"피스파이스 vdd"의 검색결과 입니다.

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2단증폭기 2n7000 kn two stage op amp JFET 특성

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"피스파이스 vdd" 검색결과 1-20 / 25건

여러 가지 Inverter의 DC 특성 실험 레포트(예비,결과)

시간적인 문제로 두 번째 실험을 제대로 진행하지 못하였었다. 그래서 피스파이스로 회로를 구성해 보았는데, 그림3이 각각의 NMOS와 PMOS를 이용한 인버터 회로를 구성해놓은 것이 ... 던 그 전의 실험 결과가 이번에는 잘 나오지 않아 시간을 많이 뺏겨서 두 번째 실험을 정상적으로 진행하지 못하였다. 피스파이스로 회로를 구성하여 결과 값을 알아보고 그 이유 ... 결과 레포트- 실험 결과 및 고찰지난 번 실험은 CMOS의 회로를 다음 그림1과 같이 구성을 한 뒤, VDD값을 5V로 고정한 후 Vin에 사각 파를 인가해서 Vout 파형

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| 리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서4

.1은 triode 영역에서 계산한 수식이지만 3.2의 피스파이스의 시뮬레이션은 saturation 영역에서 계산한 수식이기에 이런 차이가 발생한 것 같다.(E) PSPICE ... 여라.(VDD=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.10

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아주대학교 A+전자회로실험 실험3 예비보고서

(%)11.0955712.81470.0120.012실험1삼각파를 가했을 때 피스파이스의 출력 전압은+V _{p-p}가 76.256mV이고, -V _{p-p}가 -77.436mV인 일정 ... voltage and balance the input voltages.OFFSET NULLOUT6OAmplified signal output+VDD7IPositive supply ... voltage-VDD4INegative supply voltage콘덴서: 커패시터(capacitor)라고도 불린다. 회로에서 전하를 충전하거나 방전하는 역할을 한다. 보통 2장의 금속

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.06.10

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Pspice 이론, 실습

.피스파이스의 시뮬레이션 실행은 Text Editor 창에 입력파일 내용 작성 후 저장을 하여 다시 열고 시뮬레이션 run을 시킨다. 이때 입력파일을 저장할 때 이름은 반드시 뒤 ... 커FET은 BJT와 달리 반드시 기판마디 번호가 지정되어야한다. 기판마디번호는 일반적으로 PMOS는 VDD에 NMOS는 GND마디에 연결한다. 모델명은 회로에 사용된 MOSFET

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| 리포트 | 14페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.10.13

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전기전자공학기초실험--JFET 특성 및 바이어스

는 ID와 VGS만 존재하게 된다.3. 예비 실험값 및 피스파이스(1) 포화전류 IDSS와 핀치오프 전압 Vp의 측정(2) VGS와ID의 전달특성과 출력특성 실험 예상값V _{GS ... 성 접촉으로 소스라하는 단자에 연결되어 있다. 2개의 p형 물질은 함께 합쳐져 게이트 단자에 연결된다. VDD(=VDS)를 인가하면 전하의 흐름으로부터 드레인과 소스 전류는 같음을 알

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| 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.09.02

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mosfet을 이용한 2단증폭기1

여 SCTC 공식을 이용하여 실험을 계속 하였으나 커패시터와 저항 값을 계속해서 변경 시켜도 컷오프 주파수를 맞추기가 힘들었다. 그리고 피스파이스 결과와 실제로 설계한 회로도를 가지 ... Report주제 : MOSFET을 이용한 2단 증폭기 설계Spec : Gain 80배 이상Cutoff Frequency 1Mhz※ VDD 30V, 입력신호 진폭 100mV Sin ... Cgdo=6.487p Cbd=74.46p Mj=.5+ Pb=.8 Fc=.5 Rg=546.2 Is=10f N=1 Rb=1m)Vin 2 0 sin(0 100mv 100k 0 0)Vdd 4

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| 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.11.17

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mosfet을 이용한 2단증폭기설계 레포트201211602

므로 게이트 전압V _{GG}는 7.5V가 되는 것을 볼 수 있고, 현재 피스파이스 시뮬레이션을 하면 게이트 소스 전압이 VGS=3.35V가 된다. 따라서 소스 전압V _{SS}를 구해보 ... 은 다음과 같다.●Spec : Gain 80배 이상Cutoff Frequency 1Mhz※ VDD 15V, VSS ?15V, 입력신호 Vp-p : 100mV Sin wave 고정 ... 1 N25883 N25743 N25777 N25777 MbreakNV_-VDD N25525 0 -15M_M2 N26143 N26055 N26073 N26073 MbreakNV_+VD

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| 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.11.17

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전자회로실험 차동증폭기 예비보고서

.53691이며, 이 값은 위에서 피스파이스로 측정한 4)의 값과 동일한 것을 확인할 수 있다. 차동 모드 입력에서 전압이득은Adm = -gm*RD = -16m*1k = -16이며, 이 ... 값은 위에서 피스파이스로 측정한 5)의 값과 거의 동일한 값이다. 따라서 이론 값과 피스파이스 측정값의 두 전압이득이 같으므로, 그 비인 CMRR값 또한 동일하다. 피스파이스 ... *gm*Rss 값을 높이면 된다. gm값은 크게 변하지 않으므로 Rss를 바이어스 상태내에서 높이면 된다. 단 이럴 경우 전압이득은 작아지게 된다. 위의 피스파이스의 5), 6

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.31

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전자회로실험 공통 게이트회로의 특성 예비보고서

회로가 포화상태에서 저항 RD값을 변경하여도 전류 ID는 변하지 않는다. 아래는 이것을 피스파이스에서 확인한 결과이다. 아래와 같이 저항값을 변경해도 포화영역을 만드는 VDD값 ... = 1.468배이다. 위의 피스파이스 결과 전압이득이 1.489배 인데 거의 동일한 값이 출력되는 것을 확인할 수 있다. 입력임피던스는 1/gm 이므로 1/15.5m = 64.5 ... 옴으로 피스파이스로 구한 58.5옴과 매우 유사하고, 출력임피던스는 이론적으로 RL =100옴인데 피스파이스에서 94.73옴으로 구해지는 것을 확인할 수 있다. 위상의 변화는 존재

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| 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.31

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인하대 전자회로 최종프로젝트

이 아예 없는 것을 사용해야함을 알수 있었다. 그리고 피스파이스로 회로를 구현 할 땐 파이 모델보다 T모델로 구현하는 것이 더 쉬움을 알 수 있었다. 하지만 수치적 분석을 할땐 ... 는 주파수를 구할땐 20logAv(밑에 그림 1 참고)를 통해서 구해야 하지만 피스파이스 자체 회로에서 구현하기에는 우리에게 한계가 있어서 기존 주파수 범위에 따른 각 노드의 출력 ... 의 초기조건을 이용하여 구해놓고는 정작 회로를 피스파이스로 구현하였을 때는 그러한 초기조건을 이용하지 않았다는 사실을 알게 되었고, 그로인해 오차가 발생한다고 결론을 짓게 되

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| 리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.04.14

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전자회로실험 MOSFET 특성 및 동작원리

.7955k옴이다. 이것은 위의 피스파이스에서 구한 입력임피던스와 동일한 값이다. 출력임피던스는 RL값으로 600옴인데 위에서 피스파이스로 구한 출력임피던스와 동일한 값이다. 그리고 ... 전압이득 Av = Vout / Vin = -gm*RL = 14.3208 (kn는 약 30m, 따라서 gm = 23.868)이고 위의 피스파이스에서 전압이득 Av = 70/48.5 ... =14.50으로 거의 동일한 결과가 출력되었다. 전류이득은 Ai는 피스파이스에서 269.5배로 나온다.3. Common Drain 회로3.1 실험 결과에 대한 이론적 분석

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.31

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전자회로실험 - FET-BJT

2.2Vds, 6.5mA에서 찾을 수 있다.5.3 FET증폭기(spec : Vdd=12V, Zi?4MΩ Zo?3MΩ Av?5, Vo?2Vpp )위 피스파이스는 첨두치 0.3Vpp ... 을 확인할 수 있다.5.4 FET OUTPUT 임피던스 측정피스파이스에서 첨두치를 0.3Vpp를 입력을 준결과 Vo가 0.15Vpp가 나오는 것을 확인할수있으며 실제실험결과 0.3 ... mVpp 붉은선 =17.4mVpp5.6 FET+BJT증폭기(spec : Vdd=24V, Zi?4MΩ Zo?3MΩ Av?300, Vo?10Vpp )OPAMP증폭기를 이용해서 18

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| 리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.05.16

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전자공학실험 2단증폭기 프로젝트 결과보고서

해서 만들어줌으로써 설계한대로 결과를 얻을 수 있었다.그림 16에서 납떔을 완성한 사진과 그림 17에서 피스파이스를 이용해 완성한 회로를 직접 기판에 구현한 모습이다.5 ... 은 다음과 같다.●Spec : Gain 80배 이상Cutoff Frequency 1Mhz※ VDD 15V, VSS 15V, 입력신호 Vp-p : 100mV Sin wave 고정출력 ... 면 커에는 설계 회로에 대한 패턴도를 확인할 수 있다. 초기 VDD에 30V를 인가시키는 것으로 조건이 주어졌었다. 그 때 아래와 같은 패턴도를 구성했었고, VDD와 VSS에 각각

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| 리포트 | 10페이지 | 8,000원 | 등록일 2015.06.23

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전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 6주차 결과

-22번 실험의 경우 다이오드를 이용한 회로 특성의 결과값이 잘 얻어진 것을 확인할 수 있었다. 실제 측정한 값에서도 피스파이스의 결과값과 큰 차이를 볼 수 없었지만 한 가지 주 ... 하였을 때(IS=10-14A, n=1)ID=IS 에서 10-14 = 이고 VD=0.67851VID =10-14 = 2.15567mA[1-2] VDD 값을 변경하면서 DIODE 회로

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| 리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.09 | 수정일 2017.02.12

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fet 특성 및 증폭기 예비보고서 피스파이스 넷리스트 시뮬레이션 파형 결과 포함

번식에서은 무시가 가능하다 그래서=가 성립한다.5. 피스파이스 시뮬레이션- 그림6(a) -> "2-1.cir 참조"Vgs=0V일 때 Id값 Vgs=-5V일 때 Id값Vgs=-10V일 ... 는 n채널 소자에 직류 바이어스 전압을 걸었다. 드레인-소스 사이에 Vdd전압을 공급하여 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 한다. 게이트와 소스사이에는 역방향 바이어스 전압 Vgg를 걸 ... = SOURCE#3 = GATE# 이론J-FET의 특성+VDD+VDDRDRDRLVOUTC3RSRGRGRSC1Vin㉡ 교류해석(게이트에서 신호전압)(전압이득)(출력신호전압)㉠ 직류

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| 리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.24

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CMOS - TTL interface 예비보고서

에서 출력에 저항을 넣은 형태인데 피스파이스를 통하여 돌려보면은 입력이 둘다 그라운드로 0일 때 출력값이 저항이 증가함에 따라서 조금씩 일정부분 까지 증가하는 것을 확인할수 있다.R1 ... device가 동시에 만들어 질 수 있는 장점을 지님. 기본 회로는 inverter로서 (a)에 있는 바와 같이 p-channel FET와 n-channel FET로 구성된다. VDD ... 는 +3～18[V] 사이이고, low level은 0[V], high leveldms VDD이다. COMS inverter의 동작원리를 이해하기 위하여 MOSFET의 특성을 정리

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.06.03

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[토끼] 3학년 1학기 실험 MOSFET

사이에서 ID는 증가하고 VDD는 o으로 감소하는 것을 확인 할 수 있다. 이는 피스파이스의 DC seep을 하였을 때와도 같은 결과이고 데이터 시트와도 비슷한 것을 확인 할 수 ... 하는지 소자명을 알 수 가 없었다. 그래서 피스파이스에서 적당한 소자를 선택 사용하였으며 따라서 실험 소자와 시뮬은 약간의 차이가 있을 것으로 예상된다. 시뮬레이션은 조건대로 VGS ... .0000.0000.0000.0020.0060.014VDD11.99411.99411.99411.99411.99411.99211.99011.983VGS2.5002.6002.7002

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| 리포트 | 16페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.01.08 | 수정일 2020.07.13

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디지털실험 8 예비 실험 8. CMOS – TTL interface

는 0이다. 나머지 결과를 살펴보면.1이던 0이던 깨끗하게 입력값으로는 나오지 않고 정말 실험하는 것 같은 값이 나온다. 피스파이스의 특성때문.5V줄때5볼트 줘도 결과가 제대로 나옴 ... hannel FET와 n-channel FET로 구성된다. VDD는 +3～18[V] 사이이고, low level은 0[V], high leveldms VDD이다.COMS ... 되고, n-channel FET가 on되므로 출력은 low가 된다. 여기서 알 수 있는 바와 같이 두 개의 FET중 하나는 항상 off되므로 CMOS Vdd-Gnd사이에 연속적으로 전류

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| 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.30

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전자회로실험 cascade 예비보고서

이므로 부호가 + 이므로 위상은 동일하며, 이론값은 위에서 계산한 것과 같이 43.56인데 피스파이스에서 구한 42.88과 거의 동일한 것을 확인할 수 있다. 이것은 1번 ... .64 인데 피스파이스에서 구한 -252.041과 거의 동일한 것을 확인할 수 있다. 이것은 1번 Stage의 증폭기에서 gm1*R4 = 15.8배, 2번 Stage의 증폭기 ... .5V로 잡고, 저항 R3를 500k옴으로 잡으면 2mA가 흐르므로, 1V가 걸리고, 따라서 저항 R1에 걸리는 전압은 1+1.5 =2.5V이다. VDD가 5V이므로 R2에도 2.5

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.31

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MOSFET MEASUREMENT-결과 보고서

되지 않아 전류가 흐르지 않는다. 또한 문턱 전압은 실제 회로에서 영향을 끼치기도 하는데 mosfet에는 그 문턱 전압을 뺀 전압이 인가된다는 것이다.위의 것은 피스파이스로 돌린 ... 을 하나 추가해보았다.저항을 5옴 추가해서 보낸 결과 거의 9V에 가깝게 나옴을 알 수 있다.우리 조에서 실험한 결과는 Vp= 8.776V로 측정되어 피스파이스의 결과 값과 매우 ... 특성 커브전압 Vgg 와 Vdd(가변 전압으로 기호화되어 있다)는 신호원으로 사용되는 직류 전원이다. 필수적인 것은 아니지만 저항 Rg 와 Rd는 우연히 발생되는 단락 회로에 덜

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| 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.02

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