이온 주입

*창*
최초 등록일
2007.01.18
최종 저작일
2007.01
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소개글

Mass spectrometer
자기 분석기는 소스의 생성물로 부터 원하는 불순물 이온을 선택받기 위하여 이온빔을 직각으로 구부린다.
High-Voltage accelerator
빔에 에너지를 더하고 이온들을 최고 속도까지 가속시킨다.
Scanning system
X 와 Y 축 편향 판을 사용하여 균일한 implantation이 이루어지도록 한다.
Target chamber
실리콘웨이퍼들이 이온빔에 대한 표적으로 사용된다.

목차

Introduction
Implantation Technology
Mathematical Model for Ion Implantation
Selective Implantation
Junction Depth and Sheet Resistance
Channeling, Lattice Damage, Annealing
Shallow Implantation

본문내용

1. Introduction

이온 주입(Ion implantation)이란?
불순물 원자 또는 분자를 이온화 시킨 후, 이온을 고에너지로 가속시켜 재료의 표면에 강력한 이온의 직접적인 주입을 하여 표면에 개질된 층을 만드는 대표적인 기술

이온 주입기(Ion implanter)란?
실리콘 표적 웨이퍼의 표면에 침투할 수 있는 불순물 이온의 고속도 빔을 생산하는 고전압 입자가속기

장점
비교적 낮은 온도에서 이루어짐
먼저 확산된 영역을 혼란시키지 않음
금속 또는 PR층에 의해 저지 가능
Photolithography공정을 써서 도핑을 행할 부분을 확정
매우 얇고 명확한 한계가 이루어진 도핑 가능
많은 소자들이 손쉽게 확산하지 않는 얇은 도핑층을 필요
도핑 농도와 깊이를 정확하게 조절 가능
불순물의 정확한 양을 균일하게 주입
측면 확산을 최소화 할 수 있음
직접도를 높을 수 있음

참고 자료

없음
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