공통 게이트 증폭기 [A+/고찰사항포함/결과레포트] 전자회로실험, 고찰사항

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최초 등록일
2021.06.19
최종 저작일
2021.06
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소개글

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1. 만점 받은 보고서 입니다.
2. (중요)고찰 사항이 포함되어있습니다.
3. 결론 및 고찰이 자세히 서술되어있습니다.
4. 오차분석이 이루어져 있습니다.
5. PSpice 시뮬레이션이 포함되어 있습니다.

목차

1. 실험 결과 및 분석
2. 결론 및 고찰
3. 고찰사항
4. Reference

본문내용

-고찰
이번 실험에서 발생한 오차에 대해 분석해보겠다. 우선, 실험절차 (2)에서 발생한 오차에 대해 설명하겠다. 실험절차 (2)에서는 4V일 때 오차가 17%로 매우 크게 나왔는데 이에 대해서는 위에서 서술한 것처럼 실험이 잘못되어서 발생한 오차가 아닌, 저항이나 DC 서플라이의 전압 오차, MOSFET의 오차등으로 인해 발생한 오차이다. 입력 – 출력 전달 특성 곡선에서 확인할 수 잇듯이, saturation영역에서는 기울기가 매우 큼으로 약간의 오차가 큰 차이를 만든다. 따라서 이상적인 상황을 가정하는 PSpice의 결과와 달리 오차가 17%정도 나온 것이다. 입력 – 출력 전달 특성 곡선은 (2)에서 비교했듯이 PSpice 시뮬레이션 결과의 입력 – 출력 전달 특성 곡선과 일치하게 나왔으므로 좋은 결과라고 할 수 잇다.
실험절차 (4)에서는 PSpice 결과와 비교했을 떄 파형의 위상은 일치하지만, 진폭의 결과가 다르게 나왔음을 확인할 수 있다

참고 자료

이 강 윤. “공통 게이트 증폭기,” in 단계별로 배우는 전자회로 실험 : 기본 소자부터 응용까지, 1^sted. 한빛아카데미, 2014, ch 13, pp. 201-210
유 관 호. (2021). Ch.5 MOSFETs [pdf]. Available:
Adel S. Sedra. “Mosfets.” in SEDRA/SMITH Microelectronic Circuits, SEVENTH ed. New York :OxFord University Press, 2015, ch 5, pp. 246-292
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