기초회로실험 결과보고서
- 최초 등록일
- 2020.06.20
- 최종 저작일
- 2019.12
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소개글
실험 표, 실험 소감까지 다 작성되어있습니다
목차
1. 실험제목
2. 실험목적
3. 관련 이론
1) 다이오드 특성
2) 키르히호프(Kirchhoff)의 법칙
4. 실험방법
5. 실험결과
1) 다이오드 특성
6. 분석 및 토의
7. 참고문헌
본문내용
(1) 실험제목
기초회로실험
(2) 실험목적
저항체의 양 끝에 걸리는 전압에 따라 이 저항체에 흐르는 전류의 변화를 조사하여, 반도체 다이오드의 전기 특성을 본다. 또한, 여러 개의 저항과 기전력원이 연결된 회로의 측정을 통해 Kirchhoff의 법칙을 실험적으로 확인한다.
(3) 관련 이론
A. 다이오드 특성
① n형 반도체 (4족 원소(Si) + 5족 불순물(P, As))
② p형 반도체 (4족 원소(Si) + 3족 불순물(Ga))
4족 원소의 결정 상태에 3족, 5족의 불순물이 들어가면 강한 공유결합이 형성하던 큰 저항을 감소시키는 효과가 있다. p형 반도체는 3족 불순물이 첨가되어 양공이 형성된 반도체이다.
참고 자료
일반물리학 실험 - 형설출판사
https://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1982032&cid=42331&categoryId=42334