전자회로실험 : 트랜지스터 증폭회로 설계
- 최초 등록일
- 2019.11.09
- 최종 저작일
- 2014.10
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소개글
"전자회로실험 : 트랜지스터 증폭회로 설계"에 대한 내용입니다.
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본문내용
실험순서
(1) 다음의 에미터공통 증폭회로를 결선한 후 함수발생기의 출력을 1V로 하고 그림에서와 같이 100kΩ과 1kΩ의 분압저항을 통해 약 100분의 1로 감소시킨 다음 증폭회로에 인가하였다고 가정하자. 이 회로의 교류 등가모델을 작성하고 이로부터 부하저항 이 1kΩ일 때와 100Ω일 때 출력전압의 크기를 각각 구하라. 단 트랜지스터의 교류증폭율은 150인 것으로 가정한다.
<중 략>
-실험 결과 및 오차분석-
실험5의 트랜지스터 증폭회로에서의 전압에 있어서 큰 오차가 났던 경험 때문에 이번 실험에서는 결선 상태뿐 아니라 각 소자의 이상유무 및 실측 저항값도 함께 체크하였다. 전체 소자가 이상없음을 확인후 사진과 같이 회로도에 따른 실제 결선후 측정포인트에 따라 각 단의 전압과 부하저항의 변화에 따른 출력전압을 체크하였다. 실질적으로 교류전원에서 인가되는 전류가 1마이크로 암페어의 매우 미미한 양이었기 때문에 처음엔 교류전압의 측정부터 했는데 예상대로 241mV라는 전압이 인가되었다. 하지만 실험의 목적 자체가 부하저항의 변동에 따른 출력전압을 알아보는 실험이었기에 변화량 관찰을 위해 실측값을 염두에 두고 실험을 진행하여 체크포인트에 따른 각단의 전압은 이론적 예상값과는 20%미만의 오차를 보였다.
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