재료물성 term paper A+ 레포트

저작시기 2017.12 |등록일 2018.10.31 한글파일한컴오피스 (hwp) | 10페이지 | 가격 1,000원
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목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본문
Ⅲ. 결과
Ⅳ. 의견
Ⅴ. 초록
Ⅶ. 출처

본문내용

Ⅰ. 서론
물질결정에서, crystal 구조가 아닌 경우 defect가 일어난다. 여기서 defect란, 분자를 이루는 원자 구조 사이의 빈틈을 의미한다. defect는 한 지점에서 일어날 수 있고, 선에서 일어날 수 있으며, 면에서 일어날 수도 있다.
따라서 defect의 종류는 크게 point defect, line defect, surface defect등으로 나뉠 수 있다. defect는 그 종류에 따라 물질에서의 양상이 다르게 나타난다. defect에 의해서 발생하는 물질 원자의 이동 과정을 dislocation이라고 한다. dislocation은 원자들의 이동 과정이기는 하지만, 에너지가 낮은 방향으로 움직이기 때문에 동시에 모든 부분이 이동하지는 않는다. 원자들은 Burger's vector 방향으로 움직이며, slip band는 한 칸 이동하게 된다. dislocation은 line defect과 surface defect에서 관찰된다.
point defect는 끼어드는 원자가 같은 물질의 것인지, 다른 물질의 것인지에 따라 self-interstitial, interstisial 으로 나뉜다. 이때 끼어드는 원자의 크키는 주변 원자들의 크기보다 작아야 한다. point defect가 일어나지 않고 원자 하나가 빠진 자리는 vacancy라 부른다. (+)가와 (-)가의 이온 한 쌍이 동시에 빠진 경우는 schottky defect, 한 자리에 두 개의 원자가 끼어든 경우는 frenkel defect라고 부른다.

(1) point defect
line defect는 defect가 일어나면서 원자들이 이동하므로 dislocation이라고 부르기도 한다. line defect는 slip이 일어나서 가장 힘을 많이 받는 dislocation line과, 원자들의 배열을 따라 한 바퀴를 표시했을 때의 초기 위치와 마지막 원자간 차이를 나타내는 Burger's vector간 각도에 따라 나뉜다.

참고 자료

김계훈, 2010, 열분석에 의한 결정내부의 defect 분석, 한밭대학교 학위논문(석사), 16p
이성욱 외 3명, 2006, CeO2-ZnO계의 결함구조 및 전기전도성, Electronic Materials Letters, Vol. 2, No. 1 (2006), pp. 53-58
김태건 외 3명, 2005, Copper CMP에서 Electrochemicla Plating 두께에 따른 Defect 특성 연구, 한국전기전자재료학회 하계학술대회 논문집
이재은 외 7명, 한국추진공학회 학술대회논문집, 2015, 11, 614-617, 결정화를 이용한 고에너지 물질의 둔감화
오민환 외 5명, 한국전기전자재료학회 2001년 하계학술대회 논문집, Si 웨이퍼의 내부 금속 불순물 Fe의 결함분석
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