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반도체 실험 수소E 알파 스텝 용접 기능사 ITO Scribing 반도체 공정 실험 철 분석법 토양 분석 실험 반도체 공정 반도체 증착
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"플라즈마산화시간" 검색결과 181-200 / 1,000건

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    [2019최신 공업화학실험] 패터닝 예비보고서
    의 패턴을 관찰해보고 식각 속도 및 식각 선택도를 계산한다. 이를 통해 반도체의 구조 및 반도체 제조 공정의 원리와 과정을 정확히 이해한다.실험 이론1) 플라즈마 (Plasma ... MERIE(Megnetically enhanced RIE)와 유도코일을 이용해 발생한 플라즈마를 이용하는 시스템인 TCP(Transforner Coupled Plasma)가 있다.5 ... 목적반도체 소자 제조 공정의 일부분인 패터닝과 식각 공정을 실제 현장에서 다루는 장비를 사용하여 직접 실험해본다. 직접 패터닝하고 식각한 산화막
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    | 리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.01.31 | 수정일 2025.01.31
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    2019 - 1 경북대학교 기계공학부 [기계공학실험 A+ ][마이크로표면처리]
    이 엄청나게 친수성을 띄는 것을 알 수 있었다. 하지만 영구적으로 친수성을 띄지는 않고, 시간이 지나면 다시 소수성으로 돌아온다고 한다. 플라즈마 처리를 한 두 재료를 서로 붙이 ... 이여서 접촉각이 90DEG 를 넘어가야 한다. 그렇지만 공기 중에 오래 노출되면서 산화막을 형성하여 친수성으로 변한 것이라고 할 수 있다. 만약 공기에 노출되지 않은, 막 제작 ... 일정하겠지만 완벽히 같다고 할 수는 없으므로 오차의 원인에 포함된다.그리고 실험 후반부에 밑에보이는 플라즈마 클리너라는 것을 이용하여 표면개질을 해주고 나니, 소수성을 띄는 시편
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    | 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.07
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    ITO 필름 제조 및 특성평가 발표
    . ITO film 이란?-인듐 주석 산화물 (Indium tin oxide)은 산화 인듐 (In2O3)과 산화주석(SnO2)이 섞여져 있다. -일반적으로 90% In2O3, 10 ... 시킨 것이다. -투명도 전막으로는 유리기판 위에 산화 인듐, 산화주석(ITO) 등의 반도체 박막이나 금속 박막을 형성시킨 것이 잘 알려져 있다.-투명도 전성 필름재료물리화학1 실험 설계 ... Spectrometer의 기기구성과 작동 원리UV/Vis Spectrometer란? -일정한 파장에서 흡광도를 측정 -시간의 추이에 따른 흡광도의 변화 측 정 가능 -일정 범위에 걸친 파장
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    | 리포트 | 37페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.03.01 | 수정일 2023.04.11
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  • 판매자 표지 자료 표지
    현대사회와 신소재 중간 기말 만점 과제
    끊임없이 연구가 진행되고 있다 . 그래핀 산화물의 저장 특성을 조사하는 연구자들은 폴리머와 그래핀 산화물로 수식된 인듐틴 옥사이드 전극이 비휘발성 기억 디바이스에서 쓰고 읽고 지운 후 ... 을 두고 있기 때문에 여러 한계점 ( 고온 반응 필요 , 긴 프로세스 시간 , 복잡한 공정 , 불순물 , 환경문제 등 ) 을 내포하고 있다 . 이미 많은 논문에서 발표된 것 같이 ... 화얻고 , 이를 다시 환원시켜 최종적으로 그래핀을 얻는 것이다 . 그러나 여기서 흑연을 산화시키기 위해서는 강산과 산화제를 사용해야 하기 때문에 환경적인 문제가 발생한다 .5
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    | 리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2020.04.19 | 수정일 2020.10.27
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    패터닝 예비
    ) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ashing) - 플라즈마 애싱장치를 이용하여 산소플라즈마 ... and after etching.4. Experimental details(1) 산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)(2 ... ) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용(3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치를 사용하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여 식각 실험을 진행한다.(4
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.05
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    ITO Scribing & Cleaning 예비
    을 제거하기 힘들어 큰 스케일의 불순물들은 유기용매들을 통한 전처리 과정이 필요하다는 단점이 존재한다.plasma cleaningplasma cleaning이란 플라즈마를 생성하여 활성 ... 공정 중 웨이퍼 표면 위에 오염되는 불순물의 종류는 크게 오염물은 particle, 유기 오염물, 금속 오염물 그리고 자연 산화막으로 나눌 수 있다. 이런 다양한 오염물들을 제거 ... 층과 음극분리 격벽에 영향을 주지 않는 정도의 초음파 세기와 시간에 대한 조건의 선정이 중요하다. ITO 표면을 세정할 때 acetone이나 methyl alcohol과 같은 유기
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.12.16
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    [인하대 A+ 실험보고서] 공업화학실험 패터닝 결과보고서
    플라즈마 반응성 이온 식각(Inductive coupled plasma Reactive Ion Etching, ICP-RIE)을 이용하여 Etching 및 Ashing ... 에 의해 형성된 강력한 전기장을 통해 반응기 내에 있는 기체를 플라즈마화 시킨 뒤 DC bias을 통하여 산화막에 놓여져 있는 곳을 음극으로 하여 이온이 된 반응기체를 유도 ... 4000404340172370.402090따라서 실험번호 1번과 3번에서의 PR 및 산화막의 식각속도는 두께 변화(μm)/공정시간(Sec)의 값으로 다음 표와 같이 나타낼 수 있다.PR의 식각속도(μ
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.03.05
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    Photo lithography 예비보고서
    을 이용하여 진공을 형성하고 플라즈마를 충돌시켜 산화막을 제거한다.남아있는 PR코팅을 제거하면 원하는 패턴을 얻을 수 있다.주의사항실험 과정 중에서 시료가 태양광에 노출되지 않도록 한다 ... 가 고가라는 점과, 노광 시간이 길다는 점이다.노광계에서 분해능은 사용하는 광원의 파장에 의존하는데 렌즈의 성능에 따라 Mask의 회절 한계까지 노출할 수 있다. F를 최소선폭 ... 으로 코팅되어 있지 않은 산화막을 깍아내는 작업으로 습식식각 방식과 건식식각 방식이 존재한다.[그림3] 식각공정습식식각 방식은 용액을 이용하여 이루어지는데 용액과 산화막의 화학적 반응
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.10.13
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  • 자료 표지
    패터닝 결과
    , O2), silicon wafer, patterned SiO2 thin film- Ar : Ar+ + e-로 분리되어 플라즈마화 된다. Ar+가 표면에 물리적인 힘을 가하 ... layer(buffer layer, inhibition layer라고도 한다.)를 형성하여 벽면의 데미지를 감소시키는 역할을 수행한다.- O2 : 플라즈마화 되어 PR 층을 제거 ... film : 플라즈마에 의하여 식각이 진행된다. SiO2는 값이 저렴하고 열적안정성이 높으며, 결정성을 가져 cutting을 방향성 있게 할 수 있다는 장점으로 재료로 선택
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.30
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    Al-Cu 실험 보고서
    한다. 반면 SPS법에서는 소결 시 ON-OFF 제어 펄스 전류의 통전으로 인한 방전 플라즈마의 형성으로 산화막이나 흡착가스가 제거됨으로서 기존의 소결 방법으로는 제조가 어려운whisker ... 하여 내부의 산화를 막는다. 이 산화피막은 내부에서 치밀한 피막과 그 위에 수화된 피막이 합쳐진 산화층으로 되어있다. 이 산화피막은 인공적으로 양극산화에 의해서 만들어지고 내식 ... % Cu합금을 500℃ 부근까지 가열한 후, 급랭하면 과포화상태의 고용체를 상온에서 얻을 수 있다. 이러한 과포화상태는 대단히 불안하므로 제2상을 석출하려는 경향이 크며 시간이 경과
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    | 리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.03.24
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    반도체 공정 실습보고서
    의 SiO2 두께는 시간이 0에 가까울 때는 시간이 증가함에 따라 선형적으로 증가하다가 시간이 어느 순간을 지나게 되면 웨이퍼 산화막의 두께 성장은 점점 제곱근의 형태로 변하 ... 게 된다.(즉 충분한 시간을 산화시켜도 실험자가 원하는 만큼의 산화막 성장이 이루어지지 않을 수 있다)4. 금속공정▷ 금속 공정의 목적 : “금속공정은 소자간의 연결 또는 전압인가 ... 은 산화층과 먼지를 제거하기 위함”.SPM-Clean황산과 과산화수소수의 혼합용액으로 웨이퍼 표면 유기물과 금속이물질을 제거(600초)APM-Clean암모니아와 과산화수소의 혼합용액
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    | 리포트 | 15페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.10.07
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    [화학야금실험]폐자원인 주철용해분진으로부터 순도 높은 아연을 회수해 아연분말 및 아연잉곳 제조
    폐자원인 주철용해분진으로부터순도 높은 아연을 회수해 아연분말 및 아연잉곳 제조1. 실험 목적가. 산화아연을 전기로를 통해 환원시켜 아연 분말을 얻어 아연을 회수한다. 이후 사용 ... 로를 이용하여 금속아연을 생산하는 공법과 Plasma법이 있다(Lianget al., 2012;Tahir et al., 2004). Waelz법은 분진을 코크스와 혼합하여 Rotary ... Kiln로 내에서 환원하여 조산화아연(ZnO)을 회수한 후, 낮은 농도로 함유된 Zn과 Pb 의 산화물을 imperial smelting process (ISP) 공정을 이용
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    | 리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.09.28 | 수정일 2020.08.12
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  • 자료 표지
    pva 나노섬유막의 소수화 가공
    게 처원점은 0.01N의 하중으로 당겼을 때를 시작점으로 설정)5. 실험결과※ 플라즈마 처리시간에 따른 PVA 나노섬유 접촉각(Contact angle)측정< Contact angle ... : 0s=0DEG , 30s=54.2DEG , 60s=92.3DEG >? 플라즈마처리를 하는 시간이 길어질수록 접촉각이 커짐을 알 수 있다.따라서 플라즈마처리 시간이 길수록 소수 ... 성화 돼 젖음성이 낮아짐을 알 수 있다.※ 플라즈마 처리시간에 따른 PVA 나노섬유 Stress-Strain Curve? 비 플라즈마처리 PVA나노섬유막최대 인장 하중 : 6
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    | 리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2019.09.19 | 수정일 2019.10.12
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  • 판매자 표지 자료 표지
    인하대 패터닝 a+최신자료 예비보고서 [공업화학실험]
    plasma ashing) - 플라즈마 애싱장치를 이용하여 산소 플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 ... 관찰 - 광학 현미경 사용패턴의 높이를 측정하여, 식각 속도 및 식각 선택도 계산실험 이론플라즈마 (Plasma) 란?플라즈마란 기체 중에서 음전하를 가진 전저와 양전하를 띤 이온 ... 방법산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용패턴된 산화막
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.09.13 | 수정일 2022.06.09
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    일반기계기사-기계제작법-이론정리북 [1달 합격자료]
    시간)탕구계쇳물받이 -> 탕구 -> 탕도 -> 주입구탕구계 설계 시고려해야 할 사항1) 크기는 단위시간 당 주입량에 따라 결정2) 단면은 원형으로 하며, 단면이 좁아질수록 유동속도 ... 가 빨라짐. (비압축성)3) 응고속도와 주입속도를 조절할 수 있어야 함.4) 단위시간 당 주입량이 많아질수록 공기 배출이 어려워 짐.즉, 쇳물의 유동성이 좋은 경우 단위시간 당 주 ... 입량을 많게 한다.5) 쇳물의 온도가 낮을수록 단위시간 당 주입량을 많게 한다.6) 탕구로부터 먼 곳부터 응고해 가도록 온도구배를 가지게 한다.탕구비 (S:R:G)탕구(Sprue
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    | 리포트 | 24페이지 | 2,500원 | 등록일 2020.07.08
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    비닐 단량체 및 라디칼 개시제의 정제
    는 열분해 개시제, 산화-환원 개시제, 광화학 개시제 등의 화합물을 이용하거나 전기, 높은 에너지의 빛, 플라즈마 등을 이용하기도 하지만 가장 많이 사용되는 것이 라디칼 개시제이 ... 는 아세트알데히드)나) 첨가된 안정제(예 : 금지제)다) 단량체의 산화 및 분해 생성물(예 : 디엔계 단량체의 과산화물, styrene의 벤즈 알데히드, 아크릴로니트릴의 시안화수소 등)라 ... , 페놀 혹은 아닐린계 화합물, 방향족 니트로 및 니트로소 화합물, 산화제 및 환원제, 산소 등이 있으며 대개의 단량체에 포함된 금지제는 페놀계 화합물이며 간혹 아닐린계 화합물이 사용
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    | 리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.10.07
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    VLSI공정 5장 문제정리
    게 된다.PECVD(플라즈마 보강 CVD)방법의 장단점과 응용분야에 대해 상세히 설명하시오.플라즈마 보강 CVD (PECVD : Plasma Enhanced CVD)PECVD는 RF ... 에 가 적다는 의미인데 압력이 너무 낮으면 밀도가 낮아서 플라즈마를 발생시키는데 적절하지 않으므로 수십~수백torr가 적당하다.대기압과 같이 높은 압력에서 플라즈마를 얻기 어려운 ... 이유는?압력이 높게 되면 밀도가 너무 높아져 mean free path가 짧아지고, 그로 인해서 충분한 가속을 얻지 못한 이온과 전자의 재결합이 쉽게 일어나서 플라즈마 생성이 어렵
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    | 리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03
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    멸균 소독기 종류
    지 말고 끌어 작업자의 노출을 예방함과산화수소 플라즈마 가스 멸균(Hydrogen Peroxide Gas plasma)→58%의 과산화수소가 멸균원이며 이를 가스화하여 사용 ... 멸균 소독기 종류 :고압증기멸균기(Autoclave) / E.O가스 / 플라즈마멸균 (sterilization)의 정의- 미생물 특히 세균 균류를 죽여서 없는 상태.- 모든 ... 모니터링(1)기계적, 물리적 모니터링- 진공, 압력, 시간, 온도를 측정하는 멸균기의 차트나 출력물을 점검하는 것(2) 화학적 모니터링- 화학적 표식자(chemical
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.11.20
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    [2019최신 공업화학실험] 패터닝 결과보고서
    고, 기체를 일정 압력에서 일정 시간 동안 일정 유량을 주입해준다. 그리고 RIE 내부에 RF Power로 일정 전압을 걸어 플라즈마 상태로 만들면 아르곤 기체가 (+)로 대전되고, ( ... (실험개요, 목적, 필요성 등을 서술)반도체는 웨이퍼 제작을 시작으로 하여 산화, 식각 등 8대 공정을 거쳐서 생산된다.이번 실험 ... 의 가스의 이온화 에너지가 증가한다. 이온화 에너지가 커지면 Ar은 쉽게 플라즈마 상태가 되고, C2F6은 쉽게 라디칼이 된다. 즉 Ar 양이온 농도가 증가하고, 플라즈마의 밀도
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    | 리포트 | 15페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.01.31 | 수정일 2020.02.10
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [실험레포트] 아연회수실험
    에서부터 쌓이게 되고 아연이 컨덴서에 증착하는데 도움을 주게 된다.산화아연과 탄소가 반응하는 환원반응에서 반응온도는 분당 10도씩 올려 1000도까지 올려줍니다. 온도를 올리는데 약 1시간 ... 아연회수실험1.실험 내용-폐자원인 주철용해분진으로부터 순도 높은 아연을 회수해 아연분말 및 아연잉곳 제조2.실험목적-산화아연을 전기로를 통해 환원시켜 아연 분말을 얻어 아연 ... 하여 금속아연을 생산하는 공법과 Plasma법이 있다(Lianget al., 2012;Tahir et al., 2004). Waelz법은 분진을 코크스와 혼합하여 Rotary
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.09.22
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2025년 11월 29일 토요일
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