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"sic/xe" 검색결과 61-74 / 74건

  • 한글파일 디스플레이 최신기술동향분석
    *참고자료 삼성SDI(http://www.samsun ... 저가격화를 위해 전체 가격의 50% 아상을 차지하고있는 스캔 및 데이터구동IC의 가격을 낮추기 위해서 LG전자에서는 기존의 듀얼스캔 방식에서 소자의 수를 절반 이하로 줄인 싱글 스캔 ... Overdrive하는 방법등이 보고되고 있다. 2.PDP(Plasma Display Panel) PDP는 전면유리와 배면유리 및 그사이의 칸막이에 의해 밀폐된 유리사이에 Ne+Ar, Ne+Xe등의
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.17
  • 한글파일 PDP에관하여
    이 성질을 이용하여 디지털 방식의 계조(gray scale)구현을 할 수 있으며, 현재 256 계조표시능력을 갖는 Full Color PDP가 개발되어 있다. ... 형광체의 개발은 풀 컬러화를 목표로 진전되어 왔으며 Xe의 147nm여기를 대상으로 진행되어 왔다. 3. ... 이러한 특징으로 인해 PDP는 inverter와 converter 기술을 비롯한 전력전자 기술, 고내압 IC 관련 기술, 방열처리기술 등이 많이 요구되고 있으며 최근에는 부품수를 줄이기
    리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.10.30
  • 워드파일 PDP의 기술적 특징과 시장동향에 관한 연구
    배기 후 Xe/Ne/He 등의 방전 가스를 670hPa 정도의 압력으로 채워 넣고, 외기압의 힘으로 기판은 격벽에 밀착된다. 가스 봉입이 완료되면 유리관을 막고 자른다. Ⅲ. ... 상업적인 생산이 시작된 1997년에는 후지츠 21인치 패널에 적용된 스크린 인쇄법이 실용화된 격벽 형성 방법이었지만, 지 금은 40인치급 등에 sand blast법이 대부분 적용되고 ... PDP기술 동향 및 최근 이슈를 통해 본 산업전망 1.PDP기술 동향 현재 PDP 기술 개발에 있어 가장 중요한 과제는 화질과 비용을 해결하이 IC 업체를 중심으로 이루어지고 있다.
    리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.05.26
  • 한글파일 [디스플레이 공학]PDP기술전망
    여기된 원자들은 에너지를 방출하고 기저상태로 돌아가게 되는데 Xe원자의 경우 147 nm의 UV를 방출하게 된다. ... PDP에 사용되는 구동 IC의 소요비용을 줄이기 위하여 낮은 방전전압이 필요하게 되는데 이 방전전압은 방전가스의 조성과 압력에 따른 이온화계수(타운젠트계수)와 cathode의 전자방출특성으로 ... 그림 1은 가스방전 중에 발생하는 중요한 반응을 간단하게 나타낸 것이며 PDP에서 페닝효과를 나타내는 전형적인 가스조성(Ne+수% Xe)을 사용하고 있다.
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.07
  • 한글파일 [평면디스플레이] 평면 디스플레이의 모든것[LCD, PDP, CRT, ELD, VFD, LED, FED]
    진공의 방전 공간 안에 봉입된 가스는 Ne과 Xe을 혼합한 것과 He와 Xe을 혼합한 것이다. ... 저전압화의 경우에는 현재의 200V구동전압을 30V정도까지 낮출 경우, CMOS구동IC의 이용이 가능하다. ... 가격면에서는 가격의 1/3을 점유하고 있는 고내압 구동 IC의 가격을 낮추는 것이 중요하며 많은 개선이 이루어지고 있다.
    리포트 | 32페이지 | 4,000원 | 등록일 2004.11.05
  • 파일확장자 간단한 어셈블리어 프로그램
    1. 1에서부터 100까지의 합2. 1에서부터 100까지의 짝수의 합3. 임의의 두 수를 입력받아 그 사이의 합4. 임의의 두 수를 입력받아 그 사이의 짝수의 합
    리포트 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2000.09.19
  • 한글파일 시스템프로그래밍
    이러한 단점을 해결하여 자기의 프로그램이 어디에 저장되는지 알 필요가 없고 필요한 주소를 기호(symbol)로 나타낼 수 있는 것이 어셈블리어(assembly language)이다. ... SIC/XE의 상대주소모드 모 드 플래크 비트 유 효 주 소 계산 베이스 상대주소 b=1, p=0 TA= (B) + disp ( 0 disp 4095 ) 프로그램카운터 상 대 주 소 ... 1 1 1 1 1 12 op n i x b p e disp 형식 4 (4 bytes): 6 1 1 1 1 1 1 20 op n i x b p e address 그림 1.3 SIC/XE
    리포트 | 31페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.08.30
  • 한글파일 [반도체] PVD 리소그라피
    건식 과정은 산소 플라즈마 시스템 안에서 감광제를 산화시켜(태워서) 제거한다. 3.광마스크 제조 IC의 마스크는 각각의 마스크를 확대 사이즈로 그리는 주사(scanning) 방법에 ... Source 리소그라피 공정에서 쓰이는 광원은 일반적으로 다음과 같은 광원을 사용한다. (1)High pressure arc lamp (Hg-Xe) 광원의 크기가 5mm정도로 작아서 ... 여기에 실리콘 산화막 층이 형성되면 표면은 실리콘 산화막 층 두께에 따라 다른 hing)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이
    리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.18
  • 파워포인트파일 [디스플레이 공학]PDP (Plasma Display Panel) 제조공정
    전면 Glass기판 내면의 동일면상에 평행하는 한 쌍의 선 전극이 있고, Panel 내부에 Ne + Xe + α 가스를 봉입한 구조로 되어있다. 2. ... S/Q Paste 2. 인쇄 Mechanism S/Q(Squeezer)가 그림에서의 붓의 역할을 하고 Paste가 물감의 역할을 함으로써 인쇄를 하게 된다. ... 검사 휘도, 전압 Module 조립 FPC 방습제 도포 Dry PCB 조립 Module 검사 Module Aging IC 방습제 도포 보호 Case 부착 면 세정 보호 Film 부착
    리포트 | 38페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.04
  • 한글파일 [방막공학] 박막제조
    화학증착은 현재 상업적으로 이용되는 박막제조기술로 가장 많이 활용되고 있으며 특히 IC등의 생산 공정에서는 매우 중요한 단위공정이다. ... evaporation은 증착할 물질을 기화하는데 있어서 열에너지를 이용하는 방법이다. a Sputtering의 원리 Sputtering은 진공 중에서 불활성 기체 (주로 Ar, Kr, Xe ... 일반적으로 sputtering 방법은 증착 속도가 느리고 증착할 수 있는 두께의 한계가 있으며 alloy나 ceramic 등과 같이 여러 물질이 조합된 물질을 증착할 경우에 조성비를
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.04
  • 파워포인트파일 [센서,디스플레이]센서
    아래 그림에서 bulb 안의 수은의 팽창율은 유리의 scale에 의해서 측정된다. 온도계. 4-7. ... 관성식 (2) 자이로식 (3) 실력 센서 ② 체온 측정기용 등에는 온도 센서 ③ 혈액 분석계에는 Na이온, K이온 등을 검출하는 이온 센서 ④ X선과 CT 장치에는 X선 센서로써 Xe ... 광센서의 종류에는 포토다이오드, 포토트랜지스터, 포토 IC, Cds, 태양전지, CCD 이미지 센서 등 특수한 것 : 광전관, 포토멀, 촬상관 광센서를 사용하면 로봇을 자동적으로 이동
    리포트 | 88페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.10.13
  • 파워포인트파일 [센서] 센서의 종류?
    아래 그림에서 bulb 안의 수은의 팽창율은 유리의 scale에 의해서 측정된다. 온도계. 1-7. ... 관성식 (2) 자이로식 (3) 압력 센서 ② 체온 측정기용 등에는 온도 센서 ③ 혈액 분석계에는 Na이온, K이온 등을 검출하는 이온 센서 ④ X선과 CT 장치에는 X선 센서로써 Xe ... 광센서의 종류에는 포토다이오드, 포토트랜지스터, 포토 IC, Cds, 태양전지, CCD 이미지 센서 등 특수한 것 : 광전관, 포토멀, 촬상관 광센서를 사용하면 로봇을 자동적으로 이동
    리포트 | 88페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.04.08
  • 한글파일 2차전지의 양활성물질의 특성
    또한 0.5mm 두께의 초박형으로 만들 수 있기 때문에 IC카드와 같은 극히 얇은 기기 속에도 장착할 수 있는 등 카메라와 컴퓨터 등 첨단 전자 제품에 많이 응용되고 있다. { 1- ... 스피넬 구조의 LiMn2O4를 양극으로 사용한 리튬 이차전지의 경우, 다음 식과 같이 충방전시에 리튬이온이 전극 내로 가역적인 출입을 하게 된다. { Mn2O4 + xLi+ + xe ... selected cycles.
    리포트 | 38페이지 | 2,500원 | 등록일 2002.10.08
  • 한글파일 디지털 시계
    다만 한가지 아쉬운 점은 디지털 시계를 만들기 위해 많은 LED와 디지털 IC를 사용하였기 때문에 소비 전력이 매우 크게 나와, 일반 건전지로다. ... 포트가 영향을 받지 않도록 */ } interrupt[0x0b] void T0_int(void) /* 타이머 인터럽트가 발생했을 때 실행되는 함수 */ { TH0=0xbe; TL0=0xe6 ... 실험재료 1) 1차 구상 회로 · LM555 - 2.7㏀, 1㎌, 5㏀(VR) · 74LS193 * 3개 · 74LS47 * 2개 · 74LS154 * 1개 · 7-segment *
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.12.21
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