서강대학교 전자회로실험E02 결과레포트

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최초 등록일
2021.06.02
최종 저작일
2021.03
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소개글

"서강대학교 전자회로실험E02 결과레포트"에 대한 내용입니다.

목차

I. 예비실험
1. [실험 1]

II. [본 실험]
1. [실험 1] DC Sweep
2. [실험 2] Parametric Sweep
3. [실험 3] Frequency Response
4. [실험 4] Transient

III. 설계과제
1. MOSFET를 이용하여 inverter 를 설계하고 입출력 파형을 관찰한다.

본문내용

(4) 결과를 논하세요.
MOSFET은 Gate에 인가되는 전압이 일정 전압을 넘으면 Source에서 Drain 으로 전류가 흐르게 된다. 이때 NMOS 내부에서는 Source와 Drain을 연결 하는 Channel이라는 통로가 생긴다. 이 Channel을 통해 전자가 이동하면 서 NMOS에서는 전류가 흐른다.
앞서 설정한 L와 W는 각각 Channel Length, Channel Width을 의미하며 L값은 전류값에 반비례, W 값은 전류값에 비례한다.
Drain에 전압을 인가하면 NMOS에 전류를 더 빠르고 많이 흐르게 할 수 있다. 그러나 위의 그래프를 보면 전류값이 점점 커지다 일정해지는 현상 을 확인할 수 있다. 이는 MOSFET의 구조상의 특징인데, NMOS를 예로 들 면 NMOS는 P-type Semiconductor 기판에 N-type Drain 기판이 붙어있다. 이때 Drain에 일정 전압 이상 인가되면 P-type기판에 역방향 바이어스가 걸려 공핍층이 생기게 된다. 이 상태가 되면 전류가 더 이상 빠르게 흐르 지 못하고 일정하게 흐르게 되는데, 이를 Saturation 영역이라 한다.

<중 략>

(2) 사용한 소자 및 파라미터 값을 기록하세요 (있는 경우).
사용한 소자는 두 개의 MOSFET과 직류전원과 캐패시터 그리고 펄스전원 이다. 펄스전원에서 초기 전압은 0V, 최대 전압은 1.8V, time delay는 0, rise time, fall time은 둘다 2ns, 그리고 Pulse width는 30ns, Cycle은 60ns로 설 정하였다. 또한 적절한 출력전압을 얻기 위해 MOSFET의 L과 W값을 각각 1n, 1m으로 설정하였다.

참고 자료

없음
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