RF Sputter를 이용한 InGaZnO(IGZO) 박막증착 레포트

목차

1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 원리
4. 실험
5. 실험결과

본문내용

a) rf sputtering
rf sputtering은 dc sputtering과 달리 금속외에 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의 target에도 sputtering이 가능하다는 장점이 있으며 주로 13.56MHz의 고주파 전원을 사용한다.
sputtering은 chamber 내에 공급되는 gas cathode에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 진공 chamber 내에 Ar, Ne 등의 비활성기체를 넣고 cathode에 전압을 가하면 cathode로부터 방출된 전자들이 Ar 기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다.
Ar + e ⇔ Ar + 2e
Ar이 excited 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며, 이 때 glow discharge가 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 plasma를 볼 수 있다.
plasma 내의 Ar 이온은 전위차에 의해 target 방향으로 가속되어 target의 표면과 충돌하여 중성의 target 원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성하게 된다.

참고 자료

없음