원인은 반드시 존재한다고 생각했기 때문에 집요하게 원인을 찾았고, 저는 SiN의 Surface Energy가 낮아서 PR과의 Adhesion이 좋지 않다고 생각했습니다. ... 포토 공정을 진행한 뒤 표면을 분석한 결과, 3개 웨이퍼의 소자 수율은 90% 수준으로 안정적이었으나, 나머지 7개 웨이퍼에서 SiN 위의 PR이 OVERDVLP되어 수율이 50%에
Sin90/sinθc=n 5) 편광된 빛의 세기 세기가 I0인 선편광된 빛을 편광방향과 각도 θ로 기울어진 편광판으로 통과시키면 통과된 빛의 세기는 다음과 같다. ... Θb=θr Θr+θr`=90 Sinθb/sinθr`=n 반사각: θr, 굴절각 θr`, 매질의 굴절률 n) 4) 전반사 임계각 굴절률이 큰 매질에서 작은 매질로 빛이 진행할 때 입사각이
V2 =10 Sin (120πt)를 만들기 위해 VOFF: 0, VAMPL: 10m FREG: 60, TD:0, DF:0의 파라미터를 이용한다. ... V1 = 5 Sin (120πt)를 만들기 위해 VOFF (DC전압): 0, VAMPL(AC 진폭): 5, FREG(주파수): 60, TD(Sine Wave의 시작 시간):0 DF(
V2 =10 Sin (120πt)를 만들기 위해 VOFF: 0, VAMPL: 10m FREG: 60, TD:0, DF:0의 파라미터를 이용한다. ... V1 = 5 Sin (120πt)를 만들기 위해 VOFF (DC전압): 0, VAMPL(AC 진폭): 5, FREG(주파수): 60, TD(Sine Wave의 시작 시간):0 DF(
아래의 사진이 바로 클리핑 가변저항을 너무 높여버린 케이스이다.(5K옴 이상으로) SIN파의 위의 부분이 클리핑되어 있는 시뮬레이션 결과이다. ... 진폭을 3배로 만들어 OPAMP에 10V가 들어간만큼의 SIN의 발진이 되었다. 발진이 일어날 때까지 폐루프 이득 3보다 커야하기 때문에 1k옴이 적당하고 판단을 하였다.