Titanium dioxide thin films were fabricated as hydrogen sensors and its sensing properties were tested. The titanium was deposited on a SiO2/Si subst..
This paper describes the fabrication of AlN thin films containing iron and iron nitride particles, and the magnetic and electrical properties of such..
To obtain the transistor with ambipolar transfer characteristics, IGZO/SiOC thin film transistor was prepared on SiOC with various polarities as a ga..
따라서 silicon nitride에 탄소를 도핑한 박막을 사용하게 된다. ... M1 주변의 박막은 TaN Cu의 기판으로의 확산 방지막이다. M1위에는 확산방지막으로 SiCN을 사용한다. ... M1위의 Nitride 박막 제거한다. Cu는 공기중 노출 시 자연산화 되어 Oxide층이 생긴다. 이를 제거후 파란색의 확산방지막 TaN를 증착한다.
박막크로마토그래피(Thin Layer Chromatography) Date : 2017년 9월 25일 Group 2 Ⅰ. ... 또한 밀폐된 공간을 미리 전개액의 증기로 포화시켜 전개액이 박막을 따라 전개되면서 증발이 일어나지 않기 때문에 보다 정확한 결과를 얻을 수 있기 때문이다. ❖ TLC판을 가열/건조
Magnetostrictive actuator is fabricated with epoxy bonding method instead of sputtering method in this study. Fabrication process and experimental me..
박막의 광학 특성과 비교하였다. ... TiO2 및 Ag 박막에서는 복소굴절률을 사용하므로써 실제 증착박막에서 측정된 특성과 근접한 투과도 곡선의 예측이 가능하였다. ... Transfer matrix를 사용하여 TiO2 및 Ag 단일 박막과 TiO2/Ag/TiO2 다층 박막의 두계에 따른 투과도 특성을 예측하였으며, 이를 실제 스퍼터 증착하여 제조한
PZT박막의 경우에도 WDS로 측정한 조성은 박막의 두께에 따른 정확한 보정이 필요하다. ... 본 연구에서는 WDS를 이용하여 PZT박막의 조성을 측정할 때, 얇은 박막의 경우에도 조성을 정확하게 알아낼 수 있도록 박막의 두께에 따른 조성의 보정법을 제시하였다. ... 또한, 박막의 두께를 직접 측정하는 과정없이 WDS분석 결과로 얻는 각 원소들의 [ZAF]k 의 합으로부터 박막의 두께를 이론적으로 구하였으며, 이를 실험값과 비교하였다.
DLC(diamond-like carbon)박막을 RF PCVD법으로 증착하여 일반적인 증착특성과 마찰.마모특성사이의 관계를 알아보기 위해, 증착속도, 박막경도, 내무압축응력 및 박막내의 ... DC self-bais, 즉 충돌에너지가 커지면 박막의 증착속도와 경도는 대체로 증가하고, 박막내의 압축응력은 최대값을 가지다가 다시 감소됨을 알 수 있언ㅆ다. ... 또한 박막내의 수소량은 급격히 감소하다가 포화됨을 알 수 있었다.
/TiN/Ti/Si구조의 다층박막을 제조하였고 이에 대한 열처리 방식 및 분위기 변화 등을 통해 열처리 조건에 따른 Cu 박막의 특성 변화에 대해 조사하였다. ... Sputtering 방법을 통해 Si기판 위에 Ti와 TiN박막을 증착하고 저압 반응관내에서 Cu*hfac)(TMVS)를 precursor로 사용 MOCVD Cu박막을 증착하여 Cu ... 열처리 방식으로는 Cu박막을 형성한 후 공기 중에 노출이 없이 바로 열처리하여 Cu산화물 형성을 억제할 수 있는 in-situ열처리 방식이 유리하고, 열처리 분위기로는 Cu 박막의
W가 5a/0첨가된 V0.95W0.05O2박막은 약 0˚C의 천이돈도를 나타내었고 Sn이 0.5a/o V0.995W0.005O2박막의 경우에는 300˚C의 기판온도에서 증착한 후 450 ... 또한, VO2박막을 알곤중에서 어닐링하면 500nm이하의 파장에서는 그 투과율이 상당히 낮아지는 것으로 나타났다. ... spectrophotometer로 측정하였다. 300˚C의 기판온도와 400˚C 어닐링 온도가 VO2 박막이 결정화되기 때문인 것으로 확인되었다.
증착된 CrN박막은 CrN과 Cr2N의 두 상으로 구성되어 있었다. CrN박막은 보호적 Cr2O3층을 형성하여 기판을 산화로부터 보호하였다. ... 이온질화처리는 CrN박막의 내산화성에 영향을 주지 않았다. 한국재료학회 한국재료학회지 이동복, 이영찬 ... 아크이온 플레이팅 장치를 이용하여 STD61강 기판 위에 이온질화 전처리를 행하거나 하지 않은 후, CrN 박막을 증착하고, 대기중 700~900˚C의 온도에서 40시간동안 이들에
R-sapphire 기판위에 rf magnetron 스퍼터 방법으로 ZnO 박막을 증착하여 박막의 증착변수에 따른 결정성장방향과 SAW 특성을 분석하였다. ... 증착온도, 압력, rf 전력에 의해 박막 성장면이 (002)에서 (110)으로의 전이가 관찰되었다. 5mTorr, 400˚C, 250W의 rf 전력에서 가장 우수한 (110)방향의 ... 에피 ZnO 압전 박막의 SAW 특성을 분석하기 위하여 제작된 마스크를 사용하여 IDT를 구성한 후 SAW 특성을 분석한 결과 h/λ=0.08의 조건에서 전단속도가 약 5232m/s로서
고효율 박막형 태양전지 제조를 위해 근접승화법에 의한 CdTe박막의 성장을 연구하였다. ... X선 회절분석과 표면형상의 관찰을 통해 성장속도가 박막의 미세구조에 영향을 줌을 알았다. ... 소스의 형태에 따라서 박막의 성장속도와 미세구조는 큰 차이를 보였으며, 실험을 통해 이러한 차이가 증발표면의 온도강하에 의한 현상임을 규명하였다.
Sm(Co0.5Fe0.5)5 조성박막의 경우, 800˚C, 20분 열처리에 의해 약 6.1MGOe의 (BH)max을 보였다. ... 본 박막자석의 자기적 성질의 증대를 위해서는 시료제작 방법의 개선이 필요하다고 사료 된다. 한국재료학회 한국재료학회지 김택수, 홍연기, 김종오 ... 증착법을 이용하여 Sm(Co1-xFex) 및 Sm2(Co1-xFex)17(X=0, 0.3,0.5,0.7)박막을 제작하여 조성변화 및 열처리 온도 변화에 따른 자기적 성질의 변화에 대해
