접합 다이오드의 특성

소개글

접합 다이오드의 동작 특성을 이해하고 전압, 전류 특성을 도시한다. 또한 극성을 저항계로 식별한다.

목차

1. 실험목적
2. 관련이론
3. 실험방법

본문내용

1. 실험목적
접합 다이오드의 동작 특성을 이해하고 전압, 전류 특성을 도시한다. 또한 극성을 저항계로 식별한다.

2. 관련이론

가. 반도체 : 저항률이 전도체와 절연체 사이에 존재하는 고체
1) 종류 : 트랜지스터, 접합 다이오드, 제너 다이오드, 터널 다이오드, 집적회로 등
2) 응용 : 반도체 소자의 제어기능은 정류기, 증폭기, 검출기, 발진기, 스위칭 소자 등으로 사용
3) 제조 : 초기에는 반도체 재료로 게르마늄 (Ge) 이 많이 쓰였으나 요즘은 대부분이 높은 온도에서도 잘 견딜 수 있는 실리콘 (Si) 으로 많이 제조된다.
4) 도핑 : 순수한 상태에서 이들 반도체는 저항율이 높아서 전도도가 매우 낮게 되므로 미세한 양의 불순물을 가하여 Ge나 Si의 전도도를 증가시킬 수 있는데 이를 doping 이라 한다. doping시 첨가시키는 불순물은 다음과 같다.
- 3가 불순물 : p형 반도체가 만들어짐, 정공수 증가 : Al, B, Ga
- 5가 불순물 : n형 반도체가 만들어짐, 자유전자수 증가 : As, Sb, P, An

나. 반도체의 전류 캐리어
1) 반도체 다이오드와 트랜지스터의 전류흐름은 (+)전하 캐리어와 (-)전하 캐리어의 이동으로 이루어지는데, 이 (-)전하 캐리어를 자유전자라 하고, (+)전하 캐리어를 정공이라 한다. n형 반도체의 전류흐름은 다수 캐리어인 자유 전자에 의해 이루어지고, 반대로 p형 반도체의 전류흐름은 다수 캐리어인 정공에 의해 이루어지게 된다.

참고 자료

없음