정실, 정보통신기초설계실습2 13주차 결과보고서 인하대

소개글

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목차

1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험준비
4. 실험결과
5. 고찰

본문내용

1. 실험 제목 : MOSFET의 특성
2. 실험 목적 : FET를 사용해 각 상황에서 드레인전류를 구해보고 증폭기회로, 인버터를 구현해 본다.
3. 실험준비
가) 장비 세팅
ORCAD PSPICE
4. 실험결과
 Vgs, VDs 와 I¬D 의 관계
1. 회로도

그림 1 : Vgs, VDs 와 I¬D의 관계확인을 위한 회로도
우선 Vgs 와 I¬D 의 관계를 살펴보자. 실험에 주어진대로 MOSFET의 고유 상수값들(Threshold 전압, K, W, L)을 바꿔주었다. 그리고 Vgs값의 변화에 따른 ID 변화를 살펴보기 위해서 Vgs를 0V에서 10V까지 0.1V 간격으로 sweep 시키도록 시뮬레이션을 세팅했다. 측정결과는 그림2와 같다.

그림 2 : Vgs 와 I¬D 의 관계
실험조건에 Threshold voltage를 2V로 설정했기 때문에 게이트에 걸리는 전압 Vgs가 2V이하일때는 전류가 흐르지 않는 것을 확인할 수 있다(VTH = 2V 확인). 드레인 전류 ID의 경우 2차함수꼴로 증가하는 것을 볼 수 있다.
(드레인 전류식이 Vgs의 2차식이기때문. I_D= 1/2 ×K_p × W/L × 〖(V_gs- V_t)〗^2 )

참고 자료

없음