설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 예비레포트

완좐
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최초 등록일
2021.03.09
최종 저작일
2019.06
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"설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 예비레포트"에 대한 내용입니다.

목차

1. MOSFET의 특성 parameter 계산

본문내용

3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
(A) Data Sheet를 이용하여 V_t, K_n을 구하여라. (사용한 data sheet 정보를 캡쳐하여 그림으로 포함) K_n을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술하라. 또한 data sheet에서 구한 K_n을 이용하여 V_ov=0.6V인 경우, g_m의 값을 구하여라.

이번 실험의 회로는 2N7000 MOSFET 소자를 활용한 회로인데 교재에 따르면 이 소자는 증폭기가 아닌 스위치 소자에 적합한 부품으로 Cutoff 영역과 Triode 영역에서 동작하는 것이 올바르다. 그러므로 K_n을 구하기 위해 Triode 영역의 i_D식 이용해야 한다.
이론영역에 적혀 있는 Triode영역에 해당하는 식은
K_n=i_D/(V_GS-V_t)/V_(DS(ON))이다.

참고 자료

없음

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