반도체공정-식각공정

최초 등록일
2019.02.27
최종 저작일
2018.05
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목차

1.식각공정
1)건식식각
2)습식식각

본문내용

연마 직후의 웨이퍼는 전기가 통하지 않는 순수 상태이다. 따라서 반도체의 성질을 갖도록 웨이퍼 표면에 여러 가지 물질을 형성시킨 후, 설계된 회로 모양대로 깎고 다시 물질을 입혀 깎아 내는 작업의 반복이 필요한데, 회로 패턴이 그려진 대로 웨이퍼에 전기가 흐르도록 만드는 과정인 식각공정(Etching)에 대해 소개해 드리겠습니다.

식각공정은 필요한 회로 패턴을 제외한 나머지 부분을 제거하는 과정
식각공정은 웨이퍼에 액체나 기체의 etchant(플라즈마도 포함)를 이용해 불필요한 부분을 선택적으로 제거하는 과정이다. 반도체를 구성하는 여러 층의 얇은 막에 회로 패턴을 만드는 과정을 반복함으로써, 반도체의 구조가 형성된다. 포토공정(빛과 감광액)을 통해 부식 방지막을 형성하고, 부식액 역할을 하는 etchant로 불필요한 회로를 벗겨 내는 것이다.​ 식각공정은 습식(wet etching)과 건식(dry etching)으로 나뉜다. 이는 식각 반응을 일으키는 물질의 상태에 따라​ 나뉘는 것인데. 습식에 비해 건식은 비용이 비싸고 방법이 까다로운 단점이 있다.

참고 자료

반도체 8대 공정 (5) 동판화 기법과 흡사한 식각공정|작성자 삼성반도체이야기
https://blog.naver.com/secsemicon/220095920371

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