전자기학, 연세대 기계공학부, 수치해석과제, Quickfield, 만점받은 레포트

목차

1. Parameter 변화에 따른 Capacitance 변화 분석
2. Target engineering value C : 0.0025~0.00255 pF

본문내용

1. Parameter 변화에 따른 Capacitance 변화 분석
표 Si 탄성계수 변화에 따른 Capacitance 변화

Si의 탄성계수가 증가함에 따라 Capacitance는 작아지며, 작아지는 정도(기울기)가 감소하고 있다..같은 힘을 받을 때, Si의 E값이 클수록 변형량은 작아질 것이다. 따라서 축전기 용량이 특정 값으로 수렴할 수 있다. 반대로 E값이 클수록 변형량은 커질 것이고 전체적인 그래프 개형은 E에 반비례하게 나타날 것으로 예상된다.

표 2 Si Poisson’s ratio 변화에 따른 Capacitance 변화
Si의 Poisson’s ratio 가 증가함에 따라, Capacitance 도 증가하는 것을 볼 수 있다. 하지만, 증가하는 정도가 유의미하게 크지는 않다. 그래프의 추세선을 따라 선형적으로 변화한다고 가정했을 때, 포와송비를 0.5까지 늘리더라도 capacitance는 0.0024145밖에 안된다.

참고 자료

없음