창원대- 전기전자회로 응용실험 리포트- 3.Tansistor/MOSFET

최초 등록일
2020.06.23
최종 저작일
2017.10
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창원대 전기전자회로응용실험 리포트/pspice simulator로 simulation 돌린 결과/실험 중 일부임을 밝힘

목차

없음

본문내용

실험순서
1.그림 3.2의 npn transistor bias 회로를 결선하여라. v_bb 전아ㅂ을 0에서 5v 사이오 가변시키면서 v_ce 전압의 변화를 관찰하고, v_ce=5v 로 될 때 v_bb 전압과 v_be 전압을 측정하여 h_fe와 동작점 Q(V_ce,I_c)를 구하여라.

2.그림 3.10의 npn transistor 증폭회로를 결헌하여라. function generator의 offset 전압을 0으로 두고 v_bb전압과 v_ce 전압의 파형을 그려라. 그림을 그린 다음 offset 전압을 조정하면서 v_ce 전압의 파형을 관찰하여라(transistor의 포화 및 차단영역에서 신호의 증폭이 이루어지지 않는 사실 확인.)
V_off = 0, 0.7, 1.7, 2.7[V]일 때 파형

참고 자료

전기전자회로응용실험

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