"Band gap측정"의 검색결과 입니다.

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신소재 프로젝트3 CdSe 실리콘 태양전지 quantum dot 화학실험기법 wo3 amd실험 밴드갭 측정 광촉매

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"Band gap측정" 검색결과 221-240 / 672건

전압인가시 LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)의 발광시점 및 최대·최소 전압 측정

는 플랑크 상수, Eg는 금지띠(band gap)의 에너지 폭이며, 비소화갈륨의 경우에는 파장이 약 900nm인 근적외광이 나온다. 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg ... 전자재료 및 실험REPORT6. 전압 인가시 LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)의 발광시점 및 최대·최소 전압 측정1. 실험제목전압 인가시 LED ... (Red, Yellow, Green, Blue, White)의 발광시점 및 최대·최소 전압 측정2. 실험목적LED의 발광시점을 측정하고 작동원리를 이해한다.3. 이론적 배경◆ pn

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| 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.04.26

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물리화학실험 결과보고서 TiO2 광촉매에 의한 분자분해

도대(conduction band) 사이의 차 (band gap)에 해당하는 빛 에너지를 받으면 가전자대의 전자가 전도대로 올라가게 되며 이 과정에서 올라간 전자가 있던 곳 ... 을 따른다파장은 반도체의 Band gap 에너지 이상의 에너지가 조사되는 경우 어느 정도까지는 파장에 반비례하지만, 그 이상에서 활성은 파장에 무관하게 된다. 단, 반응물이 빛을 흡수 ... 하는 과정을 알아보고, 시간에 따른 흡광도 측정을 통해 malachite green의 농도 변화를 계산하고 Beer-Lambert 법칙에 대해 이해 하도록한다.이론광 촉매란, 광화학

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| 리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.10.11 | 수정일 2018.11.09

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OLED 실험 보고서 Cyclic voltammetry Cyclic voltammetry를 이용한 HOMO 준위 측정

을 acetone, 증류수, IPA를 이용하여 세정한다.3. 용액의 band gap구하기(1) 용액의 HOMO, LUMO Band gap을 측정한 물질로 perylene과 hydroquinone ... 을 선택한다.(2) LUMO 값을 구하기 위해 HOMO와 Band gap값을 측정하기 위해 UV-Vis spectroscopy를 사용하여 band gap을 구한다.(3) 전해질 ... 하지 않다.(5) 각각의 용액을 UV-Vis spectrum으로 흡수 스펙트럼을 확인하고 가장 우측 peak로부터의 접선을 구해 band gap에 해당하는 파장을 측정한다.Ⅳ. 실험

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| 리포트 | 4페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.03.29 | 수정일 2016.04.06

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OLED 실험 보고서 UV-Vis pectroscopy

~350 nm 정도의 파장 영역을 흡수하고 흡광 계수는 10~100L....로 낮은 값을 보인다.실험방법(1) 유기물의 흡광도 측정 및 Band-gap 측정1)Volumetric ... 한다.(2) 유기용매 극성에 따른 흡수 피크 및 Band-gap 변화측정1) Volumetric flask에 benzophenone(용질)를 일정량 넣은 후, 극성인 ethanol ... 의 흡광도 측정 및 Band gap 측정- 물질이 최대로 흡수하는 파장과 속한 영역물질이 최대로 흡수하는 파장에서 용매인 Dichloromethane의 cut-off wavelength

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| 리포트 | 3페이지 | 4,500원 | 등록일 2016.03.29 | 수정일 2016.04.06

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광촉매이용반응속도상수 결과레포트

했다.Band gap관점에서 봤을땐, Eg에너지가 클수록 올라간 전자가 정공으로 되돌아오는데 시간이 걸리므로 반응이 일어날 확률이 되는 반면 에너지가 커서 올라가는데 큰 에너지가 필요 ... 에서야 알게되어 위치를 변경했고 흡광도 측정시 663nm의 파장에서 측정 해야했다. 그 이유는 아래 그림에 따르면 파장 663nm일때 빛을 가장 잘 흡수하므로, 이 파장지점에서 측정

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| 리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.12.22 | 수정일 2024.06.08

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UV-VIS

분극 형성으로 인해 용매는 Ground state와 Excited state의 에너지가 동시에 감소하는데 Ground보다 Excited state의 감소가 더 커서 Band gap ... ^*(334.6nm)130183*Band gapBand gap은 가장 파장이 긴 peak에서 떨어지는 부분에서 접선을 그어 x축과 만나는 파장을 알면E=h nu 를 이용하여 구할 수 있 ... 용매가 Anthracene과의 인력으로 인해 분극을 형성하여 Band gap이 줄어들기 때문이다. 따라서 Ethanol을 사용하였을 때 Red shift가 발생한다. 이 역시 미미한 차이지만 이론과 부합한다.

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| 리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2014.11.08 | 수정일 2014.11.23

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화학공정실험2 3. Cds 합성 예비보고서

광촉매의 원료가 되는 CdS, CdSe, ZnO, TiO{} _{2} 등은 모두 반도체의 특성을 가지고 있는데, 반도체는 밴드갭 이상의 에너지를 외부에서 받으면 전자, 정공쌍 ... 을 발산하는 특성을 가지고 있다. 광촉매에 밴드갭 이상의 에너지를 갖는 빛을 조사하면 내부에 전자, 정공쌍이 생성되고 이것이 광촉매 표면에 흡착된 유기물질과 반응해 산화환원반응을 일으켜 ... 중점을 두어 사용되고 있다. 원자에 대한 측정이 아닌 “분자”에 대한 측정이 가능하다. 분자내의 파이결합이나 n전자가 있는 경우 UV-vis 영역의 빛을 흡수하여 최외각 전자

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| 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.09.21 | 수정일 2020.11.29

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부산대학교 센서소재공학 시험 정리

를 보인다. 금속에 비해 반도체의 경우 단위 변형당 저항 변화율이 더 크다. 금속의 경우 외력에 의한 기하 구조의 변화로 저항비가 변화한다. 반도체의 경우 외력을 가하면 밴드 갭 ... 자 밀도(n)과 자기장(B)를 측정할 수 있어 반도체 소자의 전기적 특성, 부하소비 전력측정, 자속계, 전위계 등의 측정 센서에 응용할 수 있다.3. 피에조 저항효과 : 금속 ... 에 영향을 미쳐 conduction Band나 valence band의 에너지 상태가 변화하여 캐리어의 분포와 이동도의 변화를 가져온다.4. 자왜효과 : 강자성체에 자력을 가할 때

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| 시험자료 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.05.17

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OLED 실험 보고서 Exciplex 와 Excimer

적으로 OLED 소자의 발광효율을 증가시키기 위해 발광층은 band-gap이 큰 host 물질과 band-gap이 작고 효율이 좋은 dopant 물질로 구성된다. 여기서는 charge ... 았다는 얘기와 같은데 그 이유는 Charge transfer가 발생하면 두 물질의 band-gap보다 작은 band-gap을 가진 곳에서 peak가 나와야하지만 그렇지 않다.m ... -MTDATAPBDλmax402nm357nmBand-gap(E=1240/λ)3.08eV3.47eV이 Spectrum에서 Band-gap을 구할 수 있는데PL로 Exciplex를 확인하기 전

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| 리포트 | 4페이지 | 4,500원 | 등록일 2016.03.29 | 수정일 2016.04.06

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Synthesis and Optical Properties of Quantum Dots

은 붉은 빛을 띄게 된다. 이것으로 입자의 크기가 커질수록 band gap은 줄어드는 것을 알 수 있다.2. IntroductionQuantum dot (양자점)은 물질의 크기 ... 커짐을 알 수 있다. 이는 absorption spectrum에서의 결과와 같이, 반응이 진행되며 particle의 size가 커지기 때문이다. 크기가 커지면 band gap ... 을 측정하여 입자의 크기를 구하고 시간과 크기, 색상의 상관 관계에 대해 알아 본다. 이 때 각 sample의 농도가 시간에 따라 증가하는 것과 형광과 흡광 그래프의 peak를 포함

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| 리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2017.07.29 | 수정일 2017.08.12

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LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)와 CdS셀 간의 거리에 따른 저항측정

는 광속, h는 플랑크 상수, Eg는 금지띠(band gap)의 에너지 폭이며, 비소화갈륨의 경우에는 파장이 약 900nm인 근적외광이 나온다. 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 ... 전자재료 및 실험REPORT7. LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)와 CdS셀 간의 거리에 따른 저항측정1. 실험제목LED(Red, Yellow ... , Green, Blue, White)와 CdS셀 간의 거리에 따른 저항측정2. 실험목적색별 LED에 일정한 전압을 인가하고 CdS셀과의 거리(빛의 세기)를 변화시켜 저항변화 관찰.3

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| 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.04.26

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Conjugation 염료의 흡수 스펙트럼의 측정 결과

는가? 물질의 밴드 갭의 변화와 관련해 생각해보자.nu = {c} over {lambda } ,```` DELTA E=h nu nu= frequency,lambda ... 이 되고 이때 밴드 갭은 다음과 같이 구할수도 있다.DELTA E(eV)= {1240(eV TIMES nm)} over {lambda _{onset} (nm)}? 1,1 ... onjugation length가 길어질수록 흡수 파장은 짧아짐을 알 수 있다.? 밴드갭고체를 구성하고 있는 무한히 많은 원자는 각각 원자의 에너지 준위가 매우 가까이 접근되어 있어 결합

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.03.30

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반도체식 가스센서 논문(P-type NiO Nanoparticles-decorated N-type Zno Nanograinednanorods를 이용한 가스센서의 수소가스 감지 특성)

센서를 개발하였다. 나노입자가 장식된 나노그레인 구조가 이 연구의 초점이다.[5], [6]Zinc Oxide(ZnO)는 2-6족 산화물 반도체 중 하나로 band gap 3.67 ... eV를 가진 n-type의 직접 천이형 반도체이고 Nickel Oxide(NiO)는 band gap 4.02eV를 가진 p-type 반도체 중 하나로 직접 천이형 반도체이다. ZnO ... -decorated ZnO NGNRs의 평형상태 에너지 밴드갭 다이어그램Fig. 4. XRD 데이터 그래프두 단계의 공정에 의해 만들어진 ZnO NGNRs와 두가지 물질을 접합하는 공정

논문 | 3페이지 | 8,500원 | 등록일 2023.03.09

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Synthesis and Optical Properties of CdSe Quantum Dots

에서는 quantum dot을 합성하였을 때, quantum dot size에 따라 흡광과 형광을 측정하여 band gap이 어떻게 변화하는 지를 살펴보고, quantum dot ... 을 가지게 되는 것이다. 이러한 상태를 Quantum Dot 이라고 한다. 즉, 반도체 양자점은 band gap이 서로 다른 두 물질 중 띠 간격이 좁은 물질을 띠 간격이 넓은 물질 ... 거리이다. 입자의 크기가 Bohr radius보다 작아 지면 양자 제한 효과가 매우 강하고 크게 나타나며 이것이 물질이 가지고 있는 band gap을 불연속적으로 만들게 된다

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| 리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.02.16

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Synthesis and Optical Properties of CdSe Quantum Dots

University그림 2. Energy bands and energy gap(Eg) of semiconductor, National Taiwan University 반도체 입자는 형광 ... 된 나노입자의 크기는 커지는데, 샘플들의 흡광도와 400nm excitation 파장에서의 발광을 측정한 결과 더 오래 반응을 진행시킨 샘플일수록 최대 흡광 및 발광 파장이 크 ... 게 나타났으며, 이는 UV 램프 하에서 샘플의 색상이 점점 더 붉게 나타나는 결과와 일치했다.Introduction그림 1. Band theory, National Taiwan

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| 리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.25

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2016아주대 물리학 실험 결과 보고서 옴의 법칙

전압의 특징처럼 LED도 비슷한 성질을 가지지만 활성층의 밴드갭에 따라 문턱전압이 달라지는 차이가 있다.LED의 다른 전기적인 특성 중에서 온도특성은 동작 전류가 일정할 때 주변 ... 온도가 올라가면 동작 전압이 감소하는데 이유는 반도체 활성층의 밴드갭 에너지는 온도가 증가함의 따라 감소하기 때문이다. 이 외에도 스위칭 특성과 잡음 특성 등이 있다.여기서 이번 ... 을 가지지만 활성층의 밴드갭에 따라 문턱전압이 달라지는 차이가 있다. 이러한 특징으로 발광하기 위한 조건은적색은 1.895V 녹색 1.924V 황색 1.814V이다. 빛이 나오는 위

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| 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.03.31

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8. 반도체 나노입자의 분광학적 성질(결과)

{lambda [nm]} = {1240eV BULLET nm} over {lambda nm} 식을 이용하여 밴드갭을 구한 후 p115의 표와 식(4)를 참고하여 나노입자의 반지름(CdS ... 의CdS의 밴드갭으로 나노입자의 반지름을 구해보았다.벌크 반도체 ‘ZnS,CdS,PbS’과 각각의 띠간격m _{e} *,m _{h} * : 전자와 정공의 유효질량varepsilon ... : 반도체의 유전상수표의 띠간격(밴드 갭)에너지와 식DELTA E= {1240eV BULLET nm} over {lambda nm}을 이용해 on-set지점의 파장을 구하면CdS

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| 리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.04.05 | 수정일 2016.04.11

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conjugation 염류의 흡수 스펙트럼의 측정

다. conjugation 길이가 증가하여pi 전자들의 비편재화 영역이 증가되고, 밴드갭의 감소가 일어나서 흡광 영역이 파장이 긴 쪽으로 이동하게 된다. 그러므로 c ... onjugation 길이가 증가하면, 긴 파장의 빛을 흡수하게 된다.밴드 갭(TRIANGLE E)과 파장의 관계를 살펴보자.v= {c} over {lambda } ````,``` TRIANGLE ... E=hv##THEREFORE TRIANGLE E= {hc} over {lambda }즉 밴드갭과 파장은 서로 반비례 관계에 있음을 확인할 수 있다.- 이론값과 실험값을 비교해보

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| 리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.03.21

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본 자료는 Ball Levitation 실험의 예비 보고서 및 결과보고서를 포함하고 있다. 포토트랜지스터(빛 감지 센서)와 코일의 전자기력을 사용하여 공을 띄우는 실험이다. 실험은 성공적으로 마쳤으며 본 레포트는 가장 높은 평가를 받았다.

는 빛의 에너지가 반도체의 밴드갭(band gap)보다 크면 전자가 밴드(valance band)에 있던 전자들이 빛 에너지를 흡수한 후에 전도대(conduction band ... 으로 sensor를 가리지 않았을 때의 전압 값은 73mV였고 손으로 sensor를 가렸을 때의 전압 값은 거의 0V로 수렴하였다. 시스템의 게인을 크게 한 상태 () 일 때 전압을 측정 ... 하여 전압 값이 낮게 측정되었다. 손으로 sensor를 가리게 되면 전압 값이 낮아졌다. 그렇기 때문에 아래 사진과 같이 sensor를 가렸을 때 D4 LED가 꺼지게 되는 것이

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| 리포트 | 31페이지 | 5,000원 | 등록일 2017.12.24

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6. Conjugation염료의 흡수 스펙트럼의 측정(결과)

length가 길어짐에 따라 흡수 파장은 어떻게 변하는가? 물질의 밴드 갭의 변화와 관련해 생각해본다.nu = {c} over {lambda } ,```` DELTA E=h nu nu ... 은 에너지 준위(n _{2} =N/2+1)로 한 개의 전자가 여기 되어 올라가게 된다. 이런 전이로 인한 에너지 변화는 다음과 같다. 밴드갭(TRIANGLE E)는DELTA E ... }} over {N+1} 위의 식들에서 알 수 있듯이 밴드갭(TRIANGLE E)은pi -conjugation length(L)의 제곱에 반비례 하고, 파장lambda 는pi -c

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| 리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.04.05 | 수정일 2016.04.11

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