㎌ 으로 주어진 경우, T _{1} =T _{2} =0.5 m sec 가 되도록 아래 그림 1의 신호발생기를 OrCAD를 이용하여 설계하고 설계도를 제출하라. ... 설계실습 계획서 3.1 OrCAD PSPICE를 사용한 Oscillator의 설계 (A) L _{+} =-L _{-} =12V , R _{1} =R _{2} =1 ㏀, C = 0.47
그리고 (B)에서 Plot 한 simulation결과를 보면 약 2.1229 V에서 MOSFET가 동작하였다. Data sheet에서 Gate threshold voltage 즉 Gate를 활성화 시키는 voltage는 2.1 V임을 알 수 있다. 측정값은 2.122..
기초회로이론 실습과제 1. 회로도 & 파형 그림 SEQ 그림 \* ARABIC1 그림1 과 같이 회로를 구성하였다. 이에 따른 파형은 그림 SEQ 그림 \* ARABIC2 그림 2와 같이 나오는 것을 있었다. Average voltage는 대략적으로 13~15V이 되는..
6-1 MOSFET의 특성 parameter 계산(A) 첨부된 Data Sheet(혹은 이론 교재 파일의 것을 이용하여도 무방)를 이용하여 VT, kn을 구하여라. kn을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술하라. 또한, Data Sheet에서 구한 kn을 이..
(C) 설계한 Oscilator의 동작원리를 기술한다. (이론부 참고)-> AnswerOP-Amp의 출력전압이 L+ = 12V 에 있었다고 가정 한다. 이 때 출력단자는 R과 C를 통해 접지되어 있으므로 출력전압은 Capacitor C를 charge시키게 되며 따라서..
그리고 PCB 샘플을 받아 ORCAD 회로도와 비교하며 PCB 설계의 기본적인 개념을 파악했습니다. ... 먼저 ORCAD를 이용하여 IC의 부품 라이브러리를 작성하고 회로를 그린 후 Netlist를 작성하였습니다. ... 현장실습을 하면서 ORCAD와 PADS의 사용방법을 익혔고 회로도 작성 및 PCB 설계의 기본적인 개념을 이해하였습니다.
(OrCAD 활용) (그림 자료 5 : 태브냉 정리 실험 5.a 태브냉 등가회로) b) 단자 A, B를 무부하(개방)로 한 상태에서 A, B 사이의 전압을 계산한다. ... (OrCAD 시뮬레이션을 통해 검증) 실험절차 3에서는 부하저항을 고려하지 않고 개방 했기 때문에 일치하지 않지만 부하저항을 고려할 경우 노튼의 등가회로와 테브냉의 등가회로는 쌍대회로이므로
이 값을 가지고 Orcad로 시뮬레이션한 결과 R _{1} =430 OMEGA 일 때 주기가 0.1ms정도 임을 확인할 수 있었다. ... 위상은 orcad에서 따로 측정하지는 못하였지만 캐패시터의 특성으로 인해 주파수 변화에 따라 입력 전압과 출력 전압 사이의 위상차가 존재할 것이고 시뮬레이션 파형으로 위상차가 존재함을 ... 이는 0.1ms와 약간의 큰 오차를 보였다. orcad 시뮬레이션을 반복하여 주기가 0.1ms가 나오는 소자 값을 살펴본 결과 C=0.1uF, R _{1} =1k OMEGA 정도 일