[A+ 4.5 결과레포트] 기초전자공학실험 - JFET 특성, JFET 바이어스 회로

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2021.04.20
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2019.06
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목차

1. JFET 특성
1) 실험 목적
2) 실험 장비
3) 이론개요
4) 실험순서
5) 실험 결론
6) 토의 및 고찰

2. JFET 바이어스 회로
1) 실험 목적
2) 실험 장비
3) 이론 개요
4) 실험 결론
5) 토의 및 고찰

본문내용

3. 이론개요
JFET(Junction field-effect transistor)는 유니폴라(unipolar) 소자이다. n-채널 JFET의 전류 캐리어는 전자이고, p-채널 JFET의 전류 캐리어는 정공이다. n-채널 JFET에서 전류의 경로는 n-도핑된 게르마늄이나 실리콘이고, p-채널 JFET에서 전류의 경로는 p-도핑된 게르마늄. 실리콘이다. 전류의 흐름은 채널 내부에서 서로 반대로 도핑된 영역 사이에 생기는 공핍영역에 의해 조절된다. 채널은 각각 드레인과 소스로 불리는 두 개의 단자에 연결되어 있다. n-채널 JFET에서는 드레인이 양(+)전압에, 소스가 음(-)전압에 연결되어 채널에 전류의 흐름이 형성된다. p-채널 JFET의 경우 인가전압의 극성은 n-채널 JFET와 반대이다. 게이트로 불리는 세 번째 단자는 공핍영역과 채널의 폭을 조절할 수 있는 매커니즘을 제공하며. 이를 통해 드레인과 소스 단자 간에 흐르는 전류를 제어할 수 있다. n-채널 JFET에서는 게이트에서 소스까지의 전압이 음전압으로 될수록 채널의 폭이 좁아지며 드레인에서 소스로 흐르는 전류는 작아지게 된다. 이 실험에서는 JFET의 다양한 전압과 전류 사이의 관계를 확립한다. 이 관계의 성질은 JFET 적용분야의 범위를 결정하게 된다.

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