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"고체레이저 A+" 검색결과 261-280 / 281건

  • 단순 염색과 현미경
    :·균주·Escherichia coli, Bacillus subtilis·LB 고체배지 또는 LB 액체배지, Methylene blue 또는 기타 염기성 생물학적 염료(crystal ... 이 (-)로 대전할 때에는 (+)ion의 결합한 염기성 색소를, (+)으로 대전하는 조직은 (-) ion의 결합한 산성색소를 흡착하여, 색소입자가 조직 내에 침착한다.※ 현색 ... 다시 2번째 편광필터가 편광면을 회전시켜 2개의 빛이 서로 간섭하게끔 하여 contrast가 증가된 image가 eyepiece에 들어오도록 한다.A fibroblast in
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    | 리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.03.14
  • 생활수학정리
    ◎생활 수학◎1. A4용지의 비밀A4 용지는 우리가 가장 흔히 사용하는 종이다. 복사용지를 포함해 공문서, 전화번호부, 디자인계통잡지, 여성종합지 등에 A4 용지를 쓴다. 이것 ... 은 우리만 사용하는 것이 아니라 전 세계적으로 사용하는 규격용지다.A4 용지의 규격은 297×210㎜이다. 단순하게 300×200㎜로 정하면 훨씬 편했을 텐데 왜 이렇게 복잡한 수치 ... 이 된다. 따라서 버려지는 종이도 없다. 전지 A0의 넓이를 1㎡이라고 하면, 두 변의 길이가 결정된다. 이렇게 해서 구한 전지의 규격이 1189×841㎜이다. A4 용지는 A0
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.28
  • 열전도도 측정 원리
    rate는 sample을 가로지르는 온도 차이를 형성한다. 그 식은{K= { Q TRIANGLE X } over { A(T_{ 1 } -T_{ 2 } ) }이다. {K는 열전도 ... 도이고, {Q는 thermal load, {X는 axial dimention, {A는 sample의 단면적이다. 비슷하게 샘플의 온도차이와 열전도도를 알고, 같은 단면적을 가진 ... _{ 1 } } ]line heat source는 얇은 resistance wire로 이루어져 있고 온도는 wire의 전기적인 저항으로 알 수 있다. 이 방법은 액체나 고체의 열적 특성
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    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.29
  • [박막공학] CVD의 모든것
    reactant 의 도입이 decomposition products의 제거를 촉진하는 반응으로써 간주될수 있다.{2AX(g) + 3H_2 (g)&->&2A(s)+2HX(g)대표적인 ... 는 열, RF전력에 의한 Plasma 에너지, 레이저 또는 자외선의 광에너지가 이용되며 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절 ... 활용성, 생산성, 가격문제 등에서 매우 큰 장점을 가지고 있다. 이러한 이유로 CVD는 고체 소자의 제조에 있어서 그 활동영역을 크게 확장시켜왔다. CVD 공정은 여러가지 방법
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    | 리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2002.07.20
  • [요업재료] 세라믹의특성
    ): 루비고체레이저 발진 소자 재료가시영역에서 고출력광을 얻음경도, 안정성, 열전도율, 형광수명 우수{내식성, 생체적합성, 내열성에의 응용.생체재료로서의 Al2O3 특성.산, 알카리 ... (NH4)2SO4.Al2(SO4)3.24H2O) 열분해법. 공정(NH4)2SO4·Al2(SO4)3·24H2O → 하소 → Al2O3 +(NH4)2SO4 +3SO3 +24H2O. Al ... 다.. Verneuil법에 의한 Al2O3단결정 제조용 원료로 사용암모늄.알루미늄 탄산염(AACH) 열분해법. 공정2NH4AlO(OH)HCO3 → 소성 → Al2O3 + 2NH3 + 2
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.10.15
  • 진공증착 (Evaporation)
    하는 방식인 전자빔이나 복사열 가열원을 사용한다. 어떤 경우는 레이저빔을 가열원으로 이용하기도 한다. 금속 증발 속도는 대략 25∼75㎛/min 정도이며, 증기상은 전기적으로 중성 ... (물리적 증착법)PVD : Physical Vapor Deposition의 약자로 도금될 금속을 증발시켜 부착시키는 것으 로, 증착막의 두께는 수 A단위에서 mm 단위까지 다양 ... 한 가스와의 화학적 반응에 의해 생성되는 복합물을 코팅시키는 것도 포함시키고 있으며, PVD를 일반적으로 진공코팅이라 부른다.고체 재료를 증기상으로 만드는 방법에는 진공에서 증발
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    | 리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2002.04.10
  • 빛의 흡수와 방출 이론
    )이 잘 맞아있는 빛을 방출하게 함으로서 큰 증폭율로 증폭된 빛을 말한다. 이 레이저(Laser)는 Light Amplification by the Stimulated ... 효율 q 및 소멸 단면적(extinction cross section) C는{{ C}_{ext }= { C}_{sca }+ { C}_{abs }{{ q}_{ext }= { q ... }_{sca }+ { q}_{abs }로 표현될 수 있으며 q 와 C는 매연 입자의 직경과 굴절률의 함수이며{C= { pi { D}^{2 } } over {4 }q의 관계를 갖고 있
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    | 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.10.01
  • [화학 실험] 초산 에틸의 비누화 반응
    ln `r =n`ln`c +ln`k`ln r을 ln c에 대하여 도시하여 얻은 직선으로부터 차수 n값을 결정할 수 있다.적분법{rm -{dC_A}over{C_A^2} =k_1 dt ... 해보면,{{} atop { A `+` B } { k_1 } atop { → } {} atop { P }()에서 B물질이 공급되는 속도는 부피가 VR인 반응기당 FB kmol s-1 ... 라고 하면 지방산을 목적으로 반응을 시킬 때는 가수 분해 반응이라고 한다.{rm RCOOR'~rm +~OH^- ~→~RCOO^- ~+~R'rm OH`미분법{rm r``=``- {dc
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    | 리포트 | 44페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.04.02
  • 반도체 수업자료
    (atomic bonding)→ 원자들은 서로 인력(attractive force)이 작용하여 기체, 액체, 고체를 형성한다.원자 결합의 종류→ 원자내의 하전 입자들 사이에 작용 ... 자(전자수)에 의해 결정원자량(혹은 원자질량) : 양성자 중성자주기율표는 원자번호순으로 배열되어 있으며, 수직선상에 있는 원소들은 서로 유사한전기적 특성을 보인다.1A족 : 알칼리 ... 금속 - 최외곽 전자가 한 개인 원소. …Li, Na, K...7A족 : 할로겐 원소 - 최외곽 전자가 7개인 원소 …F, Cl, Br....1A족과 7A족 사이에는 이온결합
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    | 리포트 | 58페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.11.11
  • 적외선 분광법 및 Raman 분광법
    광선 영역임.Raman 분광법의 단점1. Raman 산란은 매우 약하여, 강한 광원(laser)이 요구됨.2. 색이 있는 시료는 레이저에 의해서 분해될 수 있음.3. 자외선이나 가시 ... 적외선 분광법 및 Raman 분광법분자분광법- 분자에너지 :E(total) = E(elec) + E(vib) + E(rot) + E(trans)104 ≪ 102 ≪ 1 (병진운동 ... 법칙을 따름A = εb c* 적외선 분광법에서는 투광도로 표시T = {rm { I} over {I_o } ~TIMES ~100- Raman* strong UV-visible ---
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    | 리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.09.24
  • [기초물리] 기초물리학 연습문제(11~16장)
    }_{p}: {v}_{a}를 구하라.운동량이 보존됨을 이용하면(459+r)×{{v}_{p}×m=(2289+r)×{{v}_{a}×m∴{{ {v}_{p} } over { {v}_{a ... ) = (0.350m) sin ( 10 pi t - 3 pi x + pi / 4 )(a) 파의 속도와 진행방향은 무엇인가? (b)t=0, x=0.100m에서 줄의 수직방향 변위 y ... 은 얼마인가?(a) 기본 압력을 p, 온도에 따른 압력 변화율을 q라 하면0.9 = p + (-80) × q ····11.635 = p + 78 × q ····21과 2를 연립하여 풀
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    | 리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.25
  • [Chemical Vapor Deposition ] CVD
    로 광범위하게 사용되고 유입된 반응가스를 분해시키는데는 열, RF전력에 의한 Plasma 에너지, 레이저 또는 자외선의 광에너지가 이용되며 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자 ... , CVD는 다양성, 적용성, 제품의 품질, 단순성, 재활용성, 생산성, 가격문제 등에서 매우 큰 장점을 가지고 있다. 이러한 이유로 CVD는 고체 소자의 제조에 있어서 그 활동영역을 크 ... SiH_4 (g)+4NH_3 (g)&->&Si_3 N_4 (s)+12H_2 (g)◎ CVD의 전조물질여러가지의 다양한 CVD의 화학적 반응들이 존재하기 때문에 적절한 reactant
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    | 리포트 | 26페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.11.21
  • 양자역학
    도 제기되고 있다.2)레이저 (laser)양자역학(量子力學)을 응용하여 아주 짧은 파장의 전자기파(電磁氣波)를 증폭하거나 발진하는 장치.양자발진(증폭)기 또는 분자발진기라고도 하 ... 하여 E.슈뢰딩거, W.K.하이젠베르크, P.A.M.디랙 등에 의하여 건설된 이론이다. 원자 ·분자 ·소립자(素粒子) 등의 미시적 대상에 적용되는 역학으로서 현재 가장 타당성을 지닌 ... 해석 등이 있다.3)양자역학의 발전양자역학에서 큰 발전을 보이고 있는 것은 전자집단에 페르미-디랙통계를 적용한 고체의 양자역학적 이론이고, 이것에 의하여 이를테면 전도체와 부도체
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    | 리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2001.06.10 | 수정일 2016.04.06
  • 반도체 제조 공정
    (200 Å 에서 500 Å) Si + O2 → SiO2 건식 Si + 2H2O → SiO2 + 2 H2 습식 건식 산화는 주로 더 우세한 Si- SiO2계면특성을 가짐 ... +IonizatioA* A* + e + AA* : 전자 여기된 meta-satble보통 : 10-8 sec O 족 : 10-3 sec 으로 여기된 상태로 있을 시간 이 굉장히 길다 그럼으로 여기된 ... 현상은 액체 상태의 SILICON과 고체상태의 SILICON SEED 사이 접촉면의 가장 자리에 환형의 모양 (MENISCUS를 정확히 파악 해야만 좋은 SINGLE CRYSTAL
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    | 리포트 | 36페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.09.23
  • [금속] cvd와 pvd
    은 저온에서 기화한 휘발성의 금속염(氣相, vapour)와 고온에 가열된 물체(도금할 고체의 물체)와의 접촉으로 고온분해, 고온반응에 의해, 글로방전분해(放電分解), 또는 레 저 등 ... 을 조정하는 가스제어시스템 또는 증발용기 및 배출가스의 처리시스템으로 되어 있다.(1) 가열 방법CVD장치에서 기판(피도금물)의 가열은 전기히터, 고주파유도, 적외선방사, 레이저 등 ... , 반응가스를 반응실 내로 공급하기 위한 캐리어(carrier)로서의 가스 등으로 되어 있다. 원료 가스가 기체일 때는 직접 봄베에서 배출되면 되지만, 액체나 고체일 때는 증발 용기
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.12.06
  • 용접의 분류및 정리...기본적인것들..
    되므로 능률적이다..용접부가 대기로부터 보호되어 기계적 성질이 좋다..도전성 및 비도전성 재료의 용접이 가능하다(plasma jet 용접).6레이저용접 : laser는 빛의 증폭기 ... 라 하며, 이것에 점화시키면 3Fe3O4+8Al ㅡ 9Fe+4Al2O3+702.5kcal 와 같은 강력한 화학반응을 일으켜 1 분 안에 약 3000oC 의 고열을 내며, Al은 산 ... of radiation)이다. xenon flash tube에서 발생하는 flash가 rubby 결정(結晶, Al2O3+15% Cr) 중의 Cr 원자에 의하여 자려발진(自勵發振
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.09.26
  • 반도체
    때 광자가 방출된다. 이것에 의해 발광 다이오드(light-emitting diode(LED))가 만들어진다. 고체 상태의 반도체 레이저도 이러한 현상을 이용하여 만들 수 있 ... 가 같아질 때까지 낮은 에너지를 가진 비어 있는 에너지 상태로 흘러가게 된다.{(a) 외부에서 전압을 걸어주지 않을 때는 오른쪽 방향의 열 전자 전류는 왼쪽 방향의 재결합 전 자 전류 ... 도록 다이오드의 양단에 외부 전압 V를 걸어준다. 접합 사이의 에너지 차이는 a에서보다 Ve만큼 크며, 재결합 전류 ir의 흐름을 방해한다 : p 영역의 구멍은 왼쪽으로 옮겨가서 음극
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.05.10
  • 화공리포트( aas 이론 )
    분석을 하게된다.M + hν → M* (식1)중성원자 복사에너지 들뜬원자흡광도는 Lambert-Beer 법칙에 의하여 (식2)와 같이 나타낼 수 있다.Iλ = I·e-Kλ·L·c ... : 시료의 농도(중성원자의 수)cf) 중성원자가 흡수한 빛의 세기를 ΔI라 하면Iλ = I + ΔI 이다.(식2)를 계속 전개하면,{I_λ over I= e-KλLc(Iλ/I)-1 ... /Iλ)를 A(흡광도)라 하면A = Kλ·L·c (식3)(식3)에서 L을 일정하게 하면 Kλ, L은 상수이므로 시료의 농도는 흡광도에 비례하게된다. 그러므로, 흡광도를 이용
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.09.24
  • 센서
    진공관류광전관, 포토멀티, 촬상관TV카머라, 비디오 카메라, 방범용 모니터, 각종화상 판독, 암시경기타(접합 있음)고체 이미지 센서CCD형,MOS형,CPD 형컬러 센서Si, a ... 으로 만들고 싶다.CdS, PbS광도전 셀간단한 회로로서 저속도의 펄스광 스위치를 만들고 싶다.포토 트랜지스터초고속 레이저광 센서를 만들고 싶다.포토 IC 또는 포토 다이오드가로등 ... 수단이 필요2포토 트랜지스터의 회로기호와 회로구성.Ie = Ip + Ic = Ip + Ip*hfe(∵ Ic = Ip * hfe)Ie = Ip * (1 + hfe)→.Ip : 광전류
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.09.22
  • 초전도체의 원리및 응용
    로의 가공은 미국 IBM연구소에서 레이저 증착법으로 박막을 제작한 것 외에는 아직 거의 이루어지지 않고 있다. 이외에도 상온에서 초전도성을 나타내는 물질을 찾기 위한 연구가 계속되 ... 는 자속밀도는 물론 시료의 경계에서 소실되어 버리지 않는 것이지만, 이 자속선은 바깥쪽의 공간을 통하여 되돌아오는 연속폐속선을 이룬다. [그림 4(A)] 시료 안쪽의 어디서나 이 자속 ... )]에서 보는 것과 같다.자계가 가해졌을 때 그 속에 정미의 자속밀도가 없는 상태의 시료는 완전 반자성을 나타낸다고 말해지고 있다.H H.(a)온도가 임계온도보다 클 때 (b)온도
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    | 리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.05.06
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2025년 11월 12일 수요일
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