[전자회로실험1] 전자회로실험1예비레포트
- 최초 등록일
- 2005.06.06
- 최종 저작일
- 2005.06
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소개글
예비보고서입니다.
목차
1. 비이상적인연산증폭기
2. 계측용 연산 증폭기
3. 접합 다이오드
4. 바이폴라 트랜지스터의 기초
5. 기본 BJT 증폭기 회로
6. MOSFET의 측정과 응용
7. 개별, 집적 MOSFET 증폭기
8. BJT 차동 증폭기와 응용
본문내용
비이상적인 연산 증폭기
I. 실험 목표
이 실험의 목표는 비이상적인 연산 증폭기의 특성을 이해하는 데 있다. 그리고 연산 증폭기가 갖는 비이상적인 특성을 보상하는 방법에 관해 알아본다. 이를 위하여 입력 오프셋 전압, 바이어스 전류, 오프셋 전류, 유한 이득, 주파수 응답, 슬루율 및 공통모드 제거 특성에 관해서 차례로 조사한다. 실험 순서가 교재 내용과는 다른데, 이는 실험의 관점에서 보기 때문이다. 실험에서는 오프셋과 이의 보상문제를 먼저 취급한다.
II. 실험에 필요한 부품과 실험기기
실험 1과 같이 741연산 증폭기 두 개가 들어있는 8핀 DIP 패키지 IC를 사용하기로 한다. 편의상, 그림 2.1에 핀 연결을 두 가지 형태로 기술하였다. 나중에 측정값을 데이터와 비교해 보면 도움이 될 것이다. 공급 전원으로는 +10V와 -10V를 사용한다. 또한 실험에는 여러 개의 저항과 용량이 필요할 것이다. 예로서 1㏀, 10㏀, 100㏀, 1㏁, 10㏁ 와 0.1㎌, 0.01㎌, 1㎋ 등이다. 기판 상에 있는 각 전원 단자에 탄탈 또는 전해 커패시터의 100㎌과 저인덕턴스를 갖는 1㎌(EH는 0.1㎌)의 세라믹 커패시터를 병렬로 연결시켜야 한다. 측정시에는 저항 측정모드에서 또는 의 숫자를 가진 디지털 전압계(DVM)와 X10 프로브를 사용하는 2-채널 오실로스코프와 파형 발생기가 필요하다.
참고 자료
전자회로실험1