전자회로1 증폭기 설계 프로젝트 BJT amplifier

소개글

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목차

1. Introduction(20pt)
1) Explain about your bias circuit configuration of the BJT amplifier.
2) Summarize the constraints and objectives
3) Describe the load line design procedure to maximize the output level

2. Circuit Design(30pt)
1) Suggest your bias point selection concept to achieve the best objectives under the constraint (VCC=12V) (10pt)
2) Explain your bias circuit configuration including the bias circuit analysis (10pt)
3) Evaluate the maximum possible sinusoidal output level considering your bias circuit (10pt)

3. Simulation Results(30pt)
1) Summary for the operating point (Table – Ic, VCE, gm, rpi, ro )(5pt)
2) Verify the bias point ( IC ) change is less than 10% (5pt)
3) Analysis the results for the transient simulation and figure out the THD level(5pt)
4) By use of .ac analysis, determine and explain the bandwidth (5pt)
5) design results(10pt)

4. Conclusion(20pt)
1) Summary the hand analysis and explain the optimization procedure
2) Compare the simulation results based on the objectives and constraints

본문내용

⚫ Explain about your bias circuit configuration of the BJT amplifier
동작점 Q는 process, voltage, 온도 변화에 대해서 stable해야하지만, but the characteristics of a BJT drift according to PVT variation. 특히, common emitter current gain 베타는 온도에 대해 크게 잘 변화해서, BJT회로는 바이어스 point가 not depend directly on 베타로 설계되어야 한다.
Configuration을 설명하면, 먼저 negative feedback을 이용하여, thermal runaway를 방지하고 operating point를 안정화 한다. 이 biasing형태에서, the base resistor RB는 DC source Vcc 대신에 collector에 연결 되어있다. 따라서 any thermal runaway will induce a voltage drop across the RC resistor that will throttle the transistor's base current.

<중 략>

⚫ Describe the load line design procedure to maximize the output level
: 우선 shunt feedback을 이용해서 회로를 설계했다. VC 가 충분히 스윙하여야 output level을 maximize할 수 있다. V(c)가 11.7Vpp가 되도록 설정한 다음 Bias point를 잡고 저항의 비율을 적당히 맞추는 작업을 한다. VC bias 전압을 기준으로 아래로는 충분히 스윙했지만, 위로는 충분히 스윙하지 못했다.

참고 자료

없음