"스퍼터링 증착"의 검색결과 입니다.

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스퍼터링 기상반응법 sputtering dc/rf magnetron rf sputtering evaporator CVD 도금 스퍼터 반도체 공정

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"스퍼터링 증착" 검색결과 521-540 / 637건

콜로이드화학법을 이용한 금속화학물(ZnO) 나노분말 제조

(Physical Vapor Deposition)PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 ... (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법 (PLD, Pulsed Laser ... Deposition) 등이 있다. 이 방법들이 공통적으로 PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.06

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[공업화학공학] 광촉매결과 리포트

")으로 입히고 투명전극 층인를 스퍼터링법으로 증착한 후 금속전극을 입힌다. 이미 4ft2 모듈 (module)에서 11%의 효율이 기록된 바 있으며 실험실에서는 17%를 상회 ... 에 p-type 반도체인 CIS층을 증착하고 그 위에 n-type CdS를 주로 화학적 용액성장법 (chemical bath deposition, CBD 또는 "Dip-Coating ... 하는 효율이 재현성 있게 기록되고 있다. CIS층은 진공증착 또는 금속막을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 등으로 만들어진다. CIS의 밴드갭이 작은 편이

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| 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.01.28

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[반도체공학]반도체 공정

의 증착에 사용되며, 이에는 진공 증착(vacuum evaporation)법과 스퍼터링(sputtering)법 등이 있다. 반면 ... 로 분해되며, 실리콘 원자는 가열된 웨이퍼 표면에 증착되어에피층을 형성하고, 분해된 수소가스는 가스 상태로 그대로 남기 때문에 실리콘 성장에 영향을 미치지 않는다.■ Oxidation ... 도선들의 연결작업이 이루어지는 것이다.■ Deposition- 반도체 공정 중 원하는 재료를 기판 위에 증착시키는 공정을 박막증착(thin filmdeposition) 공정이

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| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.05

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포토리소그라피(photolithograpy)공정의 기본과 금속배선공정인 무전해, 전해도금의 기초 및 원리

Fabrication)Ⅱ. 금속 배선 기술1. Sputtering1.1 Sputtering의 개요- 스퍼터링은 전자 박막재료 증착 과정 중 하나인 Physical Vapor ... 하게 되는 현상을 말한다.그림 . Sputtering의 기본 원리(출처 : www.cstl.nist.gov)박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 ... 어 양극에 대해 음의 전위(Potential)로 유지된다. 전해 액에는 증착하고자 하는 금속 이온이 환원 가능한 형태로 존재하게 된다. 기판이 음 전위로 유지되므로 전자들이 노출

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.17

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[진공공학]진공 기술 기초

PECVD (DC, HF, RF,ECR, pulsed DC) 특징 합성 방법 진공증착과 스퍼터링의 비교 비교항목 진공증착 스퍼터링  증발원  퇴적속도  퇴적원자의 에너지  퇴적막 ... 개발  재료연구  물리연구  표면연구  MBE  튜브공정  집적회로생산  장식용 코팅  입자가속  화학연구  E-beam, 용접  기상 증착  이온주입 ...  식품생산  진공 증착  냉동건조 증류법 전지제품  열처리 '토리첼리의 진공'을 나타내는 수은주 1 기압 = 76 cmHg 만약 H2O (물)을 사용하면 Hg의 밀도 : 13

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| 리포트 | 64페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.12.29 | 수정일 2025.01.22

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thin film process와 핵생성과정

{금속재료실험 REPORT(Thin Film Process & Nucleation mode){10 -. CVD와 PVD 증착법의 원리와 차이점CVD1 CVD의 정의 : 반응기체 ... 의 화학적 반응에 의해 기판에 증착하는 방법{2 CVD의 원리많은 화학반응들은 solid막의 증착이나 가열된 기판위에 기체물질로부터 1인치 두께의 코팅을 입히는데 유용하다. 이 ... 가 화학기상증착을 줄여서 CVD라고 부르는 과정은 금속, 합금중간금속, 붕소, 실리콘, 탄소, 붕화물, 규화물, 탄화물, 질화물, 산화물, 황화물 등의 증착에 유용하(MW

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| 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.09

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PVD & CVD

층의 접착성이 우수하다.1. 작업 원리 및 과정이온 스퍼터링은 초기에는 진공증착과 동일한 10-5～10-7 torr 정도의 진공도를 유지하나 플라즈마를 일으킬 수 있는 아르곤가스 ... 의 물질을 기체상태로 만들어 기판에 직접 증착시키는 박막 제조 방식이다.PVD 방식으로 제조할 수 있는 박막 재료는 금속, 합금을 비롯하여 화합물, 비금속 산화물 등이 있다.이들 박막 ... 화의 추세에 따라 급격히 확산되고 있다.CVD는 증착하고 싶은 필름을 gas 형태로 웨이퍼 표면으로 이동시켜 gas의 반응으로 표면에 필름을 증착 시키는 방법이다.♠ 물리적 증착법

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.13

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[반도체]진공증착

(Evaporation)2)스퍼터링 (Sputtering)3)이온플레이팅 (Ion Plating)이 3가지로 나뉜다고 할 수 있습니다.진공증착법은 1857년에 Faraday가 처음 ... 먼저 증착이란 말에 대한 사전적 정의~"증착이란, 고진공에 놓은 용기 속에 피복(被覆)될 물체와 그 표면에 부착시키려는 금속 등의 입자를 넣어 둔 다음, 히터에 전류를 흘러서 ... 을 붙이거나 플라스틱에 은을 붙일 수도 있다. 광학렌즈의 반사방지피막(被膜)도 플루오르화마그네슘 등을 진공증착시킨 것이다.여기서 알수 있듯이 증착을 위해서는 진공기(Chamber

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.26

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진공펌프의 종류와 용도

로 비교적 용량이 큰데 배기속도는 펌프의 회전속에 비례하며 이 속도를 조절할 수 있도록 되어 있는 모델도 있다. 스퍼터링 증착의경우는 보통 수 mTorrdud역에서 시행이 되는데, 앞 ... 용기 내부 표면에 부착되어 있는 분자 수량보다 많은 상태이다. 음식건조, 증류, 박막 증착,플라즈마 공정, 네온사인 등이 이영역의 진공대에서 운용되고 있다. 고진공은 10-3~10 ... ray tube), 이온주입(ion implantation), 증착(evaporation), 전자현미경 등이 니 영역의 진공대에서 운용되고 있다. 초고진공은 10-8Torr범위의 속

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| 리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.10

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[박막 공정] 박막공정(스퍼터링, CVD)

▶ 스퍼터링의 정의활성화된 가스이온으로 고체표면을 충격하여 에너지 이전에 의해 표면 원자를 물리적으로 축축하여 다른 고체표면에 도금하는 공정.▶ sputtering의 발생glow ... ontinuous film▶ 스퍼터링 효율에 영항을 미치는 인자 : 이온에너지, 이온 조사 각도, 이온종류▶ 스퍼터링 공정 장치 개발1 스퍼터링 속도 향상2 타겟 면적 증가3 모재 ... 가스 압력 저하4 스퍼터링 도금속도 향상5 활성화가스 사용시 비효율적6 축자장의 적용으로 플라즈마 손실 방지▶ Magnetron Sputtering1 특성- 음극(타겟) 표면

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| 시험자료 | 5페이지 | 6,900원 | 등록일 2004.06.15 | 수정일 2014.06.30

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플라즈마

은 경도(3000~4000kg/mm)와 낮은 마찰계수(0.1~0.2)의 조건을 모두 만족시킬 뿐만 아니라 DLC막의 증착조건도 상온에서 단시간이면 충분하기 때문에 매우 경제적이 ... treatment)는 일반적으로 확산에 의한 방법과 증착에 의한 방법의 조합으로 이루어지는데 예로서는 플라즈마 질화처리를 한 다음 천이금속의 질화물, 산화물, 탄화물 등을 증착시킨 것 ... 과 동일하게 사용된다. 질화처리의 세부적인 조건은 표2에 나타내었다. 한편 질화처리한 시편은 450℃에서 30분간 Ar스퍼터링을 거쳐 CH4:N2:H2=66:24:10(vol

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| 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.01.05

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[반도체]CVD 화학증착

CVD(화학증착)는 Pack cementation, Thermal CVD, 플라즈마 CVD로 크게 나눌 수 있다. CVD의 기본 원리는 증착하고자 하는 물질을 함유하는 반응가스 ... 를 반응조에 도입하여 가열된 기판 표면에서 열분해를 일으키도록 함으로써 원하는 물질을 증착하는 것이다.예를 들면 Si 증착의 경우에는 SiCl4(사염화규소)를, Ti증착의 경우 ... 적으로 반응가스가 분해되어 증착막이 형성되는 화학반응이 수반되면 반응 환경에 따라서 지배적으로 일어나는 화학반응이 달라질 수 있다. 이때 가장 중요한 반응환경은 기판의 가열온도이다. 이

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.26

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센서의 분류와 종류별 특성

의 소결체와 그 후막, 증착이나 스퍼터링으로 제작된 얇은 막을 가열하고 가스 속에서의 전기 저항의 변화로 가스를 검출한다.이용하는 현상종류 및 재료특성응용 예물체의 흡착반도체

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| 리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.05.01 | 수정일 2018.04.26

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탄소나노튜브

또는 글라스 기판위에 Fe, Ni, Co 등의 금속을 열증착법이나 스퍼터링법으로 증착하여 사용한다.기판에 증착된 촉매금속은 암모니아와 수소 가스 등을 이용하여 식각시킴으로써, 나노크 ... 해야 한다.② 레이저 증착법 (Laser vaporization)=> 1995년에 미국 라이스대학의 Smalley 그룹은 레이저 증착법에 의해서 탄소나노튜브를 합성하였다. 그림 14 ... 는 Smalley 그룹에서 사용한 레이저 증착장치이다. 1200 ℃의 오븐 안에 있는 그래파이트 타케트에 레이저를 조사하여 그래파이트를 기화시킨다. 이때 반응오븐은 헬륨이나 아르곤

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| 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.09.20

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[전자재료실험]e-beam evaporator에 대하여

{박막증착과 e-beam Evaporator의 개요증발원의 두가지 형태{a 필라멘트 증발- 철사고리들이 가열된 필라멘트로부터 매달려 있다.b 전자선 소스- 전자선이 장입 금속 ... , 는 증발류에 대한 기판의 각도이다. 와 m은 각각 증착되는 물질의 밀도(g/cm )와 질량증발속도(g/sec)이다.일괄증착을 위해 회전하는 구로 구성된 행성 모양의 기판 받침대 ... os = {r over 2r0}행성 모양의 웨이퍼 받침대에 대하여, G는 웨이퍼 위치와 무관하게 된다.{G = {m over 4 r0 }웨이퍼들은 소스 위에 위치하고 증착하는 동안

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.10.22

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[전자재료실험]MOS캐패시터

으로서, 다른 방법으로는 할 수 없는 저온처리에 의해서 비교적 간단히 박막을 얻을 수 있기 때문에 표면경화의 한 수단으로 주목을 받고 있다. PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 ... 에 의해 물질 전달되어 진다. 열 산화 공정은 반응공학적인 측면에서 볼 때 전형적인 기체-고체 반응(gas-solid reaction) 시스템이라 할 수 있다.2) 화학증착기상(CVD ... ) 공정CVD법은 현재 상업적으로 이용되는 박막제조 기술 중 가장 많이 활용되고 있는 기술이며, 특히 IC의 생산공정에 있어서는 매우 중요한 단위공정이다. 그 이유는 화학기상증착

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| 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.06.20

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반도체 제조 공정

)☞ 회로 패턴과 연결된 부분에 불순물을 이온 입자의 형태로 가속하여 웨이퍼 내부에침투시킴으로써 전자 소자의 특성을 만들어주는 공정12. 화학 기상 증착 (CVD : Chemical ... Vapor Deposition)☞ 가스간의 화학 반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착하여 절연막이나 유전체막을 형성시키는 공정13. 금속 배선 공정 (Metallization ... )☞ 웨이퍼 표면에 형성된 각 회로를 금속선으로 연결시키는 공정으로 보통 알루미늄이나구리, 금 등의 금속 재료를 사용 일반적으로 금속은 증기 혹은 스퍼터링 두 가지 방법을이용

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| 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.02

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터치패널(터치스크린)

을 증착, 스퍼터링 한 것을 씀. 전극형성을 위한 채이 비용이 높고, 도전막이 얇아 두드림, 휨에 대해 기계적 강도가 작음.매트리스 방식의 구조 및 원리Classification

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| 리포트 | 31페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.24

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판매자 표지

[무기화학]CNT(탄소나노튜브)

, C2H4, C2H6, CO 가스를 사용하며, 촉매금속은 Si, SiO2 또는 글라스 기판위에 Fe, Ni, Co 등의 금속을 열증착법이나 스퍼터링법으로 증착하여 사용합니다.기판 ... 분해법, 레이저증착법, 플라즈마 화학 기상 증착법, 열화학기상증착법, 전기분해방법, Flame합성방법 등이 있습니다.탄소나노튜브는 21C 꿈의 신소재라 불리며 과학의 발전정도 ... carbon nanotubes synthesized by arc-discharge method.2) 레이저 증착법 (Laser vaporization)1995년에 미국 라이스대학

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| 리포트 | 16페이지 | 5,000원 | 등록일 2006.05.19 | 수정일 2020.07.26

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[반도체공학]박막증착

ㆍ열증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering)으로 증착ㆍ저온(300oC)에서 공기중 CVD, LPCVD에 의해3-2 Single-Crystal Siliconㆍ고 ... Surface micromachining1.개요표면(박막)미세가공법(surface micromachining)은 다층박막의 증착과 패턴닝(Pattening) 및 선택적인 박막 ... 공정 등 크게 4가지로 구성되며, 각 기본 공정마다 다양한 종류의 세부공정이 존재한다.{기본공정세부공정종류박막형성(deposition)화학기상증착(CVD)열증착(evaporation

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| 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.12.23 | 수정일 2025.01.21

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