기판 (glass, silicon 등) 클리닝 공정 정리

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목차

1. Wet cleaning
1-1) RCA cleaning
1-2) Piranha cleaning
1-3) DHF cleaning

2. Dry cleaning

본문내용

RCA SC-1(Standard Clean-1, APM) 세정공정은 암모니아와 과산화수소 그리고 물을 1:1:5의 비율로 혼합하여 75~90℃ 정도의 온도에서 10~20분 정도 세정을 실시하여 과산화수소와 암모니아의 화학반응에 의해 기판상의 유기오염물질과 일부 금속오염물질을 제거하는 공정이다. 그러나 세정용액은 낮은 Redox potential에 의해 표면의 금속물질을 완벽히 제거할 수 없고, 이러한 문제점을 해결하기위해 SC-2 세정 공정이 등장했다.
RCA SC-2(Standard Clean-2, HPM) 세정공정은 염산 과산화수소 그리고 물을1:1:5의 비율로 혼합하여 75~85℃ 도의 온도에서 진행되는 세정공정으로, 암모니아 대신 염산을 이용하여 기판상의 잔류 금속불순물들을 제거한다.[1]

참고 자료

습식세정공정 (이원규_강원대학교)
Skhynix newsroom, 세정공정