High k 물질에 관하여
- 최초 등록일
- 2018.08.20
- 최종 저작일
- 2017.04
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본문내용
High-k 유전체에 대해 설명하기에 앞서 우선 high-k의 유래에 대해 알아보겠습니다.
반도체란 도체와 부도체의 중간적 전기적 전도성 성질을 가지고 있고 이 성질은 에너지밴드갭이 너무 크지도 않고 너무 작지도 않고 적당한 크기를 갖는다는 것을 의미합니다. 이런 반도체를 이용해 트랜지스터와 같은 수많은 device들이 개발되었고 지금도 좀 더 발전된 특성을 가진 device를 만들기 위해서 수많은 노력이 진행되고 있습니다.
대표적인 예로 트랜지스터를 들자면, 트랜지스터는 Gate의 전압으로 Source와 Drain간의 전류를 제어할 수 있는 소자입니다. 이를 이용한 여러 가지 device들이 만들어 졌고 제품화 되었는데 여기서 그치지 않고 집적도를 높이기 위한 노력이 진행 되고 있습니다. 그 과정에서 공정이 점차 세밀해지고 집적도가 높아짐에 따라서 트랜지스터의 channel이 짧아지게 되면서 '터널링 효과‘와 같은 Short Channel Effect(SCE)가 발생하여 누설전류가 발생하는 문제가 나타나기 시작했습니다.
참고 자료
반도체공정1 수업자료.
최신 반도에 공정기술. 전자공학회지. 2015.1. 김도영
반도체, 그리고 현재 누설전류를 해결하는 기술 High-k과 FIN-FET. Amkor Technology.
MOSFET, 첫 번째 반도체 이야기 AMKOR in STORY
Daum blog. http://blog.daum.net/21th_vision/7083677