Abstract Y2Ti2O7 nanoparticles (0.3 mol%) have been successfully synthesized by the co-precipitation process. The samples, adjusted to pH7 with ammon..
A thick film of Li7La3Zr2O12 (LLZO) solid-state electrolyte is fabricated using the tape casting process and is compared to a bulk specimen in terms ..
SnO2/TiO2 후막은 TiO2 결정상 보다 주로(SnO2)·6T 결정상으로 나타났으며, 1300˚C에서 소결된 후막소자의 평균입경은 2.0μm이었다. ... TiO2가 5-50wt%첨가된 SnO2/TiO2 후막형 감습소자를 스크린 프린팅 법을 이용하여 제조 하였다. ... 소자의 표면결정구조를 XRD, SEM 그리고 FTIR로 조사하였으며, 전기적 특성에 의한 후막소자의 감습특성을 측정하였다.
Indium doped SnO2 thick films for gas sensors were fabricated by a screen printing method on alumina substrates. The effects of indium concentration ..
The effects of an addition of CNT on the sensing properties of nano ZnO:CNT-based gas sensors were studied for H2S gas. The nano ZnO sensing material..
분산특성이 다른 두 종류의 Ag 분말과 점도가 다른 두 종류의 유리를 사용하여 Ag 후막 도체를 제조하고 이들이 후막의 미세구조에 어떠한 영향을 미치고 그 미세구조가 전기특성에 미치는 ... 이러한 미세조직의 치밀화가 후막의 면저항값을 제어하기 때문이다. ... Ag 분말의 분산특성이 좋을수록 그리고 사용된 유리의 점도가 낮을수록 후막의 미세구조는 잘 발달된 치밀한 조직을 보였으며 면저항값도 감소하였다.
고온에서 증발된 금속 갈륨 (Ga)을 암모니아 (NH3) 기체와 직접 반응시켜 사파이어 (α-Al2O3) 기판 위에 GaN 후막을 성장하였다. ... X-선 회절기 (X-ray diffraction)와 광루미네센스(photoluminescence) 분석결과로 GaN 후막이 (1010) 면으로 성장되면 황색발광이 증가됨을 관찰할 수
그러나 이들 TCR modifier들을 적당량 첨가함으로써 후막저항체의 TCR과 저항값을 원하는 바대로 얻을 수 있다는 가능성을 확인하였다. ... RuO2와 glass의 비가 20/80과 12/88인 두종류의 후막저항계에 NTCR 특성을 나타내는 여러종류의 산화물을 첨가하였을때 저항체의 TCR과 전기비저항이 어떻게 변화하는가에
AIN과 저온 GaN 완충충율 이용하여 Si 기판 위의 후막 GaN의 성장특성을 조샤하였다. ... 성장온도와 V/III 비율이 후막 성장시 표면특성과 결정성 및 성장속도에 미치는 영향을 조사하였다. ... 또한 저온에서 GaN를 성장시켜 이를 완충충으로 이용하여 후막 GaN의 성장시 미치는 영향을 살펴보았다.
Porous thick film of alumina which is fabricated by freeze tape casting using a camphene-camphor-acrylate vehicle. Alumina slurry is mixed above the ..
The effects of a Ni coating on the sensing properties of nano ZnO:Ni based gas sensors were studied for CH4 and CH3CH2CH3 gases. Nano ZnO sensing mat..
ZnS:Cu,Cl 형광체를 이용하여 ITO/glaas 기판위에 스크린인쇄법으로 적층형과 혼합형 구조로된 2종류의 교류전계 발광소자를 제작한 후 인가전압과 주파수에 따른 광학적, 전기적 특성을 조사, 비교하였다. 적층헝의 경우 발광휘도는 400Hz, 200V 구동전압에서..