Ni 도핑 농도에 따른 열처리 온도별 SnO2/Ag(Ni)/SnO2 다층구조의 광학 및 전기적 특성

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2020.04.02
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목차

1. 실험이론 및 목적
2. 실험방법
3. 실험 데이터
4. 고찰
5. 참고문헌

본문내용

쇼트키 접합(Schottky Contact)
- 금속과 반도체 접촉 시에 페르미 준위 차이로 인해 전자가 낮은 에너지를 가지는 금속으로 확산되면서 공핍층 형성
- 쇼트키 장벽으로 전류가 한 방향으로 흐름 (단방향성 정류형 접합)
- 고속의 스위칭이 필요할 때 적합 (쇼트키 다이오드)

옴 접합(Ohmic contact)
- 금속과 반도체를 접촉하여 페르미 준위를 일치시켰을 때 금속에서 반도체로, 반도체에서 금속으로 전류가 양방향으로 흐름(양방향성)
- 소자의 고속 성능에 주요한 요소
- 반도체 소자의 접촉단자로 활용

참고 자료

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