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발광 다이오드 led 원리 동아대 전기 디스플레이 공학 마이크로 led
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"InGaAlP/GaAs" 검색결과 21-40 / 45건

  • 자료 표지
    발광다이오드 내용과 국내외 기술 동향 및 시장 분석
    .p-n 접합부에서의 발광 관측을 시작으로 GaAs, GaP, ZnSe 등의결정성장기술, 주입발광현상에 관한 수많은 연구발표? 1968년 GaAsP 적색 LED lamp의 발매 ... InGaAlP기술이 개발됨으로써 초고휘도 적색 및 주황색 LED이 상용화되기 시작.사실상 이때부터 LED 교통 신호기의 보급의 혁명이 시작되었다고 볼 수가 있다.? 1993년 일본 ... 계 적색 LED? GaAs1-xPx의 성분비 x를 바꿈으로써 적외선(x=0)부터 녹색(x=1)까지 발광? GaAsP는 기판결정상에 VPE법으로 n형 GaAsP를 성장하고 Zn의 확산
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    | 리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.05.22
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  • 자료 표지
    화합물반도체
    ( 원소 반도체 ) 화합물 반도체 (Compound)~ III-V : GaAs, InP, GaN, AlAs II-VI : 12 Mg 13 Al 14 Si 15 P 16 S 30 ... 의 재료 및 특성 4 2 개 이상의 원소가 화학적 결합에 의해 구성하는 반도체 Ⅲ− Ⅴ 화합물 반도체⇒ GaAs, InP, InAs, GaSb 등 Ⅱ−Ⅳ 화합물 반도체⇒ Cds, ZnS ... .45 GaAs ZB 1235 5.31 12.5 1.4 8500 300 4.025 InP ZB 1070 4.79 14 1.27 5300 650 3.45 Ⅱ−Ⅳ ZnO W 1800 5
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.23
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  • 자료 표지
    반도체 레이져
    란?높은 최대출력 루비, YAG, 유리고체레이저소형, 경량 AlGaAs / GaAs반도체레이저발진파장 쉽게 제어 Rodamin액체레이저연속발진이 용이 He-Ne, He-Cd기체 ... 레이저에 사용되는 GaN 등의 재료분야에 대한 기술개발이 진행CD-ROM : 780nm 3mW급 레이저 다이오드 사용 CD-RW : 780nm 80mW급의 GaAs/AlGaAs ... 레이저 다이오드 사용 DVD : 650nm의 InGaP/InGaAlP 레이저 다이오드 사용 단파장 광원을 이용한 고집적 차세대 DVD에서는 GaN/InGaN의 청자색 레이저 다이오드
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    | 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.07.08
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  • 자료 표지
    반도체 재료 종류와 구분
    에 따라 전기전도도가 크게 변한다 . 흔히쓰이는 고유반도체의 재료 규소 (Si), 게르마늄 (Ge), 비소화갈륨 (GaAs) 5원소반도체의 이용 6 다이오드 트랜지스터 수광소자화합물 ... 하는 일종의 광전자 소자 LED 재료 적색 LED : GaAlAs , InGaAlP 녹색 LED : GaP 청색 및 녹색 LED : InGaN 그 외 나노소자 , 반도체 레이저 등
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    | 리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.23
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  • 자료 표지
    MOCVD Growth (MOCVD를 이용한 Gan성장)
    청색 LED 에 형광물질을 도포하여 백색 LED 가 구현 . ㆍ 2000 년 미국의 Agilent 사에서 개발한 InGaAlP 를 이용한 적색 LED 가 형광등보다 효율이 좋 ... , 화학적 , 기계적 내성이 매우 우수GaAs, InP 와의 광소자와 함께 총 천연색 디스플레이 구현 청색 및 자외선 영역의 단파장 레이져가 개발될 경우 광정보 처리 용량 크게 증가
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    | 리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.17
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  • 자료 표지
    화합물반도체
    화합물 반도체⇒GaAs, InP, InAs, GaSb등Ⅱ−Ⅳ화합물 반도체⇒Cds, ZnS, CdSe, ZnSe등기타 화합물 반도체⇒SiC, SnO2, PbS등2개 이상의 원소 ... 2.1966년 GaAs 쇼트키 게이트(Sc- hottky Gate) 발명 전계효과 트랜지스터(GaAs MES- FET)를 발명 3.1973년 HP (Hewlett-Packard)사 ... 가 최초의 GaAs MESFET 논리게이트를 발표 ` 4.1980년대 AlGaAs/GaAs 헤테로 구조를 이용한 고이동도 트랜지스터(HEMT)의 발명 셀프 얼라인(Self
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    | 리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20
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  • 자료 표지
    LED I/O 응용 및 실습
    , LED 관련 기술을 약진시키는 원동력으로 작용하게 되었다.특히 화합물 반도체인 GaAs와 GaP 등의 단결정 성장 기술이 현저하게 발달되어 고품위 기판 양산 기술이 확보 된 것이 ... 었다. 1992년에서부터는 AlGaAs기술보다 훨씬 휘도를 높일 수 있고, 신뢰성을 확보할 수 있는 InGaAlP기술이 개발됨으로써 초고휘도 적색 및 주황색 LED이 상용화되기 시작
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    | 리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.31
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  • 자료 표지
    LED란?
    었다. 특히 화합물 반도체인 GaAs와 GaP 등의 단결정 성장 기술이 현저하게 발달되어 고품위 기판 양산 기술이 확보 된 것이다. 사실상 1980년대 초까지만 하더라도 LED ... 의 에너지의 브레이크 등이나 미등, 적색 신호등 등에 사용되게 되었다. 1992년에서부터는 AlGaAs기술보다 훨씬 휘도를 높일 수 있고, 신뢰성을 확보할 수 있는 InGaAlP기술 ... 결정 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.(3) GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1-XPX의 성분비 x
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.08.17
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  • 자료 표지
    [디스플레이 공학] LED
    ?1992년, InGaAlP 초고휘도 적색, 오랜지색?1993년 니치아(Nichia)화학의 Nakamura에 의해 InGaN을 기본으로하는 청색 LED 개발.?1995년 고휘도 녹색 ... 영역에 속할때 이를 활용하여 발광 효과를 내도록 하는 장치로써 비 소화 갈륨(GaAs), 인화갈륨(GaP), 갈륨-비소-인, 갈륨-알미늄-비소, 인화인듐, 인듐갈륨-인 등 화합물
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    | 리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.09
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  • 자료 표지
    광전재료
    LED : SiC, ZnSe, ZnS 적색 LED : GaAlAs , InGaAlP LD(레이저다이오드) : GaAs,InGaAsII. 더미스터1.더미스터2. 더미스터의 종류3
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    | 리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20
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  • 자료 표지
    (전자)광소자의 종류 예비보고서
    ) 순방향 바이어스된 LED의 전계 발광① LED 반도체 물질초기 LED는 반도체 갈륨-비소(GaAs)를 사용했다. 첫 번째 빨간색 가시광 LED는 갈륨-비소 기판 위에 갈륨-비소-인 ... (GaAsP)을 사용하여 만들었다. 갈륨-비소-인 기판을 사용하여 효율이 증대되었으며 보다 밝은 빨간색 LED가 가능하게 되었다. GaAs LED는 가시광이 아닌 적외선을 방출 ... 력이 뛰어난 빨간색, 노란색, 초록색 LED를 만들었다. 1990년 초에 인듐-갈륨-알루미늄-비소-인(InGaAlP)를 사용하여 빨간색, 노란색, 초록색 초발광 LED를 만들었다. 실리톤
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    | 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.12
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  • 자료 표지
    LCD, Laser Diode, LED의 원리와 특징
    Inverted Pyramid)구조의 InGaAlP-LED가 형광램프 수준을 능가하게 되었다. 한편 InGaN 녹색 및 청색 LED도 광효율이 백열전구 수준을 능가하게 되어, RGB가 모두 ... 면 에 사용되는 기판은 주로 Sapphire, GaN, SiC, GaAs 기판들이 웨이퍼로 사용되며 이들 기판 중 가격 경쟁력이 있는 사파이어(sapphire)와 SiC가 주로 사용
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    | 리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.08
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  • 자료 표지
    발광다이오드
    .Haynes등의 Ge, Si의 p-n 접합부에서의 발광? 1955년 G.A.Wolf의 GaP에서의 발광 관측. 이때까지 기초기술 확립의 시기? 1962년 Pankove의 GaAs p-n ... 접합부에서의 발광 관측을 시작으로 GaAs, GaP, ZnSe 등의 결정성장기술, 주입발광현상에 관한 수많은 연구발표? 1968년 GaAsP 적색 LED lamp의 발매? 1969 ... InGaAlP기술이 개발됨으로써 초고휘도 적색 및 주황색 LED이 상용화되기 시 작. 사실상 이때부터 LED 교통 신호기의 보급의 혁명이 시작되었다고 볼 수가 있다.? 1993년 일본
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    | 리포트 | 19페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.03.01 | 수정일 2015.02.21
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  • 자료 표지
    [전기회로이론]차세대 조명기구 LED(발광다이오드)에 대하여
    에서부터는 AlGaAs기술보다 훨씬 휘도를 높일 수 있고, 신뢰성을 확보할 수 있는 InGaAlP기술이 개발됨으로써 초고휘도 적색 및 주황색 LED이 상용화되기 시작하였다. 사실상 이 ... -40.3-0.40.1-0.20.4-0.81.95-2.600.68-1.36GaAs0.6P0.4GaAs0.35P0.65:NGaAs0.25P0.75:NGaAs0.15P0.85
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    | 리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.18
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  • 자료 표지
    [전기공학]LED의 특징과 국내외 시장동향 분석 및 향후전망
    상용제품출시 (Monsanto)○ 1980 ~AlGaAs/GaAs 고휘도LED 출시(Fairchild0○ 1986AlN 버퍼를 이용한 MIS구조발광 (아가사키)○ 1992 ... InGaAlP 계 적색 LED(HP)○ 1993Nitride 계 청색 LED발표 (Nichia)○ 1995Nitride 계 녹색 LED발표 (Nichia)○ 1996Blue + YAG:Ce
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.07
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  • 자료 표지
    차세대 광원으로서 백색 LED 기술
    : AlGaAs, InGaAlP 녹색 LED: InGaN 청색 LED: InGaN UV LED:GaN, InAlGaN IR LED: GaAs, InGaAs, InGaAsN3. 백색 LED
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    | 리포트 | 29페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.16
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  • 자료 표지
    [공과]발광소재 LED
    을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln ... (적색), 고효율 InGaAlP LED(적색, 주황색, 호박색)와 고휘도 GaN LED(청색, 녹색, 백색)의 출현으로 종래의 저휘도 발광 다이오드(LED)를 이용한 표시등, 단순 ... 의 경우에는 GaAs와 AlAs의 혼합 결정인 GaAlAs, GaAs와 GaP의 혼합 결정인 GaAsP가 주로 사용되어 왔다. GaAsP는 미국의 몬산토사에서 결정성장법의 특허가 출원
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    | 리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.12
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  • 자료 표지
    LED
    화합물 반도체인 GaAs와 GaP 등의 단결정 성장 기술이 현저하게 발달되어 고품위 기판 양산 기술이 확보 된 것이다. 사실상 1980년대 초까지만 하더라도 LED의 에너지 변환 ... 효율이크 등이나 미등, 적색 신호등 등에 사용되게 되었다. 1992년에서부터는 AlGaAs기술보다 훨씬 휘도를 높일 수 있고, 신뢰성을 확보할 수 있는 InGaAlP기술이 개발 ... 위에 LPE법을 이용해 p-n접합을 형성하여 제작하는 LED로 옥외용 디스플레이로도 사용되고 있다.(3) GaAsP계 적색 LEDGaAsP 결정은 GaAs1-XPX의 성분비 x
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.05.08
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  • 자료 표지
    [신소재]LED
    을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln ... (적색), 고효율 InGaAlP LED(적색, 주황색, 호박색)와 고휘도 GaN LED(청색, 녹색, 백색)의 출현으로 종래의 저휘도 발광 다이오드(LED)를 이용한 표시등, 단순 ... 의 경우에는 GaAs와 AlAs의 혼합 결정인 GaAlAs, GaAs와 GaP의 혼합 결정인 GaAsP가 주로 사용되어 왔다. GaAsP는 미국의 몬산토사에서 결정성장법의 특허가 출원
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    | 리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.05.24
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  • 자료 표지
    LED의 개념과 원리
    었다. 특히 화합물 반도체인 GaAs와 GaP 등의 단결정 성장 기술이 현저하게 발달되어 고품위 기판 양산 기술이 확보 된 것이다. 사실상 1980년대 초까지만 하더라도 LED의 에너지 ... 를 높일 수 있고, 신뢰성을 확보할 수 있는 InGaAlP 기술이 개발됨으로써 초고휘도 적색 및 주황색 LED이 상요화도기 시작하였다. 사실상 이때부터 LED 교통 신호기의 보급의 혁명
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.10.04
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