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PRAM 소자 아이디어 ReRAM PRAM MRAM종류 Reram PRAM PCM pram의 동작원리
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"Phase Change Memory(PRAM)" 검색결과 1-18 / 18건

  • 자료 표지
    Introduction of Phase Change Memory (PCM, PRAM 간략 보고서)
    1. 개요최근 메모리 시장에서는 플래시 메모리를 대체할 기술로서 Phase-Change Memory, PCM이주목받고 있다. PCM은 재료의 결정 상태의 변화에 따라 전기적인 ... 저항 값이 크게 변화하는특성을 이용하여, 이를 메모리 소자로 사용하는 기술이다. 현재 많이 사용되고 있는 NAND, NOR Flash Memory의 성능 또는 용량의 한계를 극복
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.17
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  • 판매자 표지 자료 표지
    차세대메모리 반도체(MRAM, PRAM, RRAM) 발표자료
    =221246714175 . [11] PRAM(Phase Change Random Access Memory) . (2018). Retrieved from https://web.yonsei ... rystallization ability of Ge-Sb-Te phase-change memory materials. Nature materials, 7 , 399-405 [13] Furqan ... COMMED I AContents 1 2 3 4 기존 메모리 반도체 - DRAM - NAND FLASH 차세대 메모리 반도체 - MRAM - PRAM - RRAM
    리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.08
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  • 자료 표지
    내로우 값을 이용한 상변화 메모리상에서의 에너지 소모 절감 기법 (Reducing Method of Energy Consumption of Phase Change Memory using Narrow-Value Data)
    한국인터넷방송통신학회 김영웅
    논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.12 | 수정일 2025.03.28
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  • 자료 표지
    PRAM을 위한 Ge-Se-Te 박막의 상변환 특성 (Phase Change Characteristics of Ge-Se-Te Thin Film for PRAM)
    한국전기전자재료학회 신재호, 이현용, 김병철, 여종빈
    논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.21 | 수정일 2025.05.23
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  • 자료 표지
    비휘발성 차세대 메모리
    스위칭 특성height 변화에 의한 스위칭 특성이 나타나게 됩니다.PRAM (Phase Change Random Access Memory)PRAM은 최근에 주로 연구가 되고 있 ... 고 있습니다. 이에 따라 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자로는 ReRam(Resistance RAM), PRAM(Phase change RAM), MRAM(Magnetic ... 에 심각한 문제를 초래할 수 있습니다. 만약 메모리를 구매했는데 1년밖에 쓰지 못한다면 누가 그 메모리를 사용하려고 할까요?PRAM(Phase change RAM)은 OUM
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20
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  • 자료 표지
    메모리의 개념 과 종류 및 특징
    를 저장함으로써 ‘0’과 ‘1’을 구분하는 Flash memory(NANA-type, NOR-type), 전압인가에 따라 ‘상’이 변하는 성질을 활용한 PRAM(Phase ... 합니다. 메모리제품은 크게 두 종류로 나뉘어 집니다. 기억된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수 있는 메모리인 RAM(Random Access Memory)과 읽는 것 ... 은 가능하지만 다시 기록할 수 없는 ROM(Read Only Memory)가 있습니다.이런 큰 틀에서 파생된 많은 메모리들이 있습니다. 여기서도 메모리가 휘발성(Volatile
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20
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  • 자료 표지
    RAM(Random Access Memory)에 대한 모든 자료 입니다.(RAM의 의미, 종류와 특징, 향후 개발 방향 등)
    를 Change RAM)Phase change RAM(PRAM, PCM) 또는 Ovonix Unified Memory(OUM)은 결정이 무정형(amorphous) 상태와 결정상태 ... halcogenide) 합금이 PRAM의 가변저항의 물질로 연구되고 있다.Phase Change Memory 기술은 DVD-RW의 기술에 대한 응용으로 다양한 방향에서 연구가 진행 ... PRAM 7 NFGM 8 SDRAM 9 VRAM 9 FPRAM 10 EDORAM 10 SGRAM 11 RDRAM 11 MDRAM 11? 향후 차세대 Memory 반도체 개발방향
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.01.03
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  • 자료 표지
    비휘발성 차세대 메모리에 대해 조사
    RAM : 강유전체램), PRAM (Phase Change RAM : 상변화램), NFGM (Nano Floating Gate Memory : 나노튜브램), PoRAM ... halcogenide) 합금이 PRAM의 가변저항의 물질로 연구되고 있다.Phase Change Memory 기술은 DVD-RW의 기술에 대한 응용으로 다양 한 방향에서 연구 ... 반도체를 대표하는 DRAM과 Flash Memory는 서로 보완적인 장단점을 가지고 있다. DRAM은 동적 랜덤 액세스라는 이름처럼 저장된 자료에 접근하는 경로가 자유롭기 때문
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.08
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  • 자료 표지
    차세대 비휘발성 메모리
    기시간내구성 취약상대적 고비용차세대 메모리들은 메모리 반도체를 구성하는 기본 단위를 이루는 물질에 따라서 종류가 구분된다.P(Phase Change)램은 상변화를 일으키는 물질을 이용 ... I. 메모리의 2가지 종류메모리는 데이터 접근 방식에 따라 크게 일기만 가능한 ROM(Read Only Memory)과 읽기와 쓰기가 가능한 RAM(Random Access ... Memory)로 나뉜다.이들 메모리들은 기술의 발전에 따라 점차 새로운 메모리가 등장하여 오늘날에는 매우 다양한 메모리 타입이 존재하게 되었다.ROM은 재기록이 전혀 불가능한 마스크롬
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    | 리포트 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2009.07.18 | 수정일 2018.11.24
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  • 자료 표지
    p-ram
    개 요1.서론2. 상변화 기술이론(2.1) 기본이론(2.2) 상변화 기록 및 재생 원리3 .PRAM(Phase change RAM), OUM(Ovonic Unifed Memory ... )(3.1) .PRAM(Phase change RAM),(3.2) .PRAM Basic Operation(3.3) PRAM (Writing)(3.4) PRAM READ(3.5 ... 이론 과 비휘발성 메모리,PRAM(Phase change RAM) 에 대한 연구를 통해서 화제가 되고 있는 비휘발성 메모리에 대한 전반적 발전 방향을 모색해 보았다.2. 상변화
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    | 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.09.28
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  • 자료 표지
    차세대 비휘발성 메모리
    서 론기술 동향FeRAM(Ferroelectric RAM: 강유전체 램)MRAM(Magnetic RAM: 강자성 램)PRAM(Phase Change RAM: 상변화 램)PoRAM ... ), PRAM(Phase Change RAM: 상변화 램), ReRAM(Resistance RAM: 저항 램), PoRAM(Polymer RAM: 폴리머 램), NFGM(Nano ... (Polymer RAM: 폴리머 램)NFGM(Nano Floating Gate Memory: 나노 부유 게이트 메모리)산업 동향결론참고 문헌서론비휘발성 차세대 메모리는 데이터의 비
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    | 리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.20
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  • 자료 표지
    PRAM(Phase change RAM)의 동작원리와 개발동향
    Phase Change Random Access Memory (PRAM)◆ 목 차Ⅰ. PRAM의 개발 필요성 Ⅱ. PRAM의 구조 및 동작 특성 Ⅲ. 타 Memory와 PRAM ... 제시는 179oC 이상 필요Ⅲ. 타 Memory와 PRAM의 특성 비교• PRAM은 DRAM과 플래시 메모리의 장점만을 융합한 통합형메모리Ⅳ. PRAM의 개발동향 (국외)• ECD ... 가 있기 때문에 기입 시간의 고속화의 벽이 예상 ♦ PRAM은 플래시(flash memory)로부터 파생한 것 ♦ 지금까지의 메모리 기술 개발의 축적된 기술이 활용되면 단기간
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    | 리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.30 | 수정일 2021.08.12
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  • 자료 표지
    [공학기술]요즘 새로 나온 저장매체(2005년이후로)
    (Phase Change RAM.상변화메모리) = 특정 물질의 상(相) 변화를 판단하여데이터를 저장하는 차세대 메모리 반도체로 최근 삼성전자가 세계 최초로 64 메가 P 램시제품 개발 ... , 화상정보는 동화상 부호화에 의해 압축되어장시간의 영상정보의 저장이 가능해진다. 그리고 신호처리에 의해 고감도로 기록정보는재생된다.[주기억장치]1. PRAM영문명은 PRAM이다. 상 ... 하는 디램의 장점을 모두 가지고 있는 차세대 메모리반도체이다.- PRAM의 특성에 관하여현재 메모리반도체를 대표하는 D램은 속도가 빠른 대신 전원이 끊기면 데이터가 날아가는단점이 있
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.22
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  • 자료 표지
    메모리 반도체 소자의 분류와 특성, 경향
    다. 현재 비휘발성 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM(Phase Change RAM), NFGM(Nano Floating Gate Memory), ReRAM ... 에서 이상적인 메모리로 각광받고 미국, 일본, 유럽에서 대단히 활발하게 연구가 진행되고 있다.4. 차세대 메모리와 종류. Phase Change RAM(PRAM)PRAM은 물질의 상 ... 다.. 휘발성 메모리휘발성 메모리는 전원이 끊기면 정보가 사라지는 메모리를 말한다.0) DRAM (Dynamic Random Access Memory)DRAM은 동적 램으로 한 개
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    | 리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.24
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  • 자료 표지
    ReRAM(Resistive Random Access Memory)의 동작 특성 및 개발 현황
    시켜서 저항의 차이가 생기게 만드는 메모리(Chalcogenide물질이용)ReRAM의 특성Phase Change Memory Chalcogenide (GeSe..) Thermally ... Resistive Random Access Memory차세대 비휘발성 메모리ReRAM의 특성초거대 자기저항 물질을 전극사이에 삽입하여전기장에 의한 저항의 변화를 이용하는 메모리 ... (CMR 물질이용) PRAM과 비슷한 구조를 가지나 PRAM이 상변화를 위해 높은 전류를 요구하는 것에 반해 항상 비정질 구조를 유지하면서 Ovonicswitch의 문턱전압을 변화
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    | 리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.01 | 수정일 2021.08.12
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  • 자료 표지
    메모리에 대해서
    가 구분된다. P(Phase Change) 램은 상변화를 일으키는 물질을 이용하여 메모리 반도체를 구성하는 것이며, F(Ferroelectric) 램은 강유전체 물질을 이용 ... 메모리에 대해서메모리는 또 데이터 접근 방식에 따라 크게 읽기만 가능한 ROM(Read Only Memory)과 읽기와 쓰기가 가능한 RAM(Random Access memory ... 는다.가. RAMRANDOM ACCESS MEMORY의 약자로 기억된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수 있는 메모리이지만, 전원이 꺼지면 기억된 내용은 지워져 버리는 단점이 있다. 이렇게
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.25
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  • 자료 표지
    [정보저장공학, 반도체재료]광메모리(optical memory)와 상변화메모리(phase change memory) 기반기술
    광메모리와 전기메모리 기반기술 - 상변화(phase change) 기술(1) 기본이론상변화 디스크의 기본원리는 무척 단순하다. 비정질(amorphous)과 결정질(Crystal ... 은 지난 10년동안 매우 급변했다. 표 [표1.2-2-2]는 광메모리용 상변화 물질 연구의 역사를 보였다. 1970년대 초에 레이저를 이용한 가역 상전이(phase
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    | 리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2004.12.06
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  • 자료 표지
    PORAM(Polymer RAM) 의 동작 특성 및 특징
    이상) - 다양한 논리소자와 인터페이스 가능 ⇒ 모바일,정보통신,가전분야에서 이상적인 메모리로 주목 종류 - PRAM ( Phase Change RAM) - PoRAM ... (Polymer RAM) - ReRAM (Resistance RAM) - NFGM (Nano Floating Gate Memory) 등등..차세대 비휘발성 메모리- PRAM, NFGM ... , ReRAM : C-MOSFET공정과 접합이 용이 PoRAM : 1 R구조로 제조 공정 단순 - 동작속도 : PRAM ReRAM NFGM ≥ PoRAM차세대 비휘발성 메모리PoRAM
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    | 리포트 | 41페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.01 | 수정일 2021.08.12
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2025년 12월 07일 일요일
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