접합다이오드 특성 예비레포트

목차

1. 목적
2. 관련 이론
3. 요약
4. 예비과제
5. 사용기기 및 부품
6. 실험순서

본문내용

<목적>
1. 순방향 및 역방향 바이어스전압이 접합다이오드의 전류에 미치는 효과를 측정한다.
2. 접합다이오드의 전압전류특성을 실험적으로 결정하고 도시한다.
3. 접합다이오드를 저항계로 시험하는 법을 익힌다.

<관련이론>
반도체는 저항률이 도체와 절연체 사이에 존재하는 고체를 말하며, 주로 사용되는 원소 반도체는 게르마늄과 실리콘인데 현재는 게르마늄보다 높은 온도에서 견딜 수 있는 실리콘이 주를 이루고 있다. 게르마늄, 실리콘을 유용한 반도체 재료로서 사용 하려면 순도가 99.99%정도로 불순물을 정제하여야 한다. 이와 같이 정제된 반도체를 진성반도체 또는 순수반도체라고 부르며, 상온에서는 도전율이 낮으므로 도전율을 높이기 위해서는 3가나 5가의 불순물을 미소하게 첨가하여 p형 또는 n형 반도체로 만든다.

실내온도에서 진성 실리콘은 1cm^3당 약 1.5*10^10개의 자유캐리어가 있고, 진성 게르마늄에는 1cm^3당 약 2.5*10^13개의 자유캐리어가 있어, 이자유캐리어의 수가 게르마늄이 실리콘보다 약 1000배가 많으므로 도전율도 약 1000배가 크다. 반도체에서 전류를 운반하는 캐리어는 자유전자와 정공이 있다. 한 반도체에 두 가지의 캐리어가 존재할 대보다 훨씬 많이 있는 캐리어를 다수캐리어라 하고, 적게 있는 캐리어를 소수캐리어 라고 한다.

게르마늄이나 실리콘은 온도가 증가되면 열에너지로 인해 자유캐리어가 증가되어 도전율은 증가되고 저항률은 감소하게 되므로, 부온도계수를 갖게 된다. 반면에 도체는 온도가 증가되면 원가격자의 열진동으로 인해 자유전자의 이동을 방해하게 되므로 도전율은 감소하고 저항률은 증가하게 되므로 정온도 계수를 갖게된다. 또한 게르마늄의 에너지대의 금지대 폭 Eg는 0.67eV 이나 실리콘의 금지대 폭 Eg는 1.1eV이므로, 실리콘이 게르마늄보다 열적으로 보다 더 안정하다.
n형 반도체에는 Sb, P, As 와 같은 5가 원소를 진성반도체 Ge, Si에 첨가하여 만들며, 여기서 다수캐리어는 자유전자가 된다.

참고 자료

없음