관으로는 IBM(Almaden Reserch Center, San Jose), Motorola(Tempe, Arizona), Honeywell(Plymouth, Minnesota) 및 Carnegie Melton University (CMU)등이 있다.이들 기관 중에서 자기 터널링 접합소자를 이용한 MRAM의 개발은 Parkin 연구 그룹이 이끄는 IBM이 선두를 유지하고 있으며 다랑의 특허를 보유/신청 중에 있다. Motorol도 GMR 및 TMR을 이용한 MRAM을 개발하고 있다. Honeywell은 GMR을 이용한 MRAM을 연구개발하고 있다. 이외에 미 해군 연구소는 반도체 홀소자를 이용하여 MRAM을 개발하였으며 이 방법은 Honeywell사로 기술이전 되었다. 그 외에도 유수의 기업들이 MRAM의 개발에 전력을 다하고 있으나, 각 사의 개발수준 및 방향을 알아내기는 매우 어렵다. 이는 MRAM의 상용화가 머지 않았음을 반증 하는 것이다. 상용화 직전의 기술은 외부에 공개하기 힘든 노하우이기 때문이다.국내의 동향을 살펴보면 현재까지는 디바이스를 종합적으로 고려한 설계기술보다는 부분적인 성능의 평가에 많은 연구가 이루어졌다. 현재 국내의 수준은 자기 터널링 접합소자 및 이를 이용한 메모리 디바이스에 대한 연구 자체가 도입단계를 겨우 벗어난 정도이기 때문에 MRAM 설계 및 공정기술에 대한 연구는 거의 이구어지지 못하고 있다.그러나 메모리 디바이스를 고집적화, 고속화하고 또한 고신뢰성을 확보하기 위해서는 현재의 연구 수준을 향상시키는 것이 필요하다는 인식을 하고 있으며, 따라서 이러한 방향으로의 연구가 활발히 진행되고 있다. 자기 터털링 접합소자에 대한 연구는 한양대를 비롯하머 KAIST, 한국과학기술연구원,고려대, 숭실대 등에서 각각 독자적으로 이루어지고 있으며, 현재 자기 터널링 접한구조를 형성할 수 있는 단계에 와 있다. 특히 KAIST는 RM동안 자기 터널링 접합소자 이외에도 자기기록용 자성박막으로서 연자성 박, 인터페이스 케이블을 연결하는 케이블 커넥터 등이 달려 있음.Platters(디스크)플래터(platter)는 비자성체인 비금속(알루미늄) 원판(disk) 표면에 자성체인 산화금속 막을 양면에 도장(coating)한 것이다. 이 산화금속 막을 논리적으로 나누고(partitioning) 위치를 지정(formatting)하면 정보를 저장할 수 있게 된다. 'Hard Disk Drive'란 용어는 이 드라이브가 플로피(floppy, 나풀거리는) 디스크와 달리 금속판의 딱딱한(hard) disk를 사용하기 때문에 붙여진 이름이다. 플래터의 지름은 일반 PC용이 보통 3.5"(실제 지름은 3.75")이며 이보다 더 큰 것(5.25")과 작은 것(2")도 있다. 3.5" HDD의 경우, 플래터 표면의 실제로 정보를 저장하는 공간은 바깥쪽부터 1"(약 25 mm)까지이며 그 안쪽은 플래터를 스핀들에 고정하기 위하여 사용한다. 각 플래터의 중심부에는 여러 개의 구멍내어 스핀들과 연결한다.Spindle(회전 축)스핀들(spindle)이란 플래터가 회전할 수 있도록 모터와 직접 연결된 축이다. 스핀들은 4 개의 볼트와 1.25" 크기의 고정용 비금속판을 사용하여 플래터를 축에 단단히 고정한다. 스핀들에 여러 장의 플래터를 설치할 때는 플래터 사이에 지름 1.25" 두께 1/8"의 스페이서(spacer)를 넣어 함께 고정한다.Spindle Motor(스핀들 모터)모터는 플래터를 일정한 속도로 회전시키는 장치이다. HDD용 모터는 스핀들에 직접 연결되어 있기 때문에 '스핀들 모터'라고도 부른다. HDD를 포함한 대부분의 저장 장치들을 드라이브(drive)라고 부르는 것은 디스크를 모터로 구동(drive)하기 때문이다. 모터가 달린 장치의 이름 뒤에는 거의 다 '드라이브'란 명칭이 붙는다. 플로피 디스크 드라이브, CD-ROM 드라이브, Tape 백업 드라이브 모두 모터로 구동하는 장치들이다.HDD는 모델에 따라서 3600, 4500, 5400, 7200, 10,033 RPM(분 당한다.

공학/기술| 2009.10.18| 14페이지| 2,500원| 조회(531)

AMR GMRAM, AMR, GMRAM

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flash memory,플래쉬 메모리

Flash memory1. 플래쉬메모리란?플래시 메모리(flash memory)는 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는 비휘발성 컴퓨터기억 장치를 말한다. EEPROM과 다르게 여러 구역으로 구성된 블록 안에서 지우고 쓸 수 있다. 플래시 메모리는 EEPROM 보다 비용이 덜 들기 때문에, 어느 정도 중요 분량의 비휘발성인 고체 상태(solid-state) 저장 매체로 주로 사용된다.대표적인 활용 예로 디지털 음악 재생기, 디지털 카메라, 휴대 전화를 들 수 있다. 일반적인 데이터를 저장하고 컴퓨터 사이에 데이터를 옮기는 용도로 USB 드라이브를 많이 사용하는데, 이 때에도 플래시 메모리가 쓰인다. 또한 게임 자료를 저장하기 위해 EEPROM 대신 플래시 메모리가 자주 사용되고 있어 게임 시장에서도 인기를 얻고 있다.2. 개요플래시 메모리는 메모리 칩 안에 정보를 유지시키는 데에 전력이 필요 없는 비휘발성 메모리이다. 게다가 플래시 메모리는 읽기 속도가 빠르며(비록 개인용 컴퓨터에서 메인 메모리로 쓰이는 DRAM만큼 빠르지는 않지만) 하드 디스크 보다 충격에 강하다. 이러한 특징으로 배터리로 동작하는 장치에서 저장 장치로 많이 사용한다. 플래시 메모리의 또다른 매력은 강한 압력이나 끊는 물에도 견딜 만큼, 물리적인 힘으로 거의 파괴되지 않는다는 점이다.3. 동작원리플래시 메모리는 전통적으로 비트 정보를 저장하는 셀이라 부르는 플로팅 게이트 트랜지스터(floating gate transistors)로 구성된 배열 안에 정보를 저장한다. 요즘 등장하는 플래시 메모리의 경우 하나의 셀에 존재하는 플로팅 게이트에 두 단계 보다 높은 전하를 저장하여 셀 하나에 1 비트 이상을 저장할 수 있는 MLC(Multi Level Cell) 장치라고 일컫는다.NOR 플래시는 게이트 하나 대신 두 개를 갖고 있는 것을 제외하면, 각 셀이 표준 MOSFET과 비슷하다. 하나의 게이트는 또다른 MOS 트랜지스터처럼 콘트롤 게이트(CG)이지만, 두 번째 게이트는 산화물 층(o가 발명했다. 도시바에 따르면, '플래시'라는 이름은 마수오카 박사의 동료인 쇼지 아리주미가 제안했다고 한다. 왜나하면, 메모리 내용이 지워지는 과정이 마치 카메라의 플래시를 떠올렸기 때문이다. 마수오카 박사는 이 발명을 캘리포니아 산호세에서 열렸던 IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM)에서 발표하였다. 당시 인텔은 이 발명의 엄청난 잠재력을 보고 1988년 최초의 상업용 NOR 타입 플래시 메모리를 소개하였다.NOR 기반 플래시는 지우기와 쓰기 시간이 긴 대신 어떤 위치에도 임의로 접근할 수 있게 주소/자료 인터페이스를 제공한다. 이 메모리는 컴퓨터 바이오스나 셋톱 박스의 펌웨어와 같이 자주 업데이트되지 않는 프로그램 코드를 저장하는 데에 알맞다. 플래시 메모리 특성상 10,000에서 1,000,000까지 지울 수 있다. NOR 기반 플래시는 초기 이동형 매체의 뿌리가 되어, 콤팩트 플래시에서 처음 사용되었으나 나중에 좀 더 싼 NAND 플래시가 쓰이기 시작했다.NAND 플래시는 1989년에 도시바가 ISSCC에서 발표했다. NAND 플래시는 NOR 플래시에 비해 지우기와 쓰기 시간이 좀 더 빠르고 집적도가 높으며 비트당 제작비도 낮고 10배의 내구성을 자랑한다. 그러나 입출력 인터페이스는 자료에 대한 순차 접근만을 지원한다. 이것은 컴퓨터 메모리로는 조금 덜 유용하지만 개인용 컴퓨터 카드와 다양한 메모리 카드와 같은 대용량 저장 장치에 알맞다. 첫 NAND 기반 이동형 미디어 포맷은 스마트 미디어였지만, MMC, 시큐어 디지털(Secure Digital), 메모리 스틱과 XD-Picture 카드에서도 사용되고 있다. 그 밖에 RS-MMC (Reduced Size MultiMedia Card), TransFlash, miniSD 등이 다음 세대 저장 매체로 등장하고 있다. 이러한 새로운 포맷은 보통 크기가 4 제곱 센티미터 이하로 상당히 작다.5. 한계플래시 메모리의 한계는 블록 내에서 특정 단위로. 스마트미디어는 컨트롤러 없이 일반 NAND플래시메모리가 내장된 형태로 제조되어NAND를 다루는 방법과 거의 동일하여 다소 복잡한 느낌이 들고 여러개의 카드를 사용하려면 멀티미디어카드(Multi Media Card)에 비해 하드웨어적으로도 약간복잡하다. 그러나 컨트롤러없이 직접병렬(Parallel)로데이터를전송하므로속도는멀티미디어카드에비해췰씬빠르다. 97년이후 스마트미디어카드는 일본의 후지필름, 올림퍼스광학등이 디지털카메라에 탑재하면서 빠른 속도로 시장을점유, 활발하게 사용되기 시작했다. 메모리카드로 디지털카메라시장에서성공 하였으며, MP3 플레이어에도 탑재되면서 MP3시장을 멀티미디어카드와 양분하고 있는 상태이다. 그러나 스마트미디어카드의 단점으로는128MB 이상의 용량을 생산하기가 어렵고, 두께가 얇아 부러지기 쉬우며, 기기와 접속되는 엑세스전극이 외부로 노출되어 있어 정전기나 흠집이 나기 쉬워 에러(Error)율이 다소 높다는 것이다. 따라서 이러한 문제 때문에 요즘에는 사용량이 감소하고 있는 추세이며, 각종기기의 제조사들도 콤팩트플래시(Compact Flash)를 채택하고 있는 추세이다. 제조사로는 삼성전자, 올림푸스, 도시바, 샌디스크(SanDisk), 프리텍(Pretec) 등이 있으며, 4MB, 8MB,16MB, 32MB, 64MB, 128MB가판매되고있다.6.2 콤팩트플래시(CF ; Compact Flash)콤팩트플래시는 PC카드용 메모리생산업체인 미국의샌디스크(Sandisk)사가개발, 특허를낸 제품으로NEC, 캐논, 엡슨등 일본업체를 포함한 12개사의 참여로 표준화를 추진했다.콤팩트플래시는 업계의 표준인터페이스를 채택하고 카드내부에 데이터관리 전용마이크로 컨트롤러(Micro Controller)를 탑재, 데이터를 읽거나 쓸때(Read/write) 마다 제어하는 역할을 함으로써 시스템적인 기능을 갖게되었다. 그 특성에 따라 콤팩트플래시의 호환성, 속도, 안정성등이 결정되며 그성능에 따라 가격이 천차만별이다. 컨트롤러는 샌디스크(Sandisk), 위의 기기들에 시용될 수 있도록 고안되었다. 휴대의 간편성과 저렴한 가격에 비해 탁월한 성능을 가지고 있으며, 메모리카드인터페이스를 이용한 낮은 전력 소모량과 신속한 데이터처리의 장점도 가지고 있다. MMC 커뮤니켸이션은 낮은 전압의 환경에서도 작동되는 최신의7-pin 시리얼버스를 기반으로 하고 있으며, 커뮤니케이션프로토콜은 이러한 기준의 일부로서 MMC mode라 하고 기존의 콘트롤러에 대한 호환성을 높이기 위해 SPI 표준에 초한 다른 대안의 커뮤니케이션프로토콜을 제공할 수 있다. 그리고 MMC System의 호환성과 완전 무결성을 실현하기위해 시스템전력의 유효범위만 다른2가지타입(High Voltage MMC와Low Voltage MMC)을 갖추고 있다. 또한 MMC의 정의, 사용환경과 규격등을 명시하고 툴박스(Tool box ; 매크로기능과 알고리즘의 집합세트)의 범위를 지정함으로써 시스템디자이너들에게 가이드라인을 제공해주고 디자인비용을 절감시켜준다.MMC의특징① 작은 크기에도 대용량의 저장능력을 가지고있다.② 작고 가벼워 응용기기들의 소형화가 가능하다③ 메모리와 데이터변환용컨트롤러를 처음으로 하나의 칩에 집약해 정보처리속도를 향상시킬 수 있다④ 칩 내부에 컨트롤러가 내장되어 제어가 용이하다⑤ MMS model 외에도 SPI 표준프로토콜을 제공할 수 있어 컨트를러에 대한 호환성을 높일 수 있다⑥ 적은 전력을 사용하므로 응용기기들도 작은배터리(AA size)로도 가능하다MMC는 디지털카메라나MP3 플레이어, 휴대폰등에 주로 이용되고 있으나 휴대용비디오게임기, 랩탑컴퓨터, 개인용디지털기기(PDA) 등에도 광범위하게 사용될 것으로예상된다.6.4 SD카드(Secure DigtalCard)① SD메모리카드는 오디오나 비디오등의 최첨단 가전제품에 요구되는 특징인 보안.대용량.고성능을 모두 겸비하고 있다. 종래의 멀티미디어카드기능에 다데이터의 저작권보호를 목적으로한 암호방식 보안기능이 추가 되었고, 데이터 전송율이 종래보다 4배나 빨라졌다.② 카드본체의 보호기능도 해 상품화한 업체는없다. 그러나 소니는 메모리 스틱이향후 가전제품의 네트워크화에 핵심적인 제품이 될것으로 보고 자사제품에 적극적으로 탑재해나가고 있다.메모리스틱의특징① 인체공학적인 디자인으로 실용적이며, 사용이 편리하고 휴대가 간편하다② 매우 가볍고 작은 크기로 응용상품의 디자인을 소형화할 수 있고 모양을 마음대로 바꿀 수 있다.③ 튼튼한 구조는 데이터와 메모리스틱의 훼손을 방지한다④ 데이터 소거방지스위치는 저장된데이터를 보호한다⑤ 항후 출시될 대용량의 메모리스틱 및 메모리스틱의 응용상품과의 호환성을 갖고 있다6.6 마이크로드라이브(Micro Drive)IBM에서 제작한 마이크로 드라이브는 크기가43×36 x 5mm로 우표정도에 불과하고 무게가16g으로 현재 개발된 하드디스크중에서 가장 작고 가벼운 하드디스크이다. 저장용량은340MB,540MB, 1GB가 있으며 콤팩트 플래시 메모리형태로 지원됨으로써 디지털카메라와MP3 플레이어, 노트북, PDA등에서도 사용이 가능하다. 마이크로드라이브는 노트북 컴퓨터의PC카드슬롯에 간단히 끼우는것만으로도 하드더스크용량을 확장할 수 있는등 거의 모든 휴대형장치에 장착할 수 있다. 콤팩트플래시슬롯을 사용하는 마이크로드라이브는 기존의 콤퍽트플래시 슬롯용저장매체로 사용하였던 메모라카드에 비하여 같은 크기이면서 더욱 확대된 저장공간을 제공하기 때문에 간편한 설치에 빠른데이터전송과 자료백업등 더욱 다양한 용도로 사용할 수있다.Charge Trap Flash (CTF) memory1. Charge Trap Flash(CTF)란??Charge Trap Flash는 부도체에 전자를 입력시켜 메모리 기능을 하는 NAND형 Flash Memory 기술이다. 40nm 이하급 차세대 반도체 제조 기술로 전하를 부도체 및 도체에 저장할 때 생기는 셀(Cell)간 간섭 문제를 완벽히 제거한 신기술로써 도체에 전자를 입력해 메모리 기능을 하는 기존 Floating Gate 방식은 자기장의 영향으로 인해 전자가 오작동을 일으킬 수 있고, control g있다.

공학/기술| 2009.10.18| 9페이지| 2,500원| 조회(1,722)

mmc, 스마트미디어카드SMC, ctf, Compact Flash, SD카드, M..

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Programmable Metallization Cell memory, pmcm메모리

1. PMCM의 특징 및 작동 원리 PMCM(Programmable Metallization Cell memory)은 근본적으로 현재의 모든 메모리 기술과 최신기술로부터 출발한다.PMCM은 비휘발성 저항특성을 얻기 위해 Ag또는 Cu가 첨가된 칼코게나이드 유리질을 사용한다. 최근메모리 소자는 초고집적화,초소형화에 따라 bit당 cost삭감이라는 시장성의 문제에 부딪히게 되었다.그러나 PMCM은 현재 ITRS (International Technology Roadmap Semiconductors)에서 제기하고 있는 메모리 scaling문제를 해결 할 수 있는 방법이기도 하다.PMCM의 구조는 간단하고 매우 효과적인 비휘발성 메모리이며 그 제조에 있어서 기존의 초소형 트렌지스터를 제조하는 기술 공정과 크게 다르지 아니하여 기존의 기술 및 공정과의 연계가 가능하고 구조 또한 매우 간단하다. PMCM 의 특징들을 살펴보면 다음과 같다.PMCM은 미래에 요구하는 메모리 특성들을 갖추고 있다.① 낮은 동작 전류 (< 0.3V )② 빠른 읽기 & 쓰기 속도 (< 30ns)③ 상태변화를 시키는데 필요한 낮은 에너지 (<1pJ)④ 수십 나노 크기로의 물리적 스케일⑤ 기존 IC 회로와의 논리적 연계 가능⑥ 비휘발성,내구성 우수⑦ Multi-bit가능 적정한 양의 Ag를 칼코게나이드 유리질에 용해시키게 되면,높은 이온 이동도를 갖는 액체 전해질처럼 거동하는 3성분계 구조를 이루게 되고 이 물질은 다양한 전기적 특성을 보이게 된다.3성분계에서도 GeSeAg(1-5)와 GeSAg(6-8)가 많이 연구 되고 있다.고유의 높은 비저항을 갖는 비정질 상태의 고체전해질에서 Ag 이온의 산화.환원이 매우 빠른 속도로 일어나면서 link되어 낮은 비저항 상태로 switching될 수 있다.고체 전해질에 순방향 바이어스를 걸어주면 Ag이온이 환원되어 전해질 내부에 Aglink를 형성하게 되어 낮은 저항 상태를 갖게 된다.9) 이 Ag link는 상부 전극과 하부 전극 사이에 ohmic contact을 형성하게 되어 conducting link로 거동하게 되고 소자의 저항은 낮은 상태로 바꿔준다.또한 역 바이

공학/기술| 2009.10.18| 15페이지| 2,500원| 조회(434)

차세대메모리, PRAM, ReRAM, nfgm, 비휘발성메모리, PoRAM, pmc..

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sol-gel derived ceramics,졸겔세라믹스

1.졸겔법이란세라믹스는 수천년 동안 기본적으로 동일한 기술로 제조되어 왔다. 천연적으로나 인위적으로 제조한 분말을 성형하여 이들의 용융온도 가까이에서 소결하였다. 이러한 기술이 현대에 와서야 분말의 제조, 성형 그리고 치밀화 방법에 많은 진보가 이루어지고 있다. 그러나 전자세라믹스와 같은 정밀요업체(fine ceramics)의 제조를 위한 많은 노력에도 불구하고 이러한 제조방법에는 수천년 전의 중국도자기 제조방법과 다를 것이 별로 없었다. 결국 열악한 환경에서도 높은 신뢰도(reliability)를 나타낼 수 있는 재료를 만들기 위해 새로운 공정의 개발이 필요하게 되었다. 이러한 기술적, 역사적 요청에 의해 정밀세라믹스의 제조공정에 새로운 개념을 도입하였다. 건식공정에서 습식공정으로, 마이크로단위에서 나노단위로의 전환을 의미하는 이 새로운 공정을 초미세구조공정(ultrastructure processing)이라 한다. 즉, 나노스케일(nano-scale)인 원자나 분자 단위로 습식화학법(wet chemical processing)으로 재료를 설계(design)함으로써 원하는 구조와 물성을 지닌 정밀요업체를 제조하려는 시도이다. 이러한 초미세구조 공정의 목표는 세락믹스의 초기 제조공정에 표면이나 계면을 조절함으로써 재료 내에 이들로 인해 발생하는 불균질을 제거하여 우수한 물성의 세라믹스를 얻고자 하는 것이다. 습식화학법을 이용하는 초미세구조공정은 일반적으로 졸겔법(sol-gel processing)으로 표현된다. 졸겔법은 유리와 세라믹스를 제조하는 새로운 접근방법을 제시해 준다. 졸을 형성하게 되는 분자단위의 전구물(molecular precursor)을 사용하면 고체상의 망목이수화-축합(hydroxylation-condensation)반응을 통해 얻어진다. 따라서 무기중합(inorganic polymerization)에 관계된 화학반응을 잘 조절함으로써 유리와 세라믹스의 초미세구조공정(ultrastructure processing)을 잘 제어할 수 가있다. 이 그림 2에 나타내었다. 졸의 제조에 있어서 알콕사이드를 출발물질로 할 경우 다음 3가지의 일반적인 반응을 거친다.가수분해M-OR+H2O → M-OH+ROH (1)축합(Condensation)alcohol condensation(alcoxolation)M+OR+HO-M → M-O-H+ROH (2)water condensation(oxolation)M-OH+HO-M → M-O-M+H2O (3)이들 반응에 의해 형성된 졸 입자들은 중축합(polycon-densation)에 의해 올리고머(oligomer)로 성장하게 된다. 이때 알콕사이드 금속원자의 반응기의 수(functionality), f에 따라 선형 사슬(linear chain)이나 원형(rings) 또는 f>2인 경우 3차원의 프랙탈(fractal) 구조를 지니게 된다. 프랙탈 구조는 퍼콜레이션이론(percolation theory)의 연구에 직접적인 관련이 있으므로 중요하다. 이러한 구조들은 계속되는 공정인 겔화(gelation), 겔의 숙성(aging), 건조(drying) 및 소결(sintering)에 영향을 주게 된다.3. 졸겔 세라믹스의 제조3-1. 졸겔세라믹스의 원료졸겔법은 용액(알콕사이드 졸겔법) 또는 졸(콜로이드졸겔법)로부터 출발한다. 용액으로부터 출발하는 경우용액 중에 포함되는 물질로서는① 금속 화합물 : 목적하는 산화물용② 물 : 가수분해용③ 용매 : 균질용액 제조용④ 산 또는 암모니아 : 촉매 작용⑤ 기타 첨가물등으로 구분할 수가 있다. 목적하는 산화물은 크게 분류하면 표 1과 같다. 용매로서는 일반적으로 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄을 등의 알코올류가 주로 사용되지만 그 외에 금속산화물을 용해시키는 에틸렌글리콜(ethyleneglycol), 에틸 렌옥사이드(ethyleneoxide), 트리에탄올아민(Iriethanolarnine), 크실렌(xylene) 등도 사용된다. 촉매로서는 산의 경우 염산, 황산, 초산, 질산 등이 있고, 알카리로서는 첨가 후 휘발하여 제거될 수 있는 암모양으로 하전된 종(ROH)의 이탈이러한 전체과정은 부분전하분포(partial charge dist-ribution)에 의존하며 이는 3단계의 연속적인 조건을 필요로 한다.만일 이들 조건 중에 하나라도 충족되지 않는다면, 그에 해당되는 과정이 전체반응에 대한 제한단계(limiting step)가 된다. 이와 같은 금속 알콕사이드의 배위착물 형성과 전자재배치 가능성은 금속원자의 부분적인 양의 전하, 원자반경(rM) 그리고 M의 최대공유결합성에 의해서 영향을 받는다. 즉, 의 증가는 전자의 재배치를 용이하게 하는 반면, 원자반경의 증가와 최대공유결합성의 증가는 반대효과가 있다.3-2-2. 실리콘 알콕사이드의 가수분해/중축합 반응일반적으로 실리콘 알콕사이드의 가수분해와 축합은낮은 pH에서는 둘 모두 바르지만 높은 pH에서 축합은가수분해의 속도에 의해 조절된다. 보통 이들 두 반응은거의 동시에 함께 진행된다.(1)가수분해(Hydrolysis)실리콘 알콕사이드의 가수분해는 물분자에 포함된 산소의 친핵공격(nucleophilicattack)에 의해 다음식과 같이 일어난다.① 산성촉매에서의 가수분해Pohl과 Osterholtz에 의하면 일반적으로 실리콘 사면체의 배열의 반전(inversion)이 일어나는 Sn2(bimole-cular Nucleophilic Substitution) 메카니즘으로 설명한다. 즉, 산성촉매하에서 알콕사이드기에는 우선 양성자가 빠르게 달라붙는다. 그리고는 실리콘의 전자밀도가 낮아지면서 더욱 친전자성(electrophilic)을 띠게 되어 H20의 공격을 받기가 더욱 쉬워진다. 따라서 물분자는 실리콘 사면체의 후면을 공격하여 양의 전하를 띠게 한다. 이 알콕사이드의 양의 전하는 감소하게 되고 알코올을 더 좋은 탈리그룹(leaving group)이 되게 한다. 이때 실리콘 사면체의 배열의 반전에 의해 전이상태가 사라지면서 알코올이 떨어져 나온다.또한 Keefer와 Uhlmann 등은 실리콘 사면체의 배열의 반전 없이 H2O가 실리콘의 옆면에서 공격하는한 실리콘을 가진 2분자 중간체를 제안했고, Grubbsul는 알콕시실란의 축합을 Sn2'-Si 메카니즘으로 설명하였으며, Swain등은 안정한 5배위 중간체를 가지는 Sn2"-Si 혹은 Sh'-Si 메카니즘을 제안하였다.3-2-3. 전이금속 알콕사이드의 가수분해/축합반응전이금속 알콕사이드 M(OR)z는 유리와 세라믹스의 분자 전구물로서 광범위하게 사용된다. 일반적으로 금속 알콕사이드는 음전성(elect-ronegative)이 큰 OR그룹(hard donors)의 존재로 인해매우 반응성이 커서 M을 친핵공격을 받기 쉽게 만든다. 졸겔법에 가장 일반적으로 사용되는 전구물인 IV족의 실리콘 알콕사이드 [Si(OR)4]와 전이금속 알콕사이드의 차이를 설명하면 다음과 같다.① 전이금속의 낮은 전기음성도(electronegativity)가 전이금속을 더욱 친전자성을 띠게 하므로 가수분해, 축합과 친핵반응(nucleophilic reaction)에 대하여 덜 안정하도록 한다.② 전이금속은 몇 개의 안정한 배위를 나타내고 배위적으로 불포화 되면 전이금속은 elation, oxolation, alkoxy bridging 또는 다른 친핵회합(nucleophilic associa-tion) 메카니즘을 통하여 그들의 배위를 화장시킬 수 있다. 예를 들어 비극성용매에 용해된 전이금속 알콕사이드는 종종 elation과 유사한 An 메카니즘인 alkoxy bridging을 통해 올리고머를 형성한다.알코올과 같은 극성 용매에서는 alkoxy bridging이나 alcohol association이 일어날 수도 있다. 그러나 Si(OR)4에서는 N=z이고 oligornerization도 alcohol association도 관찰되지 않는다.③ 전이금속 알콕사이드의 큰 반응성으로 인해 균질한 겔을 제조하기 위해서는 가수분해 조건이나 습도를 엄격하게 조절하는 공정이 요구된다.④ 일반적으로 친핵반응의 급속한 반응속도 때문에 전이금속 알콕사이드의 가수분해와 축합에 관한 기초연구는 Si(OR)4에하고 r:E2이면수산화물이나 수화된 산화물은 쉽게 침전된다. 그러니 낮은 r값과 세심하게 조절된 가수분해 조건하에서는 atcoxolation과 alcolation 으로 인해 단결정으로 분리되어 X-ray crystallography로 화인할 수 있는 oxo-alkoxide생성물을 만든다.3-2-4. 입자졸(particulate sols)수용액에서 성장한 일차입자들은 수산화물의 용해도로 인해 용해(dissolution)와 재석출(reprecipitation)이 일어나서 치밀한 구조를 형성한다. 이 과정은 비수용액계에서는 일어나기 어려워서 알코을 용매계에서 성장한 겔은 일반적으로 입자보다는 중합된 종들로 이루어진다. 일단입자들이 생성되면 응집에 대한 장벽(정전기적이거나입체적인)이 존재하지 않을 경우 반 데르 발스 인력 때문에 응집하려고 하는 경향이 있다. 안정한 졸에서의 입자의 배열은 배위수가 약 ~8이며 불규칙하지만 치밀한 적층(packing)같이 액체내의 원자들의 배열과 유사하다. 일단 안정성이 파괴되면 프랙탈(fractal) 차원이입자간 힘의 성질에 의존하는 그런 프랙탈 구조를 가진응집체가 형성 된다. (즉, 이방성 정전기장 혹은 자기장은 더욱 엉킨 클러스터(cluster)를 생성한다).3-3. 겔의 형성(Gelation)앞에서 논의한 가수분해와 축합반응은 클러스터들의 성장을 일으키며 이들은 결국 충돌하면서 서로 연결하여 겔로 된다. 고상(solid phase)을 연결하는 결합이 영구적인가 혹은 가역적인가에 따라 "강한"겔 또는 "약한"겔로 정의하기도 한다. 그러나 flory의 지적처럼 강한것과 약한 것의 차이점은 시간 스케일의 문제이다. 실리카 겔의 공유성 실록산(siloxane) 결합조차도 깨어질 수가 있어서 겔이 비가역(점성) 변형(deformation)이 천천히 진행 될 수가 있다. 따라서 겔화를 일으키는 화학반응은 겔화점이 훨씬 지나서도 계속됨으로서 유동(flow)이 일어나거나 겔의 구조와 성질의 점진적인 변화를 일으키게 된다. 겔화에 관한 가장 간

공학/기술| 2009.10.18| 17페이지| 2,500원| 조회(582)

세라믹스, 졸겔, SOL-GEL, gel, sol

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오실로스코프,Oscilloscope와 Impedance Analyzer 평가A+최고예요

1. Impedance Analyzer원리 및 측정방법1.1 Impedance Analyzer의 측정방법임피던스를 측정하기 위해서는 여러 측정 방법 중에서 각기 장단점을 고려하여 적절한 방법을 선택할 수 있습니다. 먼저 측정에 필요한 사항과 조건을 고려한 후, 주파수 범위, 측정 정확도, 작동의 편이성들을 고려하여 가장 적합한 방법을 택해야 합니다. 하나의 측정 방법에 모든 측정 기능이 포함될 수는 없으므로, 여러 측정 방법 중에서 최적의 조건을 고려하여 가장 좋은 방법을 택해야 합니다.그림 2-1은 저주파에서 마이크로웨이브 구간에 이르는 곳에서 사용되는 6가지 임피던스 측정 방법을 나타내고 있습니다. 표 2-1에는 여러 가지 측정 방법의 장단점, 적절한 주파수 범위, 각 방법에 대한 대표적인 응용 사례들이있습니다. 측정 정확도와 작동의 편이성만을 고려한다면 110 MHz 이상에서는 자동 평형 브리지 방법을 사용하는것이 가장 좋습니다. 그밖에 100 MHz에서 3 GHz까지는 RF I-V 방법이 가장 좋으며, 3 GHz 이상에서는 네트워크분석 방법이 가장 좋습니다.1.2 Impedance Analyzer의 작동원리1.2.1 RF I-V방법이론RF 임피던스 분석기와 RF LCR 미터의 특징이라고 할 수 있는 RF I-V 방법은 자동 평형 브리지 방법의 주파수 범위를 넘어선 고주파수 범위에서 임피던스 파라미터를 측정할 수 있는 진일보된 기술입니다. RF IV 방법은 네트워크 분석 (반사 계수 측정)보다 임피던스 범위가 더 넓고 정확합니다.1.2.2 RF I-V구성신호원 부분은 미상의 디바이스에 사용할 수 있는 테스트 신호를 발생시키며 주파수의 범위는 1MHz와 3GHz(일반) 사이입니다. 일반적으로, 주파수 합성기는 주파수 정확도, 분해능, 스위프 기능의 필요에 맞도록 사용됩니다. 그리고 출력 감쇠기에 의해서 필요한 테스트 레벨로 신호원 출력의 크기가 조절됩니다.테스트 헤드 부분은 전류 감지 트랜스포머, V/I 멀티플렉서, 그리고 테스트 포트로 구성됩니다. 측정 있습니다. V채널 신호인 Edut는 DUT 양단간의 전압을 나타내며 I 채널 신호인 Etr은 DUT를 통해 흐르는 전류를 나타냅니다. 측정 회로 임피던스는 50?으로 고정되어 있기 때문에 모든 측정은 범위를 조정하지 않고 50?를 기준으로 이루어 집니다.벡터 비율 검출기 부분은 자동 평형 브리지 장비와 회로 구성이 유사합니다. V/I 입력 멀티플렉서는 Edut 신호와 Etr 신호를 번갈아서 선택하기 때문에, 트래킹 에러를 범하지 않기 위해 두 벡터 전압이 동일한 벡터 비율 검출기 로 측정됩니다. 두 전압의 측정 비율은 Zx = 50×(Edut/Etr)의 식으로 미상의 디바이스 임피던스를 구할 수 있습니다. 벡터 측정을 보다 용이하게 하도록 혼합 회로는 Edut와 Etr 신호 주파수를 A/D 컨버터의 작동 속도에 맞는 IF 주파수로 하향 변환합니다. 실제로 2중형이나 3중형 IF 변환은 불필요한 신호가 없는 IF 신호를 얻는데 사용됩니다. 벡터 전압은 A/D 컨버터에 의해 디지털 데이터로 변환된 후 논리적으로 0도와 90도 벡터 성분으로 나뉘어집니다.1.2.2 RF I-V 측정방법과 네트워크 분석 방법의 차이RF 영역에서 부품을 테스트할 때, RF I-V 측정 방법은 종종 네트워크 분석 측정 방법과 비교됩니다. 여기서는 원리상의 차이에서 주로 네트워크 분석 측정 방법으로 사용되는 반사 계수 측정 방법보다 이점이 있다는 사실을 알 수 있습니다.네트워크 분석 방법은 미상의 디바이스의 반사 계수값 Γx를 측정합니다. Γx는 다음 공식에서 임피던스와 상호 연관성이 있습니다.Γx = (Zx-Zo)/(Zx+Zo)여기서 Zo는 측정 회로의 특성 임피던스(50?)이며 Zx는 DUT 임피던스입니다. 이 공식에서 측정된 반사 계수는 임피던스 Zx에 따라 -1에서 1까지 변할 수 있습니다. 임피던스와 반사 계수의 관계가 그림 2-14의 그래프로 나타나 있습니다. 그래프에서 반사 계수 곡선은 DUT가 저항력이 있음을 보여줍니다. 그래프에 나타난 것처럼 Zx가 Zo에 가까울 때(즉, 며 이 때에는 임피던스 측정 정확도가 떨어집니다. 이와 대조적으로 RF I-V 방법은 옴의 법칙에 따라 전압 대 전류의 비율과 임피던스의 선형 관계를 기초로 합니다. 따라서 이론상의 임피던스 측정감도는 측정된 임피던스와는 관계없이 변하지 않습니다(그림 2-15 (a) 참조). RF I-V 방법은 직접적 브리지의 널 평형점(Γ=0 또는 Zx=Zo) 주위의 임피던스가 아주 좁은 경우를 제외하고는 반사 계수보다 측정 감도가 높습니다.반사 계수 측정은 지향성 브리지가 리액턴스성 임피던스에 대해 널 평형점을 갖지 않기 때문에 용량성 임피던스나 유도성 DUT에 대해 감도가 높지 않습니다. RF I-V 방법의 측정 감도는 측정 회로가 잔류 성분을 포함하고 있고, 전압계와 전류계가 이상적이지 않기 때문에 DUT에 따라 다양하게 변합니다 (그림 2-15 (b) 참조). (전압계와 전류계 배열은 측정 감도에 영향을 미칩니다.) RF I-V 방법의 측정 가능한 임피던스 범위는 이러한 오차 요인에 의해 한정되어 있지만 네트워크 분석 방법보다는 적용 범위가 더 넓습니다. RF I-V 측정 방법의 일반적인 임피던스 범위는 0.2?에서 20 k?까지이며 네트워크 분석방법은 2?에서 1.5 k?까지입니다. (임피던스 범위는 필요한 정확도와 측정 주파수에 따라 달라집니다.) 게다가 위상 트래킹 오차를 없애기 위해서 벡터 비율 측정이 다중화되고 저손실 커패시터를 위한 교정을 사용하기 때문에 낮은 방열 계수(높은 Q 계수)의 정확하고 안정적인 측정이 가능합니다. 네트워크 분석 방법과 RF I-V 방법 간 Q 계수의 정확도는 그림 2-16에 비교되어 나타나 있습니다.1.2.3 주요측정기능OSC 레벨발진기 출력 신호는 50?의 소스 임피던스로 동축 테스트 포트(동축 커넥터)를 통해서 출력됩니다. 발진기 출력 레벨은 DUT에 사용된 테스트 신호 레벨을 바꾸기 위해서 조절될 수 있습니다. 지정된 테스트 신호는 커넥터가 50?의 부하로 끝났을 때 얻어집니다. (개방/단락 조건에 대한 신호 레벨은 50?니터 기능을 갖춘 장비는 계산된 테스트 신호 레벨과 측정 결과를 보여줍니다.테스트 포트RF I-V 장비의 테스트 포트는 일반적으로 고주파수 영역에서 정확도를 유지하기 위해서 정밀 동축 커넥터를 이용합니다. 동축 테스트 포트는 RF 테스트 픽스처를 연결 가능하게 하고 추적 가능한 동축 표준 터미네이션을 사용해서 장비를 교정할 수 있게 해줍니다. 테스트 포트는 2단자 구성이며 접지 단자에서 분리된 보호 단자가 없습니다. 따라서 보호 기법은 네트워크 분석과는 대조적으로 RF I-V 측정에는 적합하지 않습니다.교정(Calibration)네트워크 분석기와 같은 대부분의 RF 벡터 계측기는 새로 측정을 할 때마다, 혹은 주파수 설정을 바꿀 때마다 다시 교정될 필요가 있습니다. RF I-V 계측기 또한 교정이 필요합니다. 고주파수에서 주위의 온도, 습도, 주파수 설정 등과 같은 장비 작동 조건이 바뀌면 측정의 정확도에 큰 영향을 미칩니다. RF 벡터 측정의 이런 특성 때문에 오랜 시간이 지나면 교정된 측정 값에 오차가 생기기 쉽습니다. 따라서 사용자는 정기적으로 필요한 교정을 해야합니다.보상보상 기능에는 두 가지 종류가 있습니다. 테스트 포트 연장으로 인한 오차를 최소화 하기 위한 전기적 길이 보상과, 테스트 픽스처의 잔류 성분 때문에 생긴 오차를 없애기 위한 개방/단락 보상이 그것입니다.측정 범위네트워크 분석과 RF I-V 측정 방법은 작동 범위를 정하지 않아도 낮은 임피던스부터 높은 임피던스까지 모든 측정 범위에서 가능합니다. 모든 측정은 하나의 광범위한 범위에서 이루어 집니다.DC 바이어스내부 DC 바이어스 소스는 동축 테스트 포트의 중심 도체에 연결되어서 바이어스 전압을 DUT에 인가하게 됩니다. 내부 바이어스 기능은 전압원 모드나 전류원 모드로 설정될 수 있습니다. 전압원 모드는 바이어스 전압을 걸어 사용하며 용량성 DUT 측정에 적합합니다. 전류원 모드는 바이어스 전류를 걸어 사용하며 유도성 DUT 측정에 적합합니다. DUT 양단에는 실질적인 바이어스 전압과 전 (최대 공급 전류를 초과한) 전류에 바이어스가 걸린 측정에는 외부 바이어스 방법을 사용 할 필요가 있습니다. 1 GHz이하의 주파수 범위에서 5A까지의 전류와 40V까지의 전압에 바이어스를 거는 데는 RF I-V 장비와 호환되는 16200 B 바이어스 어댑터를 사용할 수 있습니다.2.오실로스코프 (Oscilloscope)Oscilloscope는 기본적으로 probe로 측정된 전압을 화면상에 표시해주는 장치이다. 시간변화에 대한 전압의 변화뿐만 아니라, 어떤 시스템의 입력전압에 대한 출력전압의 변화를 나타내는 전달특성까지 측정할 수 있는 아주 유용한 장비이다.2.1 오실로스코프(Oscilloscope) 동작원리CRO (Cathode Ray Oscilloscope)Fig. 1.1은 CRO의 원리도이다. Cathode가 가열되면 cathode로부터 전자가 튀어나오고, 튀어나온 열전자는 anode를 지나는 동안 선명한 beam을 형성하여 앞으로 진행하다가 수직 편향판(vertical deflectionplate)에 받는 전압과 수평 편향판(horizontal deflection plate)에 걸리는 전압에 각각 비례하는 힘을 받아 진행방향이 바뀐다. 이것이 CRT(cathode ray tube) 앞 면의 형광물질에 충돌하여 밝은 점이 생긴다. 이렇게 생긴 점이 빠르게 이동하며 남기는 잔상으로 입력되는 전압을 영상으로 확인할 수 있게 된다. 예를 들어, sine파의 전압을 수직 편향판에, 수평 편향판에는 0V를 인가하였다면 전자빔은 CRT의 중앙에서 상하로 움직일 것이다. (sine파의 주파수를 1Hz 정도로 낮추었을 경우 움직임을 관찰할 수 있음) 이 때, 수평 편향판에 주기적인 톱니파를 인가하면, 전자빔에 의한 화면의 밝은 점은 sine 전압에 의한 상하 운동과 톱니파에 의한수평방향의 등속운동에 따라 수평축으로 펼쳐진 sine파를 그리게 된다.[Fig. 1.1] CRO의 원리도Triggering ControlsCRO의 화면에서 안정된 (흘러가지 않는) 파형을 얻기ng

공학/기술| 2009.10.18| 14페이지| 2,000원| 조회(1,013)

오실로스코프, Impedance Analyzer

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