[전자공학] 다이오드실험

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최초 등록일
2005.06.01
최종 저작일
2003.11
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목차

1. 이 론
(1) 다이오드의 원리
(2) 트렌지스터의 원리

2. 실험 방법
(1) 다이오드 실험 과정
(2) 트렌지스터 실험 과정

3. 소자 식별법
(1) 저항 식별법
(2) 다이오드 식별법

본문내용

(1) 다이오드의 원리

a. pn접합의 생성

pn접합을 생성하기 위하여 p형과 n형으로 각각 도우핑된 두 개의 결정을 물리적으로 붙이는 것만으로는 올바른 전기적인 특성을 얻을 수 없고, 두 개의 결정이 하나의 결정격자 구조로 결합되어야만 한다. 따라서 실제로는 하나의 반도체 결정안에 n형과 p형의 불순물을 각기 다른 부분에 첨가함으로써, 부분에 따라서 n형과 p혛의 영역이 생기도록 하는 방법을 사용한다.
불순물을 선택적으로 주입하는 방법에는 두 가지가 있다.
첫째는 합금 확산(alloying) 공정이라고 하는 것으로 p형의 불순물이 함유되어 있는 금속을 n형의 반도체 위에 녹여 붙이는 방법이다. 이 경우에는 금속에 녹아있던 p형의 불순물이 n형의 반도체 속으로 확산해 들어가 pn접합을 생성하게 된다. 둘째는 평면 공정이라고 하는 방법으로, 오늘날의 모든 집적회로는 이 방법으로 제조된다. 이 방법은 우선 n형으로 도핑된 반도체의 푶면을 산화시키는 과정으로 시작된다. 실리콘 결정을 산소기체가 있는 용기에 넣고 온도를 높여주면(900℃ 정도) 그 표면에 실리콘 산화막(SiO2)이 형성된다. 사진 식각 공정을 사용하여, 이 산화막에 p형으로 도핑하고자 하는 영역만 산화막이 없어지도록 한다. 그리고, p형의 불순물 기체가 들어 있는 용기에 사진 식각된 반도체 결정을 넣고 온도를 가해주면, 산화막이 제거된 부분으로 p형의 불순물이 학산되어 들어간다.

참고 자료

없음
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