건 식 식 각 I NDEX 1 건식식각의 원리 2 건식식각 종류 3 문 제 점 4 건식식각 장비 1 건식식각의 원리 건식식각의 원리 금속 , 세라믹 , 반도체 표면에서 불필요한 부분 ... 이용 식각건식식각의 원리 Wafer 건식식각의 원리 Wafer plasma 건식식각의 원리 영향 요인 Gas Flow( 가스 유량 ) Process Gas( 가스 종류 ) RF ... 을 화학적 , 물리적 으로 제거 하여 원하는 모양을 얻는 공정 VS 건식식각 습식 식각건식식각의 원리 물리적 식각 Sputter Etch 화학적 식각 Reactive Radical
건식식각(Dry Etch) 식각하고자 하는 막질의 종류에 따라 Gas를 사용하여 플라즈마 반응을 발생시켜 식각하는 것을 말한다. ... 이와 같은 문제를 해결하기 위해 개발된 기술이 건식식각이라 하겠다. ... 이방성 식각(Anisotropic Etch) 주로 Gas를 이용한 건식식각의 경우 필요한 부분만 선택적으로 Etch하는 특성이 우수하다.
O2plasma와 H(hfac)을 이용한 Cu 박막의 건식식각을 조사하였다. ... Taper angle을 갖는 Cu 건식 patterning은 고해상도의 대면적 thin film transistor liquid-crystal(TFT-LCDs)를 위래 필요한 것으로써 ... Cu 박막의 식각율은 50-700 /min의 범위를 보였으며, 기판온도, H(hfac)/O2 유량비, plasma power에 따라 변하였다.
cylindrical magnetron을 사용하여 이의 플리즈마 성질을 가한 자장의 함수로 조사하고, 또한 CHF3와 CF4/H2를 3mTorr의 낮은 압력하에서 사용하여 실리콘의 반응성 이온 건식식각 ... 식각상태를 얻을 수 있었다. ... 또한 여러 자장의 크기 및 개스 분위기하에서 식각한 실리콘으로 제조한 Schottky다이오드의 전류-전압 특성으로 식각으로 인한 실리콘의 손상정도를 측정하였다.
We investigated dry etching of acrylic (PMMA) in O2/N2 plasmas using a multi-layers electrode reactive ion etching (RIE) system. The multi-layers ele..
재현성이 좋음 건식식각의 단점 wet etch 에 비해 선택비가 낮음 . ... 물리 , 화학적 방법 - RIE (Reactive Ion Etching) 건식식각건식에칭이 각광받는 배경 초고집적회로 (ULSIC) 시대로 접어들면서 미세소자 제조가 필요함 소자의 ... 패시베이션 공정 건식식각의 장점 이방성 식각이 가능 → 미세한 패턴 화학물질을 사용하지 않아 비용이 저렴 ( 습식식각에 비해 ) 식각시간 조절 가능 공해가 적고 안전 자동화가 용이
We report on the capacitively coupled O2 plasma etching of PMMA and polycarbonate (PC) with a diffusion pump. Plasma process variables were process p..
BCI3/H2/Ar ICP(Inductively Coupled Plasma)를 이용한 GaN이 건식식각에 있어서 공정변수들이 식각 특성에 미치는 영향을 분석하고 적정조건을 도출하였다 ... Bias 전압이 낮은 경우 식각 후 시료 표면에 GaCx로 추정되는 식각부산물이 관찰되었다. 한국재료학회 한국재료학회지 김성대, 정석용, 이병택, 허증수 ... 연구 결과 식각속도와 측벽수직도 공히 ICP 전력, bias 전압과 BCI3 조성의 증가, 공정압력의 감소에 의해 현저히 증가하며, 온도의 증가에 따라 다소간 증가하였고, 온도의 증가에
본 연구의 결과 건식식각과정에서 알콜계 공용매의 첨가는 대체로 식각 성능을 저 하시킴을 알 수 있었다. ... HF원액을 사용한 건식식각 실험은 종횡비 1 : 150의 외팔보 빔까지 기 판과 접착없이 단독으로 서 있는 형태로 제작되었다. ... 건식식각 실험은 초임계 이산화탄소에 50% 불산 (HF) 원액과 공용매 (물, 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알콜)를 사용하여 진행되었다.
This study investigated dry etching of acrylic in capacitively coupled SF6, SF6/O2 and SF6/CH4 plasma under a low vacuum pressure. The process pressu..
식각속도가 낮다. 식각내내 stage 가 회전하여 균등하게 식각을 한다. 뉴트럴 필라멘트는 양의 이온에게 전자를 공급해주어서 워크 플레이트가 양의 전압으로 바뀌는 것을 막아준다. ... 전혀 없어서 화학반응이 없는 다양한 substrate 를 식각할 수있다. but selectivity사 낮다. ... Ion milling : 이온의 가속을 통하여 표면 atom 을 sputtering 시켜 식각함 , Anisotropy 가 큼, 불활성 기체(대부분 아르곤을 많이 사용) 사용하여 화학응이