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주사전자현미경 sem tem 실험보고서 afm EBSD 방사구 창 치과방사선학 epma 원리
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"후방산란" 검색결과 341-360 / 426건

  • 자료 표지
    hall effect(홀이펙트), 박막두꼐, 면저항 측정 실험 보고서
    점에서의 변화된 신호량의 대소를 브라운관 점의 명암으로써 영상시키는 방식이다. 전자선조사될 때 후방 산란 전자(Back scatteredelectron), 2차 전자
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    | 리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.04.15
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    광감성 포토레지스트를 이용한 패턴형성
    노광이 이루어지기 때문에 전자의 후방 산란(back scattering)의 영향이 크다. 이전의 device는 대용량의 data에 대해서 고속으로 근접 효과를 보정한 것으로 0.1 ... 물질을 통과할 때 주로 굴절과 반사 또는 산란하게 되는데, 빛이 투과하는 물체의 형상과 크기, 그 계면의 표면거칠기 및 굴절률이 매우 중요한 요소이다.패턴이 미세할 수록, 그
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    | 리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.11.30
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  • 자료 표지
    이온빔스퍼터링 or 스퍼터링
    에 영향을 줄 수 있으며 ,그런 타겟이 고압에서 작동하는 스퍼터링 시스템에 사용 될 때 스퍼터된 물질의 일부가 개스에 의해 후방산란 될 수 있다.반응성종의 스퍼터링스퍼터링 수율
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    | 리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.08
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  • 자료 표지
    scintillation detection 이용한 스펙트럼 분석
    에서 일어났을 여러 상호작용 중에 컴프턴 효과가 있는데 만약 컴프턴 효과에의해 생성된 전자가 후방산란을 할 경우 그 전자의 운동에너지는 값이 최대가 되어 신호도 가장 크게 잡힌다 ... 의 에너지에 따라 광전효과, 콤프턴산란, 짝생성의 과정을 거치게 된다.그 결과 냉광과정 즉 분자내 전자를 고에너지전자로 이동시키고 나머지 작은 에너지 준위의 전자들이 더 작은 에너지
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.31
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    방사선 작업종사자 교육(방사선취급기술)
     건조 - 필름의 판독시스템 AMP 광 검출기 광원 계수기 필름 - 필름의 흑화도 I 0 : 필름에 입사하는 빛의 강도 I : 필름을 투과한 빛의 강도전방 케이스 검출기 카드 후방 ... 는 MeV,  의 단위는 R  m 2 /Ci  h) 거리와 차폐를 통한 감마 선 감쇠 (1)I I 0 산란선을 무시한 경우 산란선을 고려한 경우 차폐체 두께( t) 차폐체 두께
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    | 리포트 | 64페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.01.04
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    광통신 시스템
    ☞ 접속시험은 광케이블의 접속작업과 동시에 상부국과 하부국 및 중간의 수개 접속지점에서 양방향으로 각 접속지점의 접속손실 을 후방산란법으로 측정하는 것이다. 1] 광케이블 접속작업 시 ... ]블의 접속작업과 동시에 상부국과 하부국 및 중간의 수개 접속지점에서 양방향으로 각 접속지점의 접속손 실을 후방산란법으로 측정하는 것이다. 가] 광케이블 접속작업 시 OTDR
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    | 리포트 | 75페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.14
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  • 자료 표지
    [표면분석] RBS에 대하여
    된 반도체의 불순물 분석에 쓰임원리원리 고에너지의 H,He 이온이 표적물질의 원자핵과 탄성충돌하면 핵의 종류에 따라 후방산란되는 헬륨입자의 에너지가 달라짐 이때 Detector로 측정 ... 된 후방산란된 헬륨입자의 에너지(channel)와 계수(yield)로 이루어진 spectrum을 분석함으로써 표면의 여러 성질을 규명하는 기술개요 및 원리 물리적 개념 - 운동인자 ... He이온이 질량이 M2인 표적의 원자핵과 탄성충돌을 하여 산란각 으로 후방 산란된 He이온에너지분해능(∆E1)이 일정할 때,질량분해능(∆M 2)을 증가시킬려면, 1) 입사에너지 E
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    | 리포트 | 37페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.07.05
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [무기화학]SEM(주사전자현미경)
    resolutionLargesmallDepth of FieldSEMLOMDepth of Field2차 전자 발생이차전자시편입사전자후방산란전자투과전자특성 X선Auger전자가시광선회절전자흡수전자에너지 손실 ... 전자탄성산란(Elastic Scattering) 에너지를 잃지 않은 채 방향만 바꾼 전자 원자핵과 충돌 (backscattered electron) 시편을 빠져 나가기 전 다른 ... 로 작용비탄성 산란(Inelastic Scattering) 입사빔보다 낮은 에너지or 2차전자 발생 2차전자들은 0~50eV 에너지를 가짐 2차전자 detector에 의해 image
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    | 리포트 | 11페이지 | 4,000원 | 등록일 2006.06.02 | 수정일 2020.07.26
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    스퍼터링(sputtering)
    ) Interactions on the target surface가속된 양이온이 고체표면에 충돌하면 중성원자 배출, 후방산란, X선 방출, 광자 발생, 이차 전자 방출, 그리고 target
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.18
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  • 자료 표지
    전자현미경, 광학현미경 REPORT
    가 발생한다. 예를 들어 Auger전자, 이차전자의 경우는 표면 특성분석에 이용되고 후방산란전자은 결정학적인 분석에 사용된다. 마지막으로 전자현미경은 전자의 에너지 분석이 가능 ... 작용이 현저하게 크기 때문에 시료는 아주 앏아야 하며 진공중에 놓여지게 된다. 전자선이 시료를 투과할 때에 생기는 산란흡수, 회절, 위상 3가지의 contrast (명암) 발생
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.30
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  • 자료 표지
    RFID란_요점정리
    은 수동형 태그와 같이 후방산란 변조 방식을 이용, 전력 소모가 능동형에 비하여 훨씬 적어 수명이 길지만 리더/태그 동신거리는 능동형 보다 짧다. BAP(Battery-Assisted
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    | 리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.04.02
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  • 자료 표지
    X선발생장치 및 차폐.
    의 사양에 의하며 X선의 투과력을 결정한다. 일반적으로 400kV 이하에서는 KVP 단위를 사용하고 그 이상에서는 KVCP가 사용된다.o 거리: X선관 또는 산란물체로부터 선량 평가 ... 도(occupancy factor, T) : X선발생장치가 가동 중 방벽 후방 위치에 사람이 체류할 시간비율로서 공간의 용도에 의해 결정된다.o 목표선량률: 방벽 후방에 있는 선량 평가점 ... 이나 플루로스코피의 영상강화기는 1차빔을 완전히 차단하고 있으므로 그 후방의 벽에 대해서도 U=0을 적용할 수 있다.그림 8. 심혈관조영술 시설의 가동하중 분포 1W(kVp). 관전압
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    | 리포트 | 33페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.05.16
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  • 자료 표지
    재료분석
    모드RAMAN박막 두께에 따른 라만 정점 분석 TO, LO 뚜렷하게 관찰 기판의 전방부분이 상대적으로 약한것으로 보아 표면거칠기가 후방보다 커 산란이 강하게 일어남RAMAN포논 ... 에 따라 산란각의 강도와 반치폭이 매우 좁게 이동하기 때문에 얇은 두께로 인한 적은 포논 농도에 의해 강도 감소 효과가 나타남RAMAN라만 스펙트럼 영역 확장 라만 정점 - 1358
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    | 리포트 | 40페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.11.09
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  • 자료 표지
    산부간호 자가학습
    의 산란 시에 프로스타글란딘이 생리적으로 중요함을 관찰하였다. 프로스타글란딘의 생성속도를 조절하는 기전이 자궁수축이 시작되기 전에 일어나는지는 분명하지 않으나 프로스타글란딘의 합성 및 ... 가 전방으로 회전할 때 안면은 후방으로 회전한다. 결국 후두는 치골궁 아래 중심선에 위치하게 된다. 아두는 거의 항상 골반층에 도달할 때까지 회전한다.⑤ 신전(extention)태아
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.02.10
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  • 자료 표지
    MMA 무유화중합
    이 시료에 충돌하면서 생성되는 이차전자, 후방산란전자, 오제전자, 특성X선 등의 다양한 형태의 신호 중 이차전자나 후방산란전자의 신호를 이용하여 시료표면의 입체적 상을 얻을 수 있
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.06
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  • 자료 표지
    [기기분석]원자X선분광법
    된 X선 형광은 에너지 분산형 분광기의 변환기에 들어 옴→ 복사선 세기가 에너지 함수로 기록→ 화성에서 지구로 보내져서 결국은 지구에서 분석② 더 가벼운 원소는 후방산란 또는 양성 ... 복사선과 얻어진 형광의 일부가 상당히 두꺼운 시료를 투과하면서 흡수, 산란 됨2) 어느 빛살이든지 감소되는 정도는 매질의 질량 흡수계수에 의존하며 시료 중 모든 원소 들의 질량 ... 자섭이 일어나게 된다”. 이는 산란 중심간의 거리가 X선 파장과 같은 정도의 크기를 가지기 때문으로 “그 결과 회절”이 일어난다.※ Bragg 법칙▷ X선 빛살이 θ각으로 결정
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.07
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  • 자료 표지
    전자현미경(SEM & EDS & TEM & SPM, XPS, AES)
    를 브라운관 점의 명암으로써 영상기키는 방식이다. 전자선이 조사될 때 후방 신란 전자, 2차전자, X선, 음극 형광 등이 발생된다. 발생한 전자는 검출기에 의해 전류신호로 변환 ... 는 산란흡수, 회절, 위상 3가지의 contrast (명암) 발생원리를 이용한 장비이다. 일정한 파장을 지닌 전자선을 시료에 조사(쏘여줌) 하면 시료에서 산란되어진 전자선이 대물렌즈
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    | 리포트 | 29페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.06
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  • 자료 표지
    [공학]EDS,EDX
    위한 검출 기들이 SEM에는 붙어있다. 대표적인 것으로 2차 전 자및 시료의 표면에서 반사되어 후방으로 산란된 전 자이다. 이 전자들은 매우 다른 에너지를 가지고 있으 므로 두 개
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    | 리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.10.01
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  • 자료 표지
    [전자현미경의 미세구조와 관찰] 실험 4. 주사전자현미경(SEM)을 이용한 미세구조 관찰
    하며, 후방산란 전자(BSE) 검출기가 장착되어 있어 시편의 성분에 따른 콘트라스트를 얻을 수 있다. 열방사형은 실험실 장비의 작동이 잘 되지 않아 전계방사형 주사전자 현미경을 이용 ... 의 부분중 원하는 부분을 선택하여 2차전자와 후방산란전자를 이용하여 가장 적절한 부위를 찾아서 관찰하였다.전계방사형 주사전자 현미경을 이용하여 2차전자를 이용하여 시편의 높낮이를 확인 ... 할 수 있었다.또한 2자 전자 이외의 후방산란전자 (BSE)를 이용하여 2차전자를 이용하여 얻을 수 없는 다른 성분콘트라스트를 얻을 수 있었다. 아래 [그림1]은 1조의 영상
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.11
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    [광전자]RBS analysis in thin film
    하면 핵의 종류에 따라 후방산란되는 헬륨입자의 에너지가 달라짐 이때 Detector로 측정된 후방산란된 헬륨입자의 에너지(channel)와 계수(yield)로 이루어진 spectrum ... 이 설치됨. 후방산란 입자는 SSB 검출기에 의하여 측정.Chamber개요 및 원리 물리적 개념 장비의 구조 RBS 스펙트럼 분석 기타 표면분석기술과 비교 장단점RBS 스펙트럼 분석 ... 후방산란된 He++ 빔을 SSB검출기로 계측하여 전치증폭기, 주증폭기 ADC, MCA를 거쳐 RBS스펙트럼 을 얻은후 물리적 과정을 수치계산한 모사스펙트럼(RUMP)과 비교하여 분석
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    | 리포트 | 34페이지 | 10,000원 | 등록일 2004.05.10 | 수정일 2018.09.16
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2025년 12월 08일 월요일
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